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1、运放的偏置电压，偏置电流运放是集成在一个芯片上的晶体管放大器,偏置电流biascurrent就是第一级放大器输入晶体管的基极直流电流.这个电流保证放大器工作在线性范围,为放大器提供直流工作点.因为运算放大器要求尽可能宽的共模输入电压范围,而且都是直接耦合的,不可能在芯片上集成提供偏置电流的电流源.所以都设计成基极开路的,由外电路提供电流.因为第一级偏置电流的数值都很小,uA到nA数量级,所以一般运算电路的输入电阻和反馈电阻就可以提供这个电流了.而运放的偏置电流值也限制了输入电阻和反馈电阻数值不可以过大,使其在电阻上的压降与运算电压可
2、比而影响了运算精度.或者不能提供足够的偏置电流,使放大器不能稳定的工作在线性范围.如果设计要求一定要用大数值的反馈电阻和输入电阻,可以考虑用J-FET输入的运放.因为J-FET是电压控制器件,其输入偏置电流参数是指输入PN结的反向漏电流,数值应在pA数量级.同样是电压控制的还有MOSFET器件,可以提供更小的输入漏电流. 另外一个有关的运放参数是输入失调电流offsetcurrent,是指两个差分输入端偏置电流的误差,在设计电路中也应考虑.p=ui=Cu(du/dt),i=(dq/dt)=c*(du/dt)中的d表示微分，du/d
3、t是表示电压u对时t的微分，可以理解为时间“微小”变化时，电压的“微小”的变化量。由于流过电容器的电流与其两端的电压有关。且电容器充放电时，其两端的电压是不断变化的。所以，流过电容器的电流等于单位时间（微小）内电容器两端累积的电荷q的变化量，表示为i=(dq/dt)。而且电容器两端累积的电荷q的变化量又反应了其两端的电压变化量：q=Cdu。因此有：i=(dq/dt)=c*(du/dt)。不是你说的那个意思。晶体三极管的结构中有两个PN结，发射极与基极之间是一个PN结，叫做发射结（注意，不是发射极），集电极与基极之间是一个PN结，叫做
4、集电结（注意，不是集电极）。所谓正偏，反偏都是针对这两个PN结——发射结和集电结而言的。每个PN结都相当于一个晶体二极管，所谓正偏，就是外加电压使这个“晶体二极管”（发射结或集电结）处于导通状态。如果外加电压使这些结处于截止状态，就叫反偏。晶体三极管有三种工作状态：截止、放大和饱合。截止：发射结和集电结都处于反偏状态。放大：发射结处于正偏、集电结处于反偏状态。饱合：发射结和集电结都处于正偏状态。你的附图中，如果开关SW接通后，晶体三极管的发射结是处于正偏状态的。对于PNP型晶体三极管：基极电位低于发射极电位，则发射结正偏。反之则是反
5、偏。基极电位低于集电极电位，则集电结正偏，反之则是反偏。对于NPN型晶体三极管：基极电位高于发射极电位，则发射结正偏。反之则是反偏。基极电位高于集电极电位，则集电结正偏，反之则是反偏。压力变送器选型介绍 1、变送器要测量什么样的压力：先确定系统中要确认测量压力的最大值，一般而言，需要选择一个具有比最大值还要大1.5倍左右的压力量程的变送器。这主要是在许多系统中，尤其是水压测量和加工处理中，有峰值和持续不规则的上下波动，这种瞬间的峰值能破坏压力传感器，持续的高压力值或稍微超出变送器的标定最大值会缩短传感器的寿命，然而，由于这样做会精
6、度下降。于是，可以用一个缓冲器来降低压力毛刺，但这样会降低传感器的响应速度。所以在选择变送器时，要充分考虑压力范围，精度与其稳定性。 2、什么样的压力介质：我们要考虑的是压力变送器所测量的介质,黏性液体、泥浆会堵上压力接口，溶剂或有腐蚀性的物质会不会破坏变送吕中与这些介质直接接触的材料。以上这些因素将决定是否选择直接的隔离膜及直接与介质接触的材料。一般的压力变送器的接触介质部分的材质采用的是316不锈钢,如果你的介质对316不锈钢没有腐蚀性,那么基本上所有的压力变送器都适合你对介质压力的测量.如果你的介质对316不锈钢有腐蚀性，
7、那么我们就要采用化学密封,这样不但起到可以测量介质的压力,也可以有效的阻止介质与压力变送器的接液部分的接触,从而起到保护压力变送器,延长了压力变送器的寿命. 3、变送器需要多大的精度：决定精度的有，非线性，迟滞性，机电商务网非重复性，温度、零点偏置刻度，温度的影响。但主要由非线性，迟滞性，非重复性，精度越高，价格也就越高。每一种电子式的测量计都会有精度误差的,但是由于各个国家所标的精度等级是不一样的,比如,中国和美国等国家标的精度是传感器在线性度最好的部分,也就是我们通常所说的测量范围的10%到90%之间的精度;而欧洲标的精度则是
8、线性度最不好的部分,也就是我们通常所说的测量反的0到10%以及90%到100%之间的精度.如欧洲标的精度为1%,则在中国标的精度就为0.5%. 4、变送器的温度范围：通常一个变送器会标定两个温度范围，即正常操作的温度范围和温度可补
