片式多层陶瓷电容器

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1、片式多层陶瓷电容器Multi-LayerCeramicChipCapacitor2005年9月8日——内部培训讲座内容提要1.电容的基础知识2.电容的分类及特点3.MLCC的基础知识4.电容在电路中的作用5.MLCC的应用1.电容的基础知识1）概念：能存储电荷的容器。电容器基本模型是一种中间被电介质材料隔开的的双层导体电极所构成的单片器件。这种介质必须是纯绝缘材料。电容器常用的介质材料有空气、天然介质、合成材料。电容器所用陶瓷介质是以钛酸盐为主要成份。通交隔直在充电或放电的过程中，两极板上的电荷有积累过程，或者说

2、极板上的电压有建立过程，因此电容器上的电压不能突变2）电容器两个重要的特性2.电容器的分类及特点1）电容器的分类陶瓷介质类（1、2、3类）有机薄膜类（聚酯PET、聚丙烯PP、聚苯乙烯PS、聚碳酸酯PC、聚2,6萘乙烯酯PEN、聚苯硫醚PPS）电解类：钽、铝电解液、有机半导体络合盐TCNQ、导电聚合物阴极聚吡咯（PPY）聚噻吩（PTN）其他类（云母、云母纸、空气）2）各类电容器的特点MLCC（1类）-微型化、高频化、超低损耗、低ESR、高稳定、高耐压、高绝缘、高可靠、无极性、低容值、低成本、耐高温MLCC（2类）

3、-微型化、高比容、中高压、无极性、高可靠、耐高温、低ESR、低成本钽电解电容器-高容值、低绝缘、有极性、低耐压、高成本铝电解电容器-超高容值、漏电流大、有极性有机薄膜电容器-中容值、高耐压、低损耗、较稳定、无极性、高成本、耐高温性差3.MLCC的基础知识1）MLCC的概念：MLCC(Multi-LayerCeramicChipCapacitor)片式多层陶瓷电容器的英文缩写2）MLCC内部结构示意图3）MLCC制造工艺流程4）陶瓷介质电容器的分类1类陶瓷介质——顺电体，线性温度系数，热稳定型或热补偿型2类陶瓷介质

4、——铁电体，非线性温度特性，高比体积电容，小型化、微型化3类陶瓷介质——阻挡层或晶界层型陶瓷，单层型圆片电容器介质附1）1类瓷的标志代码（ANSI/EIA-198-E）(a)电容量温度系数有效位数（ppm/℃）0.00.30.80.91.01.52.23.34.77.5(b)(a)行有效数字母代码CBLAMPRSTU(c)对(a)行适用的倍数-1.0-10-100-1000-10000+1+10+100+1000+10000(d)(c)行倍数的数字代码0123456789(e)温度系数允许偏差±30±60±120

5、±250±500±1000±2500(f)(e)行允许偏差字符代码GHJKLMN1类陶瓷介质温度系数EIA代码(简码)温度系数及其允许偏差C0G（NP0）0ppm/℃±30ppm/℃R2G(N220)-220ppm/℃±30ppm/℃U2J(N750)-750ppm/℃±120ppm/℃T3K(N4700)-4700ppm/℃±250ppm/℃M7G(P100)+100ppm/℃±30ppm/℃附2：2类瓷的标志代码（ANSI/EIA-198-E）(a)下限类别温度/℃(b)（a）行的字母代码(c)上限类别温度/

6、℃(d)（c）行的数字代码(e)在整个温度范围内ΔC/C极大值%(a)（e）行的字母代码+10-30-55ZYX+45+65+85+105+125+150+2002456789±1.0±1.5±2.2±3.3±4.7±7.5±10.0±15.0±22.0+22/-33+22/-56+22/-82ABCDEFPRSTUV2类陶瓷介质的温度特性X7R:ΔC/C±15%，(-55℃~125℃)X5R:ΔC/C±15%，(-55℃~85℃)Z5U:ΔC/C+22~-56%，(+10℃~+85℃)Y5V:ΔC/C+22~-

7、82%，(-30℃~+85℃)4.电容在电路中的作用滤波耦合去耦旁路谐振时间常数（定时）自举升压电容预加重补偿反馈1.名词解释-滤波并接在电路正负极之间，把电路中无用的交流去掉，一般采用大容量电解电容，也有采用其他固定电容器的。（将整流后的单向脉动电流中的交流分量滤支，使单向脉动电流变成平滑的直流电流。）实例：整流滤波电路（方框图）au1u2u1bD4D2D1D3RLuoSC+–全波整流电容滤波电路2.名词解释-耦合、退耦：耦合：连接于信号源和信号处理电路或两级放大器之前，用以隔断直流电，让交流或脉动信号通过，使

8、相邻的放大器直流工作点互不影响。（广义的理解：信号之间的传递）退耦：并接于电路和正负极之间，可防止电路通过电源内阻形成的正反馈通路而引起的寄生振荡。（消除或减轻两个或两个以上电路间在某方面的相互影响的方法称为退耦。）实例：耦合、退耦电路3.名词解释-旁路电容并接在电阻两端或由某点直接跨接至共用电位为交直流信号中的交流或脉动信号设置一条通路，避免交流成分在通过电阻时产生压降