晶体管及基本放大电路

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1、第二章晶体管及放大电路基本内容半导体晶体管共射极基本放大电路放大电路的基本分析方法放大电路的频率特性基本要求1.理解并掌握晶体管的外部特性（3个区）、判断晶体管的类型和极性。2.掌握各种放大电路的特点和分析方法。3.了解放大电路的频率特性。1第二章晶体管及基本放大电路2.1半导体晶体管要求:理解晶体管的放大原理掌握晶体管的三个状态特点掌握组成放大电路的外部条件掌握晶体管的电流关系2第二章晶体管及基本放大电路/2.1半导体晶体管一.基本结构与分类1.内部结构符号3第二章晶体管及基本放大电路/2.1半导体晶体管/基本结构与分类1）按材料分2）按结构分3）按频率分4）按功率分高频管

2、低频管硅管锗管NPN型PNP型大功率管小功率管对应型号3A（锗PNP）3B（锗NPN）3C（硅PNP）3D（硅NPN）2.分类4第二章晶体管及基本放大电路/2.1半导体晶体管/基本结构与分类放大器一般为4端网络，根据公共端的不同，晶体管有三种连接方式ICIEIEICIBICIBICIB（共发射极）（共集电射极）（共基射极）二.晶体管的连接方式5第二章晶体管及基本放大电路/2.1半导体晶体管（一）三个区的特点1)发射区是掺杂质比集电区掺杂多的N型半导体，电子浓度很大；2）基区很薄，为掺杂质很少的P型半导体。3）集电极面积大，保证尽可能收集到发射区发射的电子。（二）载流子运动规律

3、及电流分配关系当一个NPN型的晶体管接成共射极接法的放大电路时：发射结正向偏置集电结反向偏置T放大作用的内部条件T放大作用的外部条件三.晶体管的放大作用6第二章晶体管及基本放大电路/2.1半导体晶体管/晶体管的放大作用晶体管共射极接法的放大电路图7第二章晶体管及基本放大电路/2.1半导体晶体管/晶体管的放大作用1.载流子运动规律(a)载流子运动(b)电流分配8第二章晶体管及基本放大电路/2.1半导体晶体管/晶体管的放大作用2.电流关系1）据KCL定律有：2）共射极晶体管的电流放大倍数：晶体管的电流关系体现了电流放大作用，故称晶体管为电流控制型元件。因电流中有两种载流子的运动，

4、所以又称为双极型晶体管。9第二章晶体管及基本放大电路/2.1半导体晶体管/晶体管的放大作用1.输入特性曲线集一射极电压UCE为常数时，输入电路(基极电路)中基极电流IB与基—射极电压UBE之间的关系曲线，即IB=f(UBE)

5、UCE=常数四.特性曲线3DG6的输入特性10第二章晶体管及基本放大电路/2.1半导体晶体管/特性曲线2.输出特性曲线当基极电流IB为常数时，输出电路(集电极电路)中集电极电流IC与集一射极电压UCE之间的关系曲线，即IC=f(UCE)

6、IB=常数1）三个基本区(1)放大区(UCE＞UBE≥（0.7或0.3）);(2)截止区(IB≤0，UBE≤0,UCE

7、＞0);(3)饱和区（UCE＜UBE)。11第二章晶体管及基本放大电路/2.1半导体晶体管/特性曲线3DG6的输入特性3DG6的输出特性3.晶体管特性曲线12第二章晶体管及基本放大电路/2.1半导体晶体管/特性曲线a)静态电阻动态电阻rce>>RCE4.晶体管输出回路电阻13第二章晶体管及基本放大电路/2.1半导体晶体管/特性曲线1．电流放大系数1）共射极直流电流放大系数β在静态(无输入信号)时称为共射极直流放大系数。2）交流电流放大系数β集电极电流的变化量△IC与基极电流的变化量△IB的比值。在放大区工作时，常有β≈β五.主要参数14第二章晶体管及基本放大电路/2.1半导体

8、晶体管/主要参数2.集电极最大允许电流ICM集电极电流IC超过一定值时，晶体管的β值要下降。当β值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流IC，称为集电极最大允许电流ICM。3．集—射极反向击穿电压U(BR)CEOIB=0时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，称为集—射极反向。当晶体管的集—射极电压U(BR)CEO。注：当UCE＞U(BR)CEO时，晶体管会被击穿。4．集电极最大允许功率损耗PCMPCM允许在集电极上消耗功率的最大值。15第二章晶体管及基本放大电路/2.1半导体晶体管/主要参数一般温度对所有参数都影响，但影响最显著的是：1.ICBO集电极与基极间的反向饱和电

9、流T↑(10°C)→ICBO↑（约一倍）；2.β：T↑(1°C)→β↑(1%);3.UBE:T↑(1°C)→UBE↑(约2mV）。IC↑六.温度对参数的影响16第二章晶体管及基本放大电路/2.1半导体晶体管2.2共射极基本放大电路基本要求:理解组成基本放大电路各元件的作用掌握放大电路组成原则掌握直流通路和交流通路的画法17第二章晶体管及基本放大电路/2.2共射极基本放大电路一.放大电路的组成18第二章晶体管及基本放大电路/2.2共射极基本放大电路/电路组成1.各元件的作用T:放大元件，在线性区。UCC: