拉扎维模拟CMOS集成电路设计第二章节作业答案详解完整版中文

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1、第二章作业答案Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.Copyrightforzhouqn2.1、W/L=50/0.5，假设

2、VDS

3、=3V，当

4、VGS

5、从0上升到3V时，画出NFET和PFET的漏电流VGS变化曲线解：NMOS管：假设阈值电压VTH=0.7V,不考虑亚阈值导电当VGS<0.7V时，NMOS管工作在截止区，则ID=0当VGS>0.7V时，NMOS管工作

6、在饱和区，NMOS管的有效沟道长度Leff=0.5-2LD，则Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.CopyrightforzhouqnPMOS管：假设阈值电压VTH=-0.8V,不考虑亚阈值导电当

7、VGS

8、<0.8V时，PMOS管工作在截止区，则ID=0当

9、VGS

10、≥0.8V时，PMOS管工作在饱和区，PMOS管的有效沟道长度Leff=0.5-2LD，则Evalu

11、ationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.Copyrightforzhouqn2.2W/L=50/0.5,

12、ID

13、=0.5mA，计算NMOS和PMOS的跨导和输出阻抗，以及本证增益gmro解：本题忽略侧向扩散LD1）NMOS2）PMOSEvaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Cop

14、yright2004-2011AsposePtyLtd.Copyrightforzhouqn2.3导出用ID和W/L表示的gmro的表达式。画出以L为参数的gmro~ID的曲线。注意λ∝L解：Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.Copyrightforzhouqn2.4分别画出MOS晶体管的ID~VGS曲线。a)以VDS作为参数；b)以VBS为参数，并在特性曲线中

15、标出夹断点解：以NMOS为例当VGSVDS+VTH时，MOS工作在三极管区（线性区）Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.Copyrightforzhouqn2.5对于图2.42的每个电路，画出IX和晶体管跨导关于VX的函数曲线草图，VX从0变化到VDD。在(a)中，假

16、设Vx从0变化到1.5V。（VDD=3V）(a)上式有效的条件为即Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.Copyrightforzhouqn(a)综合以上分析VX>1.97V时，M1工作在截止区，则IX=0,gm=0VX<1.97V时，M1工作饱和区，则Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientPr

17、ofile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.Copyrightforzhouqn(b)λ=γ=0,VTH=0.7V当0

18、饱和区Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.Copyrightforzhouqn(C)λ=γ=0,VTH=0.7