电工电路第九章(修1)

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1、电子技术第九章基本放大电路模拟电路部分一.基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型§9.1双极型晶体管BECBECBECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高发射区：向B区发射载流子基区：控制载流子的传输集电区：收集载流子BECNNP基极发射极集电极发射结(E结)集电结(C结)二电流放大原理BECNNPEBRBEcIERCICIB可见:IE=IB+IC只要IC>IB,管子就有电流放大作用。（这就是为什么基区掺杂少而薄的目的所在）BECIBIEICNPN型三极管

2、BECIBIEICPNP型三极管1、输入特性UCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管UBE0.7V,锗管UBE0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。三.特性曲线IB=f(UBE)UCE=常数饱和区截止区2、输出特性:IC=f(UCE)IB=常数放大区IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A输出特性三个区域的特点:发射结正偏，集电结反偏。晶体管相当于通路0

3、UCCRCTRBUBBICCEBIBIEc).IC随IB的增减而增减,成正比关系(IB变化小,IC变化大)即：IC=IB,且IC=IBd).特性曲线间隔均匀,这个间隔反映了晶体管的β值.β≈常数(=IC/IB)IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A发射结正偏，集电结正偏。即：UCEUBE，UCE0.3V(C、E极间相当于短路）IC≈UCC/RCIC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A(2)饱和区→饱和状态+UCCRCTR

4、BUBBICCEBIBIEC结、E结均加反压.IB=0，IC=ICEO0(近似于断开状态.)UCE=UCCICEO是基极开路时（IB=0）的IC值，受温度的变化影响很大。IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100AICEO(3)截止区→截止状态+UCCRCTRBUBBICCEBIBIE[注]：为使三极管可靠截止，通常给发射结加上反向电压，即UBE≤0四、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：1.电流放大倍数和

5、P230例9.1.1P2699.1.2+UCCRCTRBUBBICCEBIBIE交流电流放大倍数为：例：UCE=6V时：IB=40A,IC=1.5mA；IB=60A,IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：=2.集电极最大电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。3.集-射极反向击穿电压BU(BR)CEO:基极开路时,加在集---射极之间的最大允许电压。超过这个数值时，三极管就会被击穿。4.集电极最大允许功耗PCM集电结的温度不超过允许值时，集电极所消耗的最大

6、功率。PC=ICUCEPCPCMICUCEICUCE=PCMICMBU(BR)CEO安全工作区例:测得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V、0.7V和4.7V，则该管为（）。(a)NPN型锗管(b)PNP型锗管(c)NPN型硅管(d)PNP型硅管BECIBIEICPNP型三极管书P226分析与思考(2)§9.2放大电路的工作原理三极管放大电路有三种形式共射放大器共基放大器共集放大器以共射放大器为例讲解工作原理共射放大电路的基本组成放大元件iC=iB，工作在放大区，要保证集电结反偏，发射结正偏。uiuo输入输出参考点RB

7、+UCCUBBRCC1C2T集电极电源，为电路提供能量。并保证集电结反偏。基极电源与基极电阻使发射结正偏，并提供适当的静态工作点。++CBE集电极电阻，将变化的电流转变为变化的电压。RB+UCCUBBRCC1C2T++耦合电容传递交流,隔断直流。可以省去电路改进：采用单电源供电RB+UCCUBBRCC1C2T固定偏置电路+UCCRCC1C2TRB放大电路的分析方法放大电路分析静态分析动态分析估算法图解法微变等效电路法图解法直流通道和交流通道放大电路中各点的电压或电流都是在静态直流上附加了小的交流信号。但是，电容对交、直流的作用不同。如果电容

8、容量足够大，可以认为它对交流不起作用，即对交流短路。而对直流可以看成开路，这样，交直流所走的通道是不同的。交流通道：只考虑交流信号的分电路。直流通道：只考虑直流信号的分电路。信号