线性电子电路资料

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1、1在本征半导体中:自由电子和空穴总是成对出现的,温度是半导体的一个重要因素,温度升高电电流增大,电压减小,B增大。二极管的其U—I正向曲线向左移,反向则向下移。2半导体载流子运动可分为漂移运动和扩散运动,空间电荷就是耗尽层,3扩散运动形的电场称为内电场,阻碍多数载流子的扩散运动,有利于少数载流子的漂移运动,称为PN结。4外加正向电压使空间电荷变窄,内电场减小,反之称为反向电压。5PN结的电容效应是PN的基本特征,包括势垒电容和扩散电容。6硅的降为0、5伏,锗为0、2。7二极管的反击可分为雪崩击和齐纳击穿。8稳压管的稳压工作用于很大的电流变化,却只引起很小的电压变化。有非线性的特点。9FET按结

2、构分为:结形场效应管和绝缘形栅金属氧化物半导体10当电压UGS=0时,没有导电沟道称为E型,E型只有加上一定的电压才能形成导电沟道,称为增强型,当UGS=0时存在导电沟道的称为D型。是电压控制电,能常把形成沟道时的电压称为开启电压UT,N沟道E形MOS管为正,P沟道为负。11N沟道D形MOSFET和N沟道结型FET的UP大于0。P沟道D和P沟道结型FET为负。12N沟道E型MOSFET的UT(开启电压)大于是零,P沟道E型小于零,13FET是利用电场效应来改变内部导电沟道,从而控制漏极电流,14BJT的输出特性包括饱和、工作、载止区。FET包括可变电阻、饱和、载止区。称为有源器件。15增益是放

3、大电路最基本特征。输入电阻是向从信号索取电流大小的能力。输出电阻越小越好,说明带负载能力愈强。16Q点过向BJT会进入饱和区、Q点过低会进入载止区,在这两个区IC不等于B倍IB从而产生了非线失真,17在发射极接的电阻是:当静态电流IE通过它时产生直流压降,18电流源的主要特点是:直流电阻小,交流内阻大。在模拟电路中主要用作负载和偏置电路。理想时为无穷大,电流不随电压变化,电流源的交流内阻很大。19电流镜是一种电流控制受制电流源,具有跟随性,20共集放大电路具有输入阻抗高,输出阻抗低。有电流放大能力的特点。21差分电路对温漂的抑抑制能力也就是对其共模信号的抑制能力。22级与级之间的连接称为耦合,

4、常用的耦方式有:阻容、直接、变压器三种。23共射-共射组态相同的特点:1输入阻抗大,其值与共射组态相同,2电压增益等于1,因此采用它不但可以扩大放大电路的带宽而且能改善高频响应特性,24共集-共基的特点:组合放大电路的增益、输入电阻并不是很高,但高频响应特性好,25消除交越失真。共射电路又称为反相电压放大器,共集又称电压跟随器,共基又称电流跟随器,共源又称反相电压放大器,共漏电路又称电压跟随器,26MOS集成电路主要有NMOS和CMOS两类。27集成运放的主要参数:差模参数分为三类:开环差模电压增益AUO,2差模输入电阻和输出电阻,3最大差模输入电压,2输入失调参数人五点,输入失调电压,输入失

5、调电压温漂,输入失调电流。28理想运放的特性:开环差模电压增益无穷大,输入电阻无穷大,带宽无限大,共模抑抑制比无穷大,输出电阻无穷大。输入失调电压电流都为零。30在断虚短的前提下:即运算放大器应工作在线性区且为深度负反馈。1C语言的上机步骤:编辑、编译、连接、运行,2数据类型:1基本类型,整型的范围的类型—32768~32767、实型分为单精度float和双精度double、8个字节,字符型。3十进进制以非零开头,八进制以零开头0~7组成,十六进制以0X进头,4字符常量是以单引号括起的,字符串是以双引号括起的,在其尾部追加一个转义字符\0;5转义字符表:\0表是空操作字符表示字符结束,\n表是

6、换行,\t表示横向到下一格,\v纵向到下一行,\b左退一格,6程序中用#define命令定义了符号常数用大写字表示,7++A表示先加再乘,A++表示先乘加,8:C语言分为五大类:表达式语句,函数调用语句,复合语句,空语句和控制语句,9:C语言的控制语句表:if()~else~条件语句,for()~循环语句,while()~循环语句do~while()循环语句,switch多分支选择语句,goto转向语句continue结束本次循环,break中断,return返回语句,10输出语句的输出表列不允许有语句,11格式输出函数printf由双引号格式说明、按原样输出的字符,12%d以十进的实际长度,

7、%f以小数形式输出、双精度,输出六位小数,%c以字符形式输出一个单精度,%s以字符串形式输出若干个字符,%表示输出%号本身,13带符号数是以机器数的被码形式存储和运算的。最高位表示符号。14输出格式的选择:+表示向右靠,—表示向左靠,0表示不用位置填零,无零时不用位置填空格,15格式输入函数scanf(“输入格式”,变量地址表列,)连用时如果有“回车”,则下面要一个空格来抵消,16%后的“*”格式

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