电子技术基础刘继承第3章

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1、第3章晶体管与基本放大电路第1节晶体管及共射极基本放大电路第2节晶体管放大电路三种基本组态第3节场效应管及其放大电路第4节多级放大电路主菜单回退前进最后返回退出第3章晶体管与基本放大电路本章主要介绍构成线性放大电路的基本放大器件——晶体三极管和场效晶体管的伏安特性和主要参数，分析有它们构成的基本放大电路的工作特点、性能指标以及分立线性放大电路与集成线性放大电路的主要区别和内在联系。开始作？业3.1晶体管及共射极基本放大电路主菜单回退前进最后返回作？业退出开始晶体管的几种常见外形晶体管的符号3.1.1晶体管的结构、工作原

2、理和特性主菜单回退前进最后返回作？业退出开始1.晶体管的结构（NPN管）在结构图中，基区比较薄且掺杂浓度很低；发射区掺杂浓度很高；集电区结面较大，掺杂浓度不高。因此，一般情况发射区和集电区不可互换使用。3.1.1晶体管的结构、工作原理和特性主菜单回退前进最后返回作？业退出开始2.晶体管的电流分配和放大原理NPN型晶体管内部载流子运动如图。放大状态下，要求发射结为正向偏置，集电结为反向偏置。退出作？业主菜单开始回退前进最后返回3.1.1晶体管的结构、工作原理和特性由晶体管内部载流子运动的示意图可以得出定义为直流电流放大系

3、数，由此可得令式中为三极管CE间反向穿透电流。NPN与PNP型晶体管共射组态直流电源电压极性相反，如图3.1.9所示。作？业退出主菜单开始回退前进最后返回3.1.1晶体管的结构、工作原理和特性3.伏安特性（以NPN硅管为例）作？业退出主菜单开始回退前进最后返回3.1.1晶体管的结构、工作原理和特性（1）输入特性（2）输出特性输出特性中基极电流进入截止区，集-射极电压进入饱和区。作？业退出主菜单开始回退前进最后返回3.1.1晶体管的结构、工作原理和特性晶体管三种工作状态对比表工作状态直流偏置条件电位关系输出伏安特性(以N

4、PN管为例)NPN硅管PNP锗管截止发射结：不大于死区电压集电结：反向偏置uBE≤0.5VuBC<0VuBE≥-0.1VuBC>0VIC=0，UCE=VCC放大发射结：大于死区电压集电结：反向偏置uBE>0.5VuBC<0VuBE<-0.1VuBC>0VIC=β∙IB，UCE=VCC-IC∙RC饱和发射结：大于死区电压集电结：正向偏置uBE>0.5VuBC>0VuBE<-0.1VuBC<0VIC=(VCC-UCES)/RCUCE=UCES≈0.3V作？业退出主菜单开始回退前进最后返回3.1.1晶体管的结构、工作原理和特

5、性例：测出处于正常放大状态的晶体管各个电极的电位如下图；试判断各管的类型（PNP，NPN）、材料（硅管？锗管？）并区分e，b，c三个电极。作？业退出主菜单开始回退前进最后返回3.1.1晶体管的结构、工作原理和特性解：根据放大状态晶体管直流偏置条件，可知发射结正偏，UBE压差很小；所以对另外两电极压差较大的电极是集电极C。A：③是C；B：②是C；C：③是C材料判断：锗管UBE=0.2~0.3V，硅管UBE=0.6~0.7V；A：硅管；B：锗管；C：硅管作？业退出主菜单开始回退前进最后返回3.1.1晶体管的结构、工作原理和

6、特性类型判断：VC电位最高，NPN型,VC电位最低，PNP型。A:NPN型B:PNP型C:NPN型管脚判断：NPN型VC>VB>VE，PNP型VC

7、击穿电压U(BR)CEO。4.主要参数作？业退出主菜单开始回退前进最后返回3.1.1晶体管的结构、工作原理和特性图3.1.6晶体管的三种输入、输出组态。作？业退出主菜单开始回退前进最后返回3.1.1晶体管的结构、工作原理和特性α与β的关系：•共射极直流电流放大系数•共射极交流电流放大系数一般情况可以认为•共基极直流电流放大系数•共基极交流电流放大系数作？业退出主菜单开始回退前进最后返回3.1.1晶体管的结构、工作原理和特性图3.1.7为晶体管极限参数的图示。IC的最大值PCM线UCE的最大值晶体管正常放大时，应保证：作

8、？业退出主菜单开始回退前进最后返回3.1.2共射极基本放大电路1.放大电路的工作原理（1）电路的构成T:NPN型晶体管；Rb:基极偏置电阻；RC:直流负载电阻；RL:交流负载电阻；uS:交流信号源；RS:信号源内阻；VCC:直流电压源；C1、C2:耦合电容。作？业退出主菜单开始回退前进最后返回3.1.2共射极基本放大电路基本放大电