《微电子器》PPT课件(I)

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1、3.2均匀基区晶体管的电流放大系数（1）少子在基区中的复合必须很少，即要求WB<>NB。可利用发射结注入效率对其进行定量分析。本节的讨论以PNP管为例。定义：基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比，称为基区输运系数，记为。对于PNP管，为由于少子空穴在基区的复合，使JpC

2、由于WB<

3、面也会发生复合，使基区输运系数减小。生产中必须严格控制表面处理工艺，以减小表面复合。3.2.2基区渡越时间定义：少子在基区内从发射结渡越到集电结所需要的平均时间，称为少子的基区渡越时间，记为b。在b期间，基区内的少子全部更新一遍，因此，注意b与B的区别的物理意义：时间，代表少子在单位时间内的复合几率，因而就代表少子在基区停留期间被复合的几率，而则代表未复合掉的比例，也即到达集电结的少子电流与注入基区的少子电流之比。b代表少子在基区停留的平均3.2.3发射结注入效率定义：从发射区注入基区的少子形成的电流与总的发射极电流之比，称为注入效率（或发射

4、效率），记为。对于PNP管，为当WB<>NB，即（NB/NE）<<1，则上式可近似写为将代入中，得再利用爱因斯坦关系，得注意：DB、DE代表少子扩散系数，B、E代表多子迁移率。利用方块电阻的概念，可有更简单的表达式。方块电阻代表一个正方形薄层材料的电阻，记为R口。对于均匀材料，对于厚度方向（x方向）上不均匀的材料，对于均匀掺杂的发射区与基区，中，可将表示为最简单的形式，代入前面得到的公式的典型值：R口E=10Ω，R口B1=1000Ω，γ=0.9900。3.2.4电流放大系数式中，，称

5、为亏损因子。由的关系，可得第3章第1次习题1、2、3、6、7、8、9、10、14、15思考题27、31、32、33、34、35、39