PDP扫描驱动芯片用横向高压SOI-LIGBT优化设计 (1)

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1、隶．轫大·粤硕士学位论文PDP扫描驱动芯片用横向高压SoI．LIGBT优化设计1删燃Y1761349THEOPTIMIZATIONOFHIGHVOIJAGESOI—LIGBTDEVICESUSED烈PDPSCANDIUVERICAThesisSubmittedtoSoutheastUniVersityFortheAcademicDegreeofMasterofEngineeringBYCHENYUe—zhengSupervisedbyProfessorLUSheng—liSchoolofElectronicScienceandEngilleeringSoumeastUniVersityM

2、arch2010东南大学学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得东南大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。研究生签名：重亟趑日期：．如护弓．23东南大学学位论文使用授权声明东南大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆有权保留本人所送交学位论文的复印件和电子文档，可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。

3、除在保密期内的保密论文外，允许论文被查阅和借阅，可以公布(包括以电子信息形式干0登)论文的全部内容或中、英文摘要等部分内容。论文的公布(包括以电子信息形式刊登)授权东南大学研究生院办理。研究生签名：至盎必师签名：摘要绝缘体上硅(SilicononInsulator，SOI)横向绝缘栅双极型晶体管(Laterallnsula：tedGateBipolarTr锄sistor．LIGBT)具有耐压高、驱动电流能力强、开关速度快和功率损耗低等优点，已在等离子显示器(Pl舔maDisplayP卸el，PDP)扫描驱动芯片上逐渐得到应用，并有取代目前已经广泛应用的横向双扩散场效应晶体管(Latera

4、lDouble．di何诋edMOsFET'LDMOS)的趋势，SOI．LlGBT的应用可以提高芯片性能，降低芯片成本，增强产品的市场竞争力。本文旨在优化设计出能够应用于PDP扫描驱动芯片，并且可以取代现有高压LDMOS的高压SOI．LlGBT。首先，分析比较S01．LIGBT各种改进结构的优缺点，进而结合现有实际工艺能力，确定本文SOI．LIGBT的基本器件结构。其次，采用器件工艺模拟软件TSuPREM．4和电学特性仿真软件MEDICl主要针对SOI．LlGBT的Sol层、埋氧层、p型体区、漏端n型缓冲层、栅极和漏极场板等器件结构和工艺参数进行优化设计，并确定最佳参数值。最后，基于无锡华

5、润上华标准的O．5岬CDMOs工艺，开发出集成SOI．LlGBT高压器件的高低压兼容工艺，并运用cadence软件完成器件版图设计工作。经流片测试，S01．LlGBT主要特性为：击穿电压185V，开态饱和电流2x104～¨m以上，阈值电压0．83v，导通电阻56mQ·cm2，完全符合PDP扫描驱动芯片正常工作要求，达到本文设计预期目标。关键词：PDP，高压S01．LIGBT，高压功率集成电路，SOl层，埋氧层Abs仃actAbstractlnordert0improVechipperfb咖锄ce，reducechipcosts锄derlll锄cethecompetitiVenessofp

6、roductsinmemarket，Silicononinsulato卜laterali璐ulatedgatebipol甜栅lsiStor(SOI．LlGBT)，whichh舔lotsofadVantages，such销：highbreal(do、vTlVoltage，strong“Villgcu订．entc印abili坝faStswitchingspeed锄d10wpowercons啪ptionandsoon，h弱beengrad删lyappliedt0pl嬲madisplaypanel(PDP)scandriVerIC，andgraduallyreplacesLateralDoubl

7、e-dimlsedMOSFET(LDMOS)whichalsoh舔beenwidelyused．ThisworkaimstooptimizetlledesignofSOI-LlGBTforPDPsc锄driverIC锄dreplacestlleexist-inghi曲一V01tageLDMOS．Firstofall，锄alysis锄dcomparisonwillbeca盯iedoutforseVemlkindsofim-proVed