机械工程测试技术传感器课程习题

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1、1.将电阻应变片贴在不同的(C)上,就可以分别做成测力、位移、压力、加速度等物理量参数的传感器A.质量块;B.导体;C.弹性元件;D.机器构件2.压电晶片的两个工作面上积聚的电荷量与(C)呈正比。A.工作面的面积;B.作用在晶片上的压强C.作用在晶片上的力;D.晶片厚度3.可变磁阻式传感器的灵敏度S与气隙长度δ有关,δ()灵敏度越高。A.越大;B.越小;C.速度越快;D.速度越慢4.电阻应变片的输入为()A.力;B.应变;C.速度;D.加速度5.光敏电阻受到光照射时,其值随光通量的增大而()A.变大;B.变小;C.保持不变;D.变为0一.客观题6.半导体热敏电阻随着温度的上升,其阻值()A.上

2、升;B.下降;C.保持不变;D.变为0 7.一传感器的灵敏度高,表示该传感器()A.允许输入最大;B.工作频带宽;C.单位输入量引起的输出量大;D.线形范围宽8.电涡流传感器是利用材料的电涡流效应工作的。A.金属导电B.半导体C.非金属D.PVF29.为消除压电传感器电缆分布电容变化对输出灵敏度的影响,可采用()A.电压放大器B.电荷放大器C.前置放大器10.压电式绝对振动加速度传感器的动态数学模型是一个。A.一阶环节B.二阶环节C.比例环节11.调频式电涡流传感器的解调电路是()A.整流电路B.相敏检波电路C.鉴频器12.压电式加速度传感器的工作频率应该()其固有频率A.远高于B.等于C.远

3、低于13.压电式加速度计,其压电片并联时可提高。A.电压灵敏度B.电荷灵敏度C.电压和电荷灵敏度14.下列传感器中是基于压阻效应的;A.金属应变片B.半导体应变片C.压敏电阻15.压电式振动传感器输出电压信号与输入振动的()成正比。A.位移D.速度C.加速度16.石英晶体沿机械轴受到正应力时,则会在垂直于()的表面上产生电荷量A.机械轴B.电轴C.光轴17.石英晶体的压电系数比压电陶瓷的.A.大得多B.相接近C.小得多18.光敏晶体管的工作原理是基于效应.A.外光电B.内光电C.光生电动势19.金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()A.贴片位置的温度变化B.电阻丝几何尺寸的变

4、化C.电阻丝材料的电阻率变化20.电容式传感器中,灵敏度最高的是。A.面积变化型B.介质变化型C.极距变化型21.极距变化型电容传感器适宜于测量微小位移量是因为()A.电容量微小影响灵敏度B.灵敏度与极距的平方成反比,间距变化大则产生非线性误差C.非接触测量22.高频反射式涡流传感器是基于和效应来实现信号的感受和变换的。A.涡电流B.纵向C.横向D.趋肤效应23.压电材料按一定方向放置在交变电场中,其几何尺寸将随之发生变化,这称为效应。A.压电B.压阻C.压磁D.逆压电24.下列传感器中,能量控制型传感器是和,能量转换型传感器是和.A.光电式B.应变片C.电容式D.压电式1.压电式传感器是利用

5、某些物质的_______而工作的2.传感器的灵敏度越高,就意味传感器所感知的______越小3.传感器的响应特性必须在所测频率范围内努力保持______测量条件4.为了提高极距型电容传感器的灵敏度、线形度及减小外部条件对测量精度的影响,实际应用时常常采用_______工作方式二.主观题5.什么是物性型传感器?什么是结构型传感器?试举例说明。6.有源型传感器和无源型传感器有何不同?试举例说明。7.传感器一般由(   )和()组成。8.将被测量转换成与之的对应、容易传输和处理的装置,称为()。9.电阻应变片的电阻相对变化率与______成正比。10.半导体应变片的电阻变化是基于半导体_______

6、的变化11.当光照射在半导体光电池上时,它可直接输出______12.半导体应变片能将应变转换成________变化13.利用电涡流传感器测量物体的位移。试问:(1)如果被测物体由塑料制成,位移测量是否可行?为什么?(2)为了能够对该物体进行位移测量,应采取什么措施?14.用压电式加速度传感器及电荷放大器测量振动,若传感器灵敏度为7(pC/g)(g为重力加速度),电荷放大器灵敏度为100(mV/pC),试确定输入a=3g时系统的输出电压。16.在dR/R=(1+2μ)ε+λEε中,μ是(  ),λ是( )。17.变极距δ型电容传感器的电容C与极距δ呈()比.18.压电式传感器常用的压电材料有(

7、 ),( )等。19.电容式传感器是将被测量的变化转换成电容量变化的一种传感器,主要类型有:极距变化型,()、(  )等。20.电阻应变片的灵敏度表达式为。对于金属应变片来说,S=,而对于半导体应变片来说S=.三.计算分析题1、一电容测微仪,其传感器的圆形极板的半径r=4mm,工作初始间隙d0=0.3mm,空气介质,试求:(1)通过测量得到电容变化量为△C=±3×10-3pF,则传感器与工件之间由

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