模电课件第2章半导体二极管及其基本电路

模电课件第2章半导体二极管及其基本电路

ID:37571394

大小:2.52 MB

页数:68页

时间:2019-05-12

模电课件第2章半导体二极管及其基本电路_第1页
模电课件第2章半导体二极管及其基本电路_第2页
模电课件第2章半导体二极管及其基本电路_第3页
模电课件第2章半导体二极管及其基本电路_第4页
模电课件第2章半导体二极管及其基本电路_第5页
资源描述:

《模电课件第2章半导体二极管及其基本电路》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、第二章半导体二极管及其基本电路2.1半导体的基本知识2.2PN结的形成及特性2.3二极管基本电路及其分析方法2.4特殊二极管本章基本教学要求熟练掌握二极管的外特性及主要参数正确理解PN结的单向导电性掌握二极管的大信号和小信号电路模型一般了解半导体的导电机理性本章重点内容半导体二极管的单向导电特性、伏安特性以及主要参数。二极管的应用和二极管电路的分析方法硅稳压二极管的伏安特性、稳压原理及主要电参数。本章难点内容器件内部的物理过程。器件特性的物理概念。2.1半导体的基本知识2.1.1本征半导体及其导电性2.1.2杂质半导体2.1.3半导体的温度特性根据物体导电能力(电阻率)的不

2、同,来划分导体、绝缘体和半导体。半导体的电阻率为10-3~109cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。2.1.1本征半导体及其导电性(1)本征半导体的共价键结构(2)电子空穴对(3)空穴的移动本征半导体——化学成分纯净的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%,常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。(1)本征半导体的共价键结构硅和锗是四价元素,在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有,并为它们所束缚,在空间形成排列有序的晶体。这种结构的立体和

3、平面示意图见图2.1。(2)电子空穴对当导体处于热力学温度0K时,导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时,价电子能量增高,有的价电子可以挣脱原子核的束缚,而参与导电,成为自由电子。自由电子产生的同时,在其原来的共价键中就出现了一个空位,称为空穴。原子的电中性被破坏,呈现出正电性,其正电量与电子的负电量相等。这一现象称为本征激发,也称热激发。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的,称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去,称为复合,如图2.2所示。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。图2.2本征激发和复合的过程(动画2-1)(3)空穴的移动自

4、由电子的定向运动形成电子电流。相邻共价键中的价电子依次充填空穴可视为形成了空穴电流,它们的大小相等方向相反。见图2.3的动画演示。(动画2-2)图2.3空穴在晶格中的移动2.1.2杂质半导体(1)N型半导体(2)P型半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。(1)N型半导体在本征半导体中掺入五价杂质元素,例如磷,可形成N型半导体,也称电子型半导体。因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键,而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子

5、。在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供;空穴是少数载流子,由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子,因此五价杂质原子也称为施主杂质。N型半导体的结构示意图如图2.4所示。图2.4N型半导体结构示意图(2)P型半导体在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓、铟等形成了P型半导体,也称为空穴型半导体。因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时,缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。P型半导体中:空穴是多数载流子,主要由掺杂形成;电子是少数载流子,由热激发形成。空穴很容易俘获电子,使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。P型半导体的

6、结构示意图如图2.5所示。图2.5P型半导体的结构示意图图2.5P型半导体的结构示意图2.1.3杂质对半导体导电性的影响掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响,一些典型的数据如下:T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:n=p=1.4×1010/cm31本征硅的原子浓度:4.96×1022/cm33以上三个浓度基本上依次相差106/cm3。2掺杂后N型半导体中的自由电子浓度:n=5×1016/cm32.2PN结2.2.1PN结的形成2.2.2PN结的单向导电性2.2.3PN结的电容效应2.2.1PN结的形成在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和

7、P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:因浓度差多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区空间电荷区形成内电场内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面,离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称耗尽层。图2.6PN结的形成过程(动画2-3)PN结形成的过程可参阅图2.6。2.2.2PN结的单向导电性如果外加电压使PN结中:P区的电位高于N区的电位,称为加正向电压,简称正偏;PN结具

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。