《射频技术基础》PPT课件

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1、射频技术汤红军毫米波国家重点实验室,李文正楼北624025-83793276-210,hjtang@emfield.org内容实验室专业基础介绍射频概念元件的射频性能课程内容、授课方法、和教学参考书考核办法本实验室专业基础介绍-1计算电磁学射频技术集成电路实验室条件1.研究方向和软件、硬件条件本实验室专业基础介绍-2FDD和TDD射频系统和天线阵列的研究开发(863)新型天线与分集技术(863)宽带射频与多天线实现技术(863)电磁场理论与微波技术(创新群体)其它(973,电波测量、有源一体化天线等)2.相关研究基础射频概念射频?一般射频概念:

2、常用无线频谱简介:广义射频概念:无线通信发射频率(链路框图)数100MHz~数GHz,目前主要无线业务频段,所谓“黄金频段”从中波到特赫兹(IEEE频谱)本课程考虑一般射频频率作为基本工作条件,兼顾微波毫米波射频电路技术。NextIEEE频谱频段频率波长ELF(极低频)30~300Hz10000~1000kmVF(音频)300~3000Hz1000~100kmVLF(甚低频)3~30kHz100~10kmLF(低频)30~300kHz10~1kmMF(中频)300~3000kHz1~0.1kmHF(高频)3~30MHz100~10mVHF(甚高

3、频)30~300MHz10~1mUHF(特高频)300~3000MHz100~10cmSHF(超高频)3~30GHz10~1cmEHF(极高频)30~300GHz1~0.1cm亚毫米波300~3000GHz1~0.1mmP波段0.23~1GHz130~30cmL波段1~2GHz30~15cmS波段2~4GHz15~7.5cmC波段4~8GHz7.5~3.75cmX波段8~12.5GHz3.75~2.4cmKu波段12.5~18GHz2.4~1.67cmK波段18~26.5GHz1.67~1.13cmKa波段26.5~40GHz1.13~0.75

4、cm毫米波40~300GHz7.5~1mm亚毫米波300~3000GHz1~0.1mm——《射频电路设计》返回“射频”从网络到射频前端的层次结构无线网络无线链路混频器(上变频器)功率放大器天线双工器空间信道混频器(下变频器)低噪声放大器前端中频前端中频天线下行上行返回“射频”元件的射频性能集总概念a)集总元件的基本条件<0.1λ0b)集总元件基本表述方法如阻抗:电阻R=R0电感XL=ωL电容XC=1/(ωC)c)系统分析方法元件的射频性能a)技术变化趋势:从集总元件到分布元件。b)分析方法:路的理论到场理论。射频正处于变化的临界点上。重要的分布

5、效应1)趋肤效应:当频率升高,电流趋向于导体表面的现象即趋肤效应。元件的射频性能a)趋肤深度:电流下降到表面处1/e时的深度。例:铜的电导率σ=5.8×107S/mf(GHz)δ(μm)12.1100.66b)圆导线电阻的变化元件的射频性能2)寄生效应:a)电阻:引线电阻及其等效模型元件的射频性能一个500Ω引线电阻实例的等效电阻特性*引线是长2.5cm的AWG26线(直径16mil,或0.4064mm),寄生电容C1=5pF,寄生电感*——《射频电路设计》,pp.11特性:<50MHz,理想电阻特性50MHz~20GHz,电容特性>20GHz

6、,电感特性元件的射频性能500Ω引线电阻阻抗b)电容:元件的射频性能一个47pF电容器的特性**——《射频电路设计》,pp.13引线长度1.25cmAWG26铜线,介质为氧化铝,损耗正切0.01%.特性寄生电感引线电阻并联漏泄电阻在约5GHz有一谐振点,小于谐振频率为电容特性,大于此频率为电感特性。元件的射频性能47pF电容器的阻抗c)电感元件的射频性能一个电感实例*线圈由AWG36(0.127mm)铜线在0.1英寸空气芯上绕3.5匝,长0.05英寸。*——《射频电路设计》,pp.15由空气螺旋电感公式得:将寄生电容近似为平板电容得:导线电阻:

7、在约2GHz处产生谐振,小于谐振频率为电感特性,大于些频率为电容特性。另考虑趋肤效应,Q值变小约15倍。元件的射频性能61μH空心电感的阻抗综上所述,在射频频段,与集总元件相比较,元件特性已发生重大改变。射频技术有其继承集总电路技术的一面,也有其独特的新内容。微波及更高频段的射频技术:以分布元件为主要实现技术。例如:信号耦合、分配等,滤波器实现等。元件的射频性能举例:0402电阻本课程的内容、方法、参考书本门课程的内容:基础内容:传输线基础,S参数等网络参数概念,SMITH图及其应用,射频集总元件的特性;阻抗变换技术;阻抗匹配电路;混合接头与耦

8、合器;谐振器与滤波器;天线技术简介;(在无源电路讲解过程中,顺便介绍全波仿真方法)射频链路分析方法和射频电路性能指标;有源和无源器件;小信号放大器;功

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