电子电路基础习题册参考答案-第一章

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1、电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术  第一章       常用半导体器件§1-1晶体二极管一、        填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体。3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0.5

2、V，锗二极管的开启电压约为0.1V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7V,锗二极管的正向压降约为0.3V。5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高

3、反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V、流过电阻的电流是4mA；当开关S闭合时，A点的电位为0V，流过电阻的电流为2mA。14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA，流过V2的电流为0.25mA,输出电压U0为+5V。15、光电二极管的功能是将光

4、脉冲信号转换为电信号，发光二极管的功能是将电信号转换为光信号。16、用数字式万用表测量二极管，应将功能开关置于二极管挡，将黑表笔插入com插孔，接二极管的负极；红表笔插入V,Ω插孔，接二极管的正极，其显示的读数为二极管的正向压降。 一、        判断题1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（√）2、P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（×）3、晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。（√）4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（√）5、硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。（√）6、将P型半导体和N型半导体用一定的工艺

5、制作在一起，其交界处形成PN结。（√）7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（×）8、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。（×）9、二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击穿。（）10、二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。（×）11、用500型万用表测试发光二极管，应选R×10K挡。（√） 三、选择题1、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A）。A．增大B.减小C.不变2、测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（A）。A.R×100或R×1KB.R×1C.R×10K3、半导体中的空穴和自由电子数目相等，

6、这样的半导体称为（B）。A.P型半导体B.本征半导体C、N型半导体4、稳压管的稳压性能是利用（B）实现的。A．PN结的单向导电性B.PN结的反向击穿特性C．PN结的正向导通特性5、电路如图1-1-4所示，已知两个稳压管的UZ1=7V，UZ2=5V它们的正向压降均为0.7V，则输出电压U0为（C）A.12VB.5.7VC.7.7VD.7V6、在图1-1-5所示的电路中，流过二极管的电流I1、I2分别是（D）。A.I1=8mA,I2=0B.I1=2mAC.I1=0,I2=6mAD.I1=0,I2=8mA7、二极管的正向电阻（B）反向电阻。A.大于B.小于C.等于D.不确

7、定8、电路如图1-1-6所示，V为理想二极管，则二极管的状态为（A）。A.导通B.截止C.击穿9、上题中，A、B两端的电压为（C）。A.3VB.-3VC.6VD.-6V10、某二极管反向击穿电压为140V，则它的最高反向工作电压为（C）。A.280VB.140VC.70VD.40V11、二极管电路如图1-1-7所示，（1）处于导通状态的二极管是（A）。A．只有V1导通B．只有V2导通C．V1、V2均导通D．V1、V2均不导通（2）考虑二极管正向压降为0.7V时，输出电压U0为（B）。A．-14.3VB．-0.7VC．-12VD．-15V12、P型半导体中多数载流