入射角对Al0.5Ga0.5As-AlAs分布布拉格反射器反射光谱的影响

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1、万方数据第26卷第5期2006年5月光学报ACTAOPTICASINICAV01．26。No．5May，2006文章编号：0253—2239(2006)05—0752—5入射角对AI呲Ga呲As．AlAs分布布拉格反射器反射光谱的影响*郑树文范广涵李述体雷勇黄琨(华南师范大学光电子材料与技术研究所，广州510631)摘要：采用传输矩阵法对A1。Gao．。As—AlAs材料的发光二极管分布布拉格反射器进行入射角的反射光谱研究，计算发现反射偏振光P和s随入射角的增大呈“V”形变化，在49。8。处有最小反射值。不同入射介质[以空气和限制层(AI。Ga。

2、。)。Ino．。P材料]下的反射光谱受入射角的影响差异很大，其中入射角对空气入射介质的反射谱影响较小，由o。入射的反射率88．13％降至45。的84．94％，反射峰值波长蓝移仅10nm；但入射角对(A1”Ga。)。sIno。P入射介质的反射谱影响很大，仅从o。到45。入射，反射率降幅就超过45％，反射峰值波长蓝移超过127rim。为了减缓这种影响，提出了多波长布拉格反射器结构设计。计算表明多波长分布布拉格反射器在0。～45。的入射角内比传统的分布布拉格反射器有更好的光谱特性，这对提高发光二极管的出光效率有现实意义。关键词：光电子学；分布布拉格反射

3、器；传输矩阵法；AI”GaosAs—AlAs；入射角中图分类号：TN248；TN209文献标识码：AResearchonReflectionSpectrumofAlo．5Gao．5As-AlAsDistributedBraggReflectoratDifferentIncidenceAnglesZhengShuwenFanGuanghanLiShutiLeiYongHuangKun(InstituteofOpto-ElectronicMaterialsandTechnology，SouthChinaNormalUniversity，Guangzh

4、ou510631)Abstract：ThereflectionspectraofAIo5Gao5As—AlAsdistributedBraggreflector(DBR)atdifferentincidentanglearecalculatedbytransfermatrixmethod．ThereflectionspectracurveofP—polarizedands-polarizedplanewavesvarywitha‘V’shapewiththeriseoftheincidentangleandthelowestreflectivit

5、yisat49．8。．Thereflectionspectraofdifferentincidentmedia[-airandA107Ga03)o5In05P]aregreatlydifferentatdifferentincidentangles．ThechangeofthereflectionspectrumfromairtoDBRissmall。thereflectivityis88．13％atincidentangle0。aswellas84．98％at45。，andthepeakwavelengthofreflectionspectru

6、misblue—shiftedabout10nm．Butthechangeofreflectionspectrumoffrom(A10．7Gao3)o5Ino．5PtoDBRisgreat，thereflectivitydecreasesover45％andthepeakwavelengthisblue—shiftedover127nmfromincidentangle0。to45。．Inordertoreducethechanges，anewmulti—wavelengthDBRdesignisbroughtforward．Thetheoret

7、icalresultshowsthereflectancespectrumofmulti—wavelengthDBRdesignisbetterthanthatoftheconventionalDBRdesign，whichisimportanttoenhancelightextractionfromLED．Keywords：optoelectronics；distributedBraggreflector；transfermatrixmethod；A10．5Gao5As—AlAs；incidenceangle1引言近几年，超高亮度发光二极管(H

8、B—LED)由于具有功耗低、亮度高、寿命长和发光效率高等优点，已广泛应用于照明和信息显示等领域。对于四元系的A1GaInP材料因为具有相