开关稳压电源(E题)设计报告_国赛一等奖_大学生电子设计竞赛

开关稳压电源(E题)设计报告_国赛一等奖_大学生电子设计竞赛

ID:37761440

大小:436.00 KB

页数:10页

时间:2019-05-30

开关稳压电源(E题)设计报告_国赛一等奖_大学生电子设计竞赛_第1页
开关稳压电源(E题)设计报告_国赛一等奖_大学生电子设计竞赛_第2页
开关稳压电源(E题)设计报告_国赛一等奖_大学生电子设计竞赛_第3页
开关稳压电源(E题)设计报告_国赛一等奖_大学生电子设计竞赛_第4页
开关稳压电源(E题)设计报告_国赛一等奖_大学生电子设计竞赛_第5页
资源描述:

《开关稳压电源(E题)设计报告_国赛一等奖_大学生电子设计竞赛》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、开关稳压电源(E题)摘要本系统以Boost升压斩波电路为核心,以MSP430单片机为主控制器和PWM信号发生器,根据反馈信号对PWM信号做出调整,进行可靠的闭环控制,从而实现稳压输出。系统输出直流电压30V~36V可调,可以通过键盘设定和步进调整,最大输出电流达到2A,电压调整率和负载调整率低,DC-DC变换器的效率达到93.97%。能对输入电压、输出电压和输出电流进行测量和显示。系统特色:1)输出电压反馈采用“同步采样”方式,能有效避免电压尖峰对信号检测的影响。2)采用多种有效措施降低系统的电磁干扰(EMI),增强电磁兼

2、容性(EMC)。3)具有完善、可靠的保护功能,如:过流保护、反接保护、欠压保护、过温保护、防开机“浪涌”电流保护等,保证了系统的可靠性。1方案论证1.1DC-DC主回路拓扑方案一间接直流变流电路:结构如图1-1所示,可以实现输出端与输入端的隔离,适合于输入电压与输出电压之比远小于或远大于1的情形,但由于采用多次变换,电路中的损耗较大,效率较低,而且结构较为复杂。图1-1间接直流变流电路方案二Boost升压斩波电路:拓扑结构如图1-2所示。开关的开通和关断受外部PWM信号控制,电感L将交替地存储和释放能量,电感L储能后使电压

3、泵升,而电容C可将输出电压保持住,输出电压与输入电压的关系为UO=(ton+toff),通过改变PWM控制信号的占空比可以相应实现输出电压的变化。该电路采取直接直流变流的方式实现升压,电路结构较为简单,损耗较小,效率较高。图1-2Boost升压斩波电路拓扑结构综合比较,我们选择方案二。1.2控制方法及实现方案方案一利用PWM专用芯片产生PWM控制信号。此法较易实现,工作较稳定,但不易实现输出电压的键盘设定和步进调整。方案二利用单片机产生PWM控制信号。让单片机根据反馈信号对PWM信号做出相应调整以实现稳压输出。这种方案实现

4、起来较为灵活,可以通过调试针对本身系统做出配套的优化。但是系统调试比较复杂。10在这里我们选择方案二。1.3系统总体框图图1-3系统总体框图1.4提高效率的方法及实现方案1)Boost升压斩波电路中开关管的选取:电力晶体管(GTR)耐压高、工作频率较低、开关损耗大;电力场效应管(PowerMOSFET)开关损耗小、工作频率较高。从工作频率和降低损耗的角度考虑,选择电力场效应管作为开关管。2)选择合适的开关工作频率:为降低开关损耗,应尽量降低工作频率;为避免产生噪声,工作频率不应在音频内。综合考虑后,我们把开关频率设定为20

5、kHz。3)Boost升压电路中二极管的选取:开关电源对于二极管的开关速度要求较高,可从快速恢复二极管和肖特基二极管中加以选择。与快速恢复二极管相比,肖特基二极管具有正向压降很小、恢复时间更短的优点,但反向耐压较低,多用于低压场合。考虑到降低损耗和低压应用的实际,选择肖特基二极管。4)控制电路及保护电路的措施:控制电路采取超低功耗单片机MSP430,其工作电流仅280μA;显示采取低功耗LCD;控制及保护电路的电源采取了降低功耗的方式,具体实现见附录图2,单片机由低功耗稳压芯片HT7133单独供电。1电路设计与参数计算2.

6、1Boost升压电路器件的选择及参数计算Boost升压电路包括驱动电路和Boost升压基本电路,如图2-1所示。图2-1Boost升压电路(a)PWM驱动电路(b)Boost升压基本电路2.1.1开关场效应管的选择选择导通电阻小的IRF540作为开关管,其导通电阻仅为77mΩ(VGS=10V,ID=17A)。IRF540击穿电压VDSS为55V,漏极电流最大值为28A(VGS=10V,25°C),允许最大管耗PCM可达50W,完全满足电路要求。102.1.1PWM驱动电路器件的选择单片机I/O口输出电压较低、驱动能力不强,

7、我们使用专用驱动芯片IR2302。其导通上升时间和关断下降时间分别为130ns和50ns,可以实现电力场效应管的高速开通和关断。IR2302还具有欠压保护功能。2.1.2肖特基二极管的选择选择ESAD85M-009型肖特基二极管,其导通压降小,通过1A电流时仅为0.35V,并且恢复时间短。实际使用时为降低导通压降将两个肖特基二极管并联。2.1.3电感的参数计算1)电感值的计算:其中,m是脉动电流与平均电流之比取为0.25,开关频率f=20kHz,输出电压为36V时,LB=527.48μH,取530μH。2)电感线径的计算:

8、最大电流IL为2.5A,电流密度J取4A/mm2,线径为d,则由得d=0.892mm,工作频率为20kHz,需考虑趋肤效应,制作中采取多线并绕方式,既不过流使用,又避免了趋肤效应导致漆包线有效面积的减小。2.1.4电容的参数计算其中,ΔUO为负载电压变化量,取20mV,f=20kHz,UO=36V时,C

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。