镁合金电镀锌前处理工艺

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1、万方数据2008，V01．36，N08轻合金加工技术LAFr35镁合金电镀锌前处理工艺刘胜新，陈永，关绍康，李玉磊，孙雪竹(郑州大学材料科学与工程学院。河南郑州450002}摘要：通过组织分析和性能检测研究了AZ31镁合金表面电镀锌的前处理工艺。结果表明：按活化、一次浸锌、退镀、二次浸锌的工艺，得到了均匀致密的浸锌层，其裸露的单质锌作为形核核心，促进了后续电镀。得到的镀锌层平整致密、外形美观，与基体结合力强，有效地提高了镁合金表面装饰性、抗腐蚀性和显微硬度。关键词：镁合金；镀锌；前处理中图分类号：TGl

2、46．22；'I'13174．441文献标识码：A文章编号：1007—7235(2008)08—0035—03ResearchonpretreatmentprocessofelectrogalvanizingformagnesiumalloyLIUSheng—xin，CHENYong，GUANShao—kang，LIYu-lei，SUNXue—zhu(SchoolofMaterialsScienceandEl咖哑，刁瑚l咖University，乃嘲咖450002，China)Abstract：Thepr

3、etreatmentprocessofelectrogalvanizingforAZ31magnesiumalloywaginvestigatedbymicrostmctureanaly幽andpropertiestest．TheuniformanddensezinccoatOllAZ31magnesiumalloyisobtainedwhenthepretreatmentincludingactivation，zincdipping，deplafing，twi·zincdippingwasadopte

4、dbeforeelectrogalvanizing．Thesubsequemelectrogalvanizingforthealloyispromotedafterthepretreatment．becausetheelementalzincdelx'sitedduringthepretreaOnentonthesurfaceofthealloycanacta,scrystalnucleusforzincplating．ThezinccoalwitheVell．denseandgoodbonds吨ngt

5、hc卸effectivelyimprovesthecorrosionresist-ingandmicrohardil嘲oftheA7_31magnesiumauoy．Keywords：magnesiumalloy；electrogalvanizing；pretreatment镁合金具有密度小、伸长率高、减震性强、屏蔽性好、易加工、可回收利用以及可焊接性、尺寸稳定性高等优点，广泛应用于多个领域，是当前材料研究的热点¨。J。镁合金的化学活性高，在空气中能自然形成耐腐蚀性很差的碱性碳酸盐膜，必须进行适当的表面

6、处理才具有使用价值。目前，国内外普遍采用化学镀和电镀等措施进行腐蚀防护，可显著提高其防护性和装饰性【4—0

7、。电镀锌以其操作简单、价格低廉、普适性强等优点成为最广泛应用的表面处理方法。研究表明⋯一引，合理的前处理工艺对镁合金电镀锌的镀层质量具有很大的影响。本文在前期研究的基础上【l4

8、，分析探讨了前处理工艺对镁合金电镀锌综合质量的影响，优化出一种简单高效的电镀锌前处理工艺，为工业生产提供了科学依据。1试验方法1．1试验材料及工艺流程试验材料为AZ31镁合金，按试样制备一前处理一电镀锌一后处理一组织观察分

9、析及性能检测的工艺流程进行试验。1．2前处理及后处理前处理工艺为：超声波丙酮除油一水洗一化学除油一水洗一活化一水洗一初次浸锌一退镀一二次浸锌。化学除油规范：NaOH的质量浓度10s／L。20g／L；Na2C03的质量浓度40g／L～50g／L；Na3P04的质量浓度20g／L一30g／L；温度70。C一85℃，处理时间2min～5min。收稿日期：2008—04—20基金项目：中国博士后基金项目(20070410875)；郑州市科技攻关项目(063SGZG23104)。第一作者简介：刘胜新(1968一)

10、，女，河北藁城人，教授。万方数据36LAFr轻合金加工技术2008，V01．36，N08活化规范：HaPO,(85％)180mL／L一230mL／L，NI-I,HF2的质量浓度80g／L～100g／L；温度30。C～80℃，处理时间2min一3min。浸锌规范：ZnS04的质量浓度280g／L一320g／L，NaoH的质量浓度17g／L～22g／L，NaN03的质量浓度0．8g／L一1．2g／L．KNaC,I-I,06的质量浓度18g／L～