模拟电路,从开始学起

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1、1、半导体和PN结根据物体导电能力（电阻率）的不同，来区分导体、绝缘体和半导体；导体：电阻率小于10－4次方，比如金Au、银Ag、铜Cu、铁Fe等绝缘体：电阻率大于10＋9次方，比如玻璃、橡胶、塑料等半导体：介于两者之间，比如硅Si、锗Ge、砷化镓GaAs等是良好的导体；（电阻率：是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示；单位为欧姆*毫米平方/米。R=ρ*L/S）半导体特性：1、热敏性2、光敏性3、掺杂性概念：1、本征半导体、杂质半导体；2、多数载流子、少数载流子；3、N型半导体（掺杂5价磷P元素）、P型半导体（掺杂3价硼B元

2、素）；PN结形成原理：浓度差－－》多子扩散－－》掺杂离子形成空间电荷区－－》内电场－－》阻止多子扩散，促使少子漂移－－》动态平衡，所以PN实际是电荷区，又叫耗尽层特点：1、单向导电性2、光热敏V/I曲线：导通、击穿、结电容2、半导体二极管1、点接触型PN结面积小，结电容小，适合检波、变频等高频电路结构：2、面接触型PN结面积大，适合工频大电流整流电路；3、平面型PN结面积可大可小，用于集成电路制造工艺中，多用于开关和高频整流电路；伏安曲线：半导体二极管实物图特性参数：1、最大整流电流Rf；2、反向击穿电压VBR和反向电流Ir/反相饱和

3、电流Is；3、导通电压Vf，或正向压降。一般硅管0.7V,锗管0.2V；4、极间电容或最高工作频率；3、特殊半导体二极管2、变容二极管3、光电子器件（光电二极管、发光二极管LED、激光二极管等）1、稳压二极管A：稳压原理稳压原理：利用二极管反向特性实现稳压。稳压状态，二极管工作在反向击穿区，同时说明电击穿是可逆的（齐纳击穿、雪崩击穿），而热击穿是不可逆的。B：特性参数1、稳定电压Vz。2、动态电阻Rz=∆Vz/∆Iz3、最大耗散功率Pzm＝Vz×Iz4、最大稳定工作电流Izmax和最小稳定工作电流Izmin5、稳定电压的温度系数C：典

4、型应用电路和参数设计稳压条件：满足下列不等式，并注意功耗不能超过Pzm需要设计一个6V的稳压电路，已知：Vi＝12V,Vz=6V,Imax＝20mA,Imin＝2mA问：R=?合适4、二极管在整流电路中的应用半波整流电路：全波整流电路：桥式整流电路：5、思考题练习1：1、请分析右图的D1,D2导通情况2、VA输出电压是多少？假设二极管导通管压降为0.7V练习2：请分析右图电路的工作原理，假设U1=220V,变压器匝比50：1，Uo＝？6、半导体三极管的工作原理1、实物和内部结构2、工作条件和电流分配发射区高掺杂，集电区低掺杂，面积大，

5、基区很薄，最低掺杂。放大条件：发射结正偏集电结反偏7、三极管的输入输出特性曲线8、三极管的主要参数9、三极管电路分析－－图解法饱和失真截止失真10、三极管小信号等效电路1、H参数小信号模型目的：简化分析，使非线型简化为线性分析，等效成流控电流源。使用范围：小信号。11、三极管放大电路的主要技术参数1、放大倍数或放大增益反映放大电路在输入信号控制下，把供电电源能量转化为输出信号能量的能力。放大倍数：Av=Vo/Vi放大倍数：Avo=Vo/Vi（负载开路）放大增益：Av＝20Lg（Vo/Vi）dB问：放大0倍和0dB,那个大？2、输入电阻

6、Ri＝Vi/Ii3、输出电阻Ro＝Vt/ItVs＝0的时候还有温度特性和频率特性比如温漂、零漂、带宽、频响等传递效率问题：真正到达负载上的电压=Vs×（Ri/（Rs＋Ri））×Avo×（RL/（Ro＋RL））所以，Ri越大越好，Ro越小越好，同时可以看出，RL的变化是影响整个电路最终的放大效果的12、三极管放大电路分析－－小信号等效电路法H参数小信号模型分析最后结论：问：请推算以上结论是怎么得到的？13、放大电路工作点稳定问题温度增加，会造成Ic上升，导致工作点漂移，造成放大参数不稳定。稳定原理：T升高－－》Ic增大－－》Ie增大－－

7、》Ve增大，Vb基本不变－－》Vbe减小－－》Ib减小－－》Ic减小，Re取值越大，稳定能力越强B点电位基本不变条件：I1>>Ib，一般5～10倍，此时Vb约等于Rb2/（Rb1＋Rb2）*Vcc14、三组态性能比较15、多级放大器多级放大器级间耦合：1、直接耦合优点：频带宽，适合集成电路工艺缺点：工作点关联2、阻容耦合优点：工作点不关联，设计简单缺点：低频特性差3、变压器耦合优点：阻抗匹配容易缺点：体积大，低频特性差缓冲和隔离：为什么加这样一级？该级的电压放大倍数一般多少？16、放大器的频率响应幅频特性：描述放大幅度与信号频率之间的

8、关系相频特性：描述信号相位与信号频率之间的关系上限频率：高频端下降3dB的频率点下限频率：低频端下降3dB的频率点带宽：高端－低端增益带宽积：增益×带宽，三极管是常数导致频率失真和相位失真的物理原因：内部：结电容、连线电