TTL与COMSE的区别与比较

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1、TTLTTL集成电路的全名是晶体管-晶体管逻辑集成电路（Transistor-TransistorLogic),TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。单片机使用的是TTL电路，请记住，单片机上电和复位所有的引脚输出的都是高平，这一点请注意，所以根据发光二极管的导通特性，如果一端接5V电平，那么要让P2.0口输出低电压才能发光，如果是接地，那么一上电，发光二极管就会亮，两种接法的区别在于：前者的驱动能力大

2、，使发光二极管的亮度加强，不至后者那么微弱，因为单片机输出的功率不是很大，单片机因采用TTL电路，输出的高代电平相对来说固定，要么是5V，要么是0V。优势：TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。缺点：TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这

3、是由于可靠性和成本两面的原因。因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响；另外对于并行数据传输，电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。CMOSECOMS集成电路是互补对称金属氧化物半导体（Compiementarysymmetrymetaloxidesemicoductor）集成电路的英文缩写，电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的，静态功耗很小。COMS电路的供电电压VDD范围比较广在+5--+15V均能正常工作，电压波动允许±10，当输出电压高于VDD-0.5V时为逻辑1，输出电压低于

4、VSS+0.5V(VSS为数字地)为逻辑0，扇出数为10--20个COMS门电路TTL电平与CMOS电平的区别：(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4VCMOS电平Vcc可达到12VCMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。TTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。用TTL电平他们就可以兼容(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是

5、12V。5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。电平转换电路：因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl5v<＝＝>cmos3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压。(三)TTL电平标准输出L：<0.8V；H：>2.4V。输入L：<1.2V；H：>2.0VTTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。CMOS电平：输出L：<0.1*Vcc；H：>0.9*Vcc。输入L：<0.3*Vcc；H：>0.7*Vcc。TTL和COMS电路比较：1

6、）TTL电路是电流控制器件，而CMOSE电路是电压控制器件。2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。