单电子晶体管的数值模拟及特性分析

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2、的基础上%使用主方程方法%对金属隧道结组成的单电子晶体管进行了/,0和/,0特12性曲线的数值模拟3在单电子晶体管中%电子能否隧穿通过势垒%主要是由电子隧穿引起的系统自由能的变化而决定的3文中从自由能量出发对器件特性进行分析%从而得到电容4电阻以及电压等参数对库仑台阶及电导振荡的影响3当两个结电阻不同时%能够看到明显的库仑台阶现象3具有较大结电阻的隧穿结%电容也较大时可以完善库仑台阶%优化单电子晶体管的曲线3关键词.单电子晶体管5正统理论5主方程方法中图分类号.678(5678’文献标识码.9文章编号.&’’’,

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96、#!$%!为后来单电子器件的数值模拟奠定了基下!由金属隧道结组成的单电子晶体管电路示意图础&’()*+,-./小组通过研究隧道结中的量子散粒如图O所示"%&其中两个隧道结分别具有结电容]O^噪声!提出了用以描述单电子现象的主方程理论"0%&]4和隧道电阻VO^V4&2,和23分别是源漏电压和栅本文旨在研究单电子晶体管的特性!首先在正统理压!]3为栅电容!_为库仑岛&隧穿