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1、《脉冲与数字电路》第三章门电路（张珣）杭州电子科技大学电子信息学院20061、二极管开关特性：特性正向导通反向截止反向击穿VTH硅管:0.7-0.8V锗管：0.3VISSi1μAGe10μAVBR2、理想二极管开关特性应用1〉串联二极管限幅器思考1:若Vi=7Sin(wt)V,则Vo=?思考2:若D反接,则Vo=?2〉并联二极管限幅器3〉二极管钳位电路3、非理想二极管开关特性导通转向截止，由于结电容影响存在反向恢复时间Toff3、非理想二极管开关特性（续）1〉改进电路2〉肖特基二极管特点：开关速度快正向域值小，0.3v4、三极管开关特性(工作状态)截止：
2、Ib=0，Ic=0,Uce=Vcc;放大：IbS>Ib>0,Ic=βIb；Uce=Vcc-IcRc饱和:Ib>IbS，Ic=Vcc/Rc,Uce=04、三极管开关特性（分布电容）5、三极管开关参数接通时间Ton断开时间Toff5、场效应管开关5、场效应管开关（总结）6、二极管门电路门电路结构（RTL,DTL,TTL）1、电阻-晶体管逻辑门(RTL)电路符号特点：采用无源上拉电阻式输出电路，输出高低电平时内阻不同，高电平负载能力差。驱动同类门数目少；传输延迟大，已淘汰。2、二极管-晶体管逻辑门(DTL)电路符号特点：输出高电平时，驱动的同类门输入二极管截止
3、，不影响负载能力。传输延迟也较大，已淘汰。3、晶体管-晶体管逻辑门(TTL)特点：可以提供较大的输出拉电流和灌电流。传输延迟大，功耗大。1>标准TTL门低电平<0.8V高电平〉2V2〉改进型TTL逻辑门特点：延时小<6ns，功耗大。a>低功耗L-TTL:（去掉D1D2,增大电阻阻值）特点：功耗低，传输延迟变长。b>快速型H-TTL:(降低电阻提高速度，采用达林顿输出，降低输出内阻，提高负载能力)2〉改进型TTL逻辑门(续1)c>肖特基(SBD)型门电路（S-TTL）SBD正向压降低（0.3V）,无存储效应，与TTL兼容，具有抗饱和特性，开关速度快。2〉改
4、进型TTL逻辑门(续2)d>低功耗型肖特基门电路（LS-TTL）开关速度较快，功耗低。2〉改进型TTL逻辑门(续3)e>高速型肖特基门电路（AS-TTL,ALS-TTL,F-TTL）开关速度最快，功耗最低。4、TTL逻辑门外部特性和参数1>域值电平：1.0V(LS),1.3V(S),1.5V(F),1.4V（标准）2>关门电平：VOFF=VILMAX=0.8V3>开门电平:VON=VIHMIN=2.0V4>高电平噪声容限：VNH=VOHMIN-VIHMIN5>低电平噪声容限:VNL=VILMAX–VOLMAX6>输入输出特性和参数(p88)VILMAX,
5、VIHMIN,VOLMAX,VOHMINIILMAX,IIHMAX,IOLMAX,IOHMAX4、TTL逻辑门外部特性和参数(续1)7>扇出系数：（反映负载能力强弱）定义：门电路驱动同类门的数目。NOL=IOLmax/IILmaxNOH=IOHmax/IIHmax取最小的作为标称扇出系数No.TTL:No=10LS:No=20F:No=334、TTL逻辑门外部特性和参数（续2）8>其他：工作温度：军品（54系列）–55~+125摄氏度民品（74系列）0~+70摄氏度工作电压：推荐值5V极限值+-0.5功耗：PH=ICCHVCCPL=ICCLVCC平均功耗
6、P=(PL+PH)/25、晶体管-晶体管逻辑门(TTL)结论：1.TTL电路的输入不能为负；2.TTL门电路的输入端在输入低电平时电流高于输入为高电平的电流。标准TTL门:低电平<0.8V,高电平〉2V6、TTL逻辑门外部特性和参数1>域值电平：1.0V(LS),1.4V（标准）2>关门电平：VOFF=VILMAX=0.8V3>开门电平:VON=VIHMIN=2.0V转移特性曲线6、TTL逻辑门外部特性和参数（续1）4>高电平噪声容限：VNH=VOHMIN-VIHMIN5>低电平噪声容限:VNL=VILMAX–VOLMAX6>输入输出特性和参数VILMA
7、X,VIHMIN,VOLMAX,VOHMINIILMAX,IIHMAX,IOLMAX,IOHMAX抗干扰性能6、TTL逻辑门外部特性和参数（续2）输入端接电阻到地时，其当电阻大于700欧姆时，其输入端相当于高电平；输入端可以悬空，悬空时相当于高电平。输入负载特性曲线6、TTL逻辑门外部特性和参数（续3）输出负载特性曲线6、TTL逻辑门外部特性和参数（续4）扇出系数：（反映负载能力强弱）定义：门电路驱动同类门的数目。NOL=IOLmax/IILmaxNOH=IOHmax/IIHmax1、标准输出高电平Vsh=2.4V，典型值Voh=3.2V2、标准输出低电
8、平Vsl=0.4V，典型值Vil=0.3V3、输入短路电流Iis≤1.6mA 4
