EMC抗干扰解决方法

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1、EMC知识一、EMC测试项目：1.电压暂降：在电气供电系统某一点上的电压突然减少到低于规定的阈限，随后经历一段短暂的间隔恢复到正常值。2.短时中断：供电系统某一点上所有项位的电压突然下降到规定的中断阈限以下，随后经历一段短暂的间隔恢复正常值。3.静电：一般2KV电压所有外部能接触到的金属部件。解决方法：屏蔽罩；导电胶布；干扰大的线布置在PCB板内层例如：无线；4G;GPS等信号源线。二、常用硬件抗干扰技术  针对形成干扰的三要素，采取的抗干扰主要有以下手段：  2.1、抑制干扰源  抑制干扰源就是尽可能的减小

2、干扰源的du/dt，di/dt。这是抗干扰设计中先考虑和重要的原则，常常会起到事半功倍的效果。减小干扰源的du/dt主要是通过在干扰源两端并联电容来实现。减小干扰源的di/dt则是在干扰源回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现。  抑制干扰源的常用措施如下：  1）继电器线圈增加续流二极管，消除断开线圈时产生的反电动势干扰。仅加续流二极管会使继电器的断开时间滞后，增加稳压二极管后继电器在单位时间内可动作更多的次数。  2）在继电器接点两端并接火花抑制电路（一般是RC串联电路，电阻一般选几K到几十K,电容选

3、0.01uF），减小电火花影响3）给电机加滤波电路，注意电容、电感引线要尽量短。  4）电路板上每个IC要并接一个0.01μF——0.1μF高频电容，以减小IC对电源的影响。注意高频电容的布线，连线应靠近电源端并尽量粗短，否则，等于增大了电容的等效串联电阻，会影响滤波效果。  5）布线时避免90度折线，减少高频噪声发射。  6）可控硅两端并接RC抑制电路，减小可控硅产生的噪声（这个噪声严重时可能会把可控硅击穿的）。  2.2、切断干扰传播路径  按干扰的传播路径可分为传导干扰和辐射干扰两类。  所谓传导干扰是

4、指通过导线传播到敏感器件的干扰。高频干扰噪声和有用信号的频带不同，可以通过在导线上增加滤波器的方法切断高频干扰噪声的传播，有时也可加隔离光耦来解决。电源噪声的危害，要特别注意处理。  所谓辐射干扰是指通过空间辐射传播到敏感器件的干扰。一般的解决方法是增加干扰源与敏感器件的距离，用地线把它们隔离和在敏感器件上加屏蔽罩。  切断干扰传播路径的常用措施如下：  1）充分考虑电源对单片机的影响。电源做得好，整个电路的抗干扰就解决了一大半。许多单片机对电源噪声很敏感，要给单片机电源加滤波电路或稳压器，以减小电源噪声对单

5、片机的干扰。  2）如果单片机的I/O口用来控制电机等噪声器件，在I/O口与噪声源之间应加隔离（增加π形滤波电路）。  3）注意晶振布线。晶振与单片机引脚尽量靠近，用地线把时钟区隔离起来，晶振外壳接地并固定。  4）电路板合理分区，如强、弱信号，数字、模拟信号。尽可能把干扰源（如电机、继电器）与敏感元件（如单片机）远离。  6）用地线把数字区与模拟区隔离。数字地与模拟地要分离，在一点接于电源地。A/D、D/A芯片布线也以此为原则。  7）单片机和大功率器件的地线要单独接地，以减小相互干扰。大功率器件尽可能放在

6、电路板边缘。  8）在单片机I/O口、电源线、电路板连接线等关键地方使用抗干扰元件如磁珠、磁环、电源滤波器、屏蔽罩，可显着提高电路的抗干扰性能。  2.3、提高敏感器件的抗干扰性能  提高敏感器件的抗干扰性能是指从敏感器件这边考虑尽量减少对干扰噪声的拾取，以及从不正常状态尽快恢复的方法。  提高敏感器件抗干扰性能的常用措施如下：  （1）布线时尽量减少回路环的面积，以降低感应噪声。  （2）布线时，电源线和地线要尽量粗。除减小压降外，更重要的是降低耦合噪声。  （3）对于单片机闲置的I/O口，不要悬空，要接地

7、或接电源。其它IC的闲置端在不改变系统逻辑的情况下接地或接电源。  （4）对单片机使用电源监控及看门狗电路，如：IMP809，IMP706，IMP813，X5043，X5045等，可大幅度提高整个电路的抗干扰性能。  （5）在速度能满足要求的前提下，尽量降低单片机的晶振和选用低速数字电路。  （6）IC器件尽量直接焊在电路板上，少用IC座。  2.4、其它常用抗干扰措施  （1）交流端用电感电容滤波：去掉高频低频干扰脉冲。  （2）变压器双隔离措施：变压器初级输入端串接电容，初、次级线圈间屏蔽层与初级间电容中

8、心接点接大地，次级外屏蔽层接印制板地，这是硬件抗干扰的关键手段。次级加低通滤波器：吸收变压器产生的浪涌电压。  （3）采用集成式直流稳压电源：有过流、过压、过热等保护作用。  （4）I/O口采用光电、磁电、继电器隔离，同时去掉公共地。  （5）通讯线用双绞线：排除平行互感。  （6）防雷电用光纤隔离为有效。  （7）A/D转换用隔离放大器或采用现场转换：减少误差。  （8）外壳接大地：解决人身安全及