半导体二极管及其基本应用电路1

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1、第1章半导体二极管及其基本应用电路本章教学基本要求要知道：N型和P型半导体的区别、PN结的导电特性、硅和锗二极管阈值电压和正向导通电压值、温度对二极管特性和参数的影响、常用特种二极管以及倍压整流使用要点。会计算：用等效电路法计算二极管电路参数；单相桥式整流电路、单相桥式整流电容滤波电路的输出电压、输出电流。会画出：单相桥式整流电容滤波电路、二极管限幅电路的输出波形。会确定：选用二极管、滤波电容、变压器所依据的主要参数。会分析：单相桥式整流电容滤波电路中故障原因。会判断：用万用表判断二极管管脚极性和质量好坏。1.1半导体二极管1.1.1PN结1．本

2、征半导体几乎不含杂质的纯净半导体称为本征半导体。目前用于制造半导体器件的材料有硅（Si）、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、磷化铟(InP)等，其中以硅和锗最为常用。1.1半导体二极管1）本征半导体中的两种载流子——电子和空穴在室温下，本征半导体中少数价电子因受热而获得能量，摆脱原子核的束缚，从共价键中挣脱出来，成为自由电子。与此同时，失去价电子的硅或锗原子在该共价键上留下了一个空位，这个空位称为空穴。由于本征硅或锗每产生一个自由电子必然会有一个空穴出现，即电子与空穴成对出现，称为电子空穴对。1.1半导体二极管2）本征半导体的热敏

3、特性和光敏特性本征半导体受热或光照后产生电子空穴对的物理现象称为本征激发。当温度升高或光照增强，本征半导体内原子运动加剧，有较多的电子获得能量成为自由电子，即电子空穴对增多，与此同时，又使复合的机会相应增多，最后达到一个新的相对平衡，这时电子空穴对的数目自然比原先多，所以本征半导体中电子空穴对的数目与温度或光照有密切关系。温度越高或光照越强，本征半导体内载流子数目越多，导电性能越好。1.1半导体二极管2．杂质半导体掺入微量元素的原子称为杂质，掺入杂质的半导体称为杂质半导体。杂质半导体有P型半导体和N型半导体两大类。1.1半导体二极管3．PN结单纯

4、的一块P型半导体或N型半导体，只能作为一个电阻元件，而不能做成所需要的晶体管器件。但是，如果把P型半导体和N型半导体通过一定方法结合起来形成的PN结就具有这种功能。PN结是构成半导体二极管、半导体三极管、晶闸管、集成电路等许多半导体器件的基础。1）PN结的形成在一块完整的本征硅（或锗）片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，在这两种杂质半导体的交界面附近就会形成一个具有特殊性质的薄层，这个特殊的薄层就是PN结。1.1半导体二极管1.1半导体二极管2）PN结的导电特性PN结在不同极性外加电压作用下，流过PN结电流大小是不

5、同的。(１)PN结正向偏置如图1-1-8(a)所示，P区接电源正极，N区接电源负极，这种接法叫正向偏置。（2）PN结反向偏置如图1-1-9所示，P区接电源的负极，N区接电源的正极，这种接法叫反向偏置。1.1半导体二极管1.1半导体二极管1.1.2半导体二极管的结构和符号半导体二极管又称晶体二极管，简称二极管。二极管内部由一个PN结构成，对于分立二极管来说，还应在PN结的两端引出金属电极、外加管壳或用塑料封装。由于功能和用途的不同，二极管的外形各异，几种常见的二极管外形如图1-1-10所示。1.1半导体二极管图1-1-12所示是二极管的符号。二极管

6、有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向，正向电流只能从二极管的阳极流入，阴极流出。二极管的文字符号用D或VD、V表示。1.1半导体二极管1.1.3半导体二极管的伏安特性二极管的主要特性是单向导电。二极管的特性可用伏安特性曲线来描述。1．二极管的伏安特性曲线二极管的种类虽然很多，但它们都具有相似的伏安特性。所谓二极管伏安特性曲线就是流过二极管的电流Ｉ与加在二极管两端电压U之间的关系曲线。图1-1-13所示为硅和锗二极管伏安特性曲线，1.1半导体二极管2．温度对二极管特性的影响二

7、极管的特性对温度很敏感，随着温度升高，二极管正向特性曲线向左移动，反向特性曲线向下移动，如图1-1-14所示。因为温度升高，扩散运动加强，在同一正向电流下所需正向压降下降，所以正向特性向左移动，又因为温度升高，本征激发加强，少数载流子数目增加，在同一反向电压作用下，反向饱和电流增大。由此可知，反向特性向下移动。1.2半导体二极管的等效电路1.2.1理想二极管伏安特性图1-2-1用粗实线表示的是理想二极管伏安特性。由图可知，理想二极管正偏时正向压降为零，相当于开关闭合（即短路），反偏时，反向电流为零，相当于开关断开（即开路）。1.2半导体二极管的等

8、效电路1.2.2二极管固定压降伏安特性图1-2-2为二极管正向的固定压降伏安特性。由图可知，当二极管正向压降超过导通电压UF时，二极管导