引线式发光二极管

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1、Q/MLS002—2006引线式发光二极管1范围本标准规定了引线式发光二极管的品种规格、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、贮存、运输等。本标准适用于全部镀银、局部镀银和银锡复合的引线式发光二极管的电镀、封装生产制造。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB5926轻工产品金属镀层和化学处理层的外观质量测试方法GB5270金属基体上

2、的金属覆盖层附着强度试验方法GB5931轻工产品金属镀层和化学处理层的厚度测试方法GB5935金属镀层的孔隙率测试方法GB／T6464金属和其它无机覆盖层静置户外曝晒腐蚀试验一般规则。GB11378金属覆盖层厚度轮廓尺寸测量方法GB3977颜色的表示方法GB4728电气图形用图形符号GB11499半导体分立器件文字符号GB/T15651半导体器件分立器件和集成电器光电子器件GB／T2828.1计数抽样检验程序GBl90危险货物包装标志GBl91包装储运图示标志GB6388运输包装收发货标志SJ／T11111银和银合金的试验方法、第一部分镀层厚度测定SJ2355.1～S

3、J2355.7半导体发光器件测试方法SJ2658半导体红外发光二极管测试方法SJ20788半导体二极管热阻抗测试方法GB249-89半导体分立器件型号命名方法IEC-747SemiconductoucevicesPart5:OptoelectronicdevicesCIE-127MeasurenentofLEDs3术语和定义下列术语和定义适用于本标准。3.1发光二极管除半导体激光器外，当电流激励时能发射光学辐射的半导体二极管。严格地讲，术语LED应该仅应用予发射可见光的二极管；发射近红外辐射的二极管叫红外发光二极管(IRED，InfraredEmittingDiode

4、)：发射峰值波长在可见光短波限附近，由部份紫外辐射的二极管称为紫外发光二极管；但是习惯上把上述三种半导体二极管统称为发光二极管。1Q/MLS002—20063.2正向电压VFForwardvoltage通过发光二极管的正向电流为确定值时，在两极间产生的电压降。3.3反向电流IRReversecurrent加在发光二极管两端的反向电压为确定值时，流过发光二极管的电流。3.4反向电压VRReversevoltage检测LED器件通过的反向电流为确定值时，在两极间所产生的电压降。3.5发光强度光强用字母Iv表示，当芯片的PN结流过规定的正向电流时在单位立体角内所发出的光通量

5、称为发光强度，简称为光强。其单位为mcd。3.6反向漏电反向漏电用字母Ir表示，当施加一定的反向电压时，流过芯片PN结间的电流称为反向泄漏电流，其单位为µA。4要求4．1引线框架4.1.1型号标记LED□□□□□□镀银类型（全镀不标，局部镀标局，镀锡复合标银锡）框架特征（平头或杯）系列序号（2002、2003、2004）框架类型4.1.2形状尺寸见附录A。4.1.3基材+0.01mm引线框架为低碳钢带（SPCC-SB0.5-0.03mm）。4.1.4镀层厚度及长度4.1.4.1全部镀银铜镀层厚度不小于0.5µm；镍镀层厚度不小于2.0µm；引线框架头部镀银厚度不小于2

6、.0µm；引线框架引线镀银厚度不小于1.0µm；工艺边镀层厚度不作规定。4.1.4.2局部镀银和银锡复合铜镀层厚度不小于0.5µm；头部镍镀层不小于2.0µm；头部银镀层不小于2.0µm；引线锡镀层厚度不小于4.0µm；工艺边不作要求，银镀层长度不小于4.0mm(从头部到中筋)，镀锡层长度不宜超过中筋(从中筋到头部)3.0mm。4.1.5颜色4.1.5.1镀银引线框架头部和引线表面洁白均匀，呈半光亮，不允许发黄、发花、呈淡黄色或发雾。4.1.5.2银锡复合引线框架头部和引线表面有金属光泽，引线颜色均匀，白色或略发蓝，呈半光亮，不允许烧焦发黑、发黄、发花、发灰或颜色不一

7、致。4.1.6镀层表面结晶细致，均匀光滑，不允许有针孔麻点、结核、划伤、锈迹、凹坑、凸峰、起皮、起泡等缺陷。4.1.7镀层韧性弯曲无脆声，90度弯曲试验4次无起皮现象。4.1.8耐高温4.1.8.1全镀银或局部镀银引线框架，在温度为250℃±5℃烘箱内，烘烤60±2分钟，框架头部和引2Q/MLS002—2006线镀银表面颜色不发黄，无脱皮、起泡现象。4.1.8.2银锡复合引线框架在恒温160℃±3℃烘箱内烘烤4小时后取出，框架头部银镀层颜色不发黄、无脱皮、起泡生锈、黄斑等现象，引线部锡镀层发青或微蓝；6小时后取出，框架表面颜色同4小时烘烤后一致。4.