《静电防护培训》ppt课件

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1、目录第二篇静电防护原理第三篇电子生产使用环境中的防静电系统构成第四篇静电敏感器件生产与操作系统管理第五篇电子产品制造与应用系统防静电检测第一篇静电产生及对电子生产制造业的影响（静电泄放）第一篇静电产生及对电子生产制造业的不良影响第1节静电产生与静电效应2.静电产生：摩擦碰撞剥离破裂感应极化吸附喷射逸出功接触电位差偶电层1.静电：本来不带电的中性状态的物体，由于外来原因，如与带电体接触并将其分離，導致了正負電荷的平衡破壊并産生过剩電荷3.一般電気和静電的不同一般的電気・・・电荷是运动的(低電圧/大電流)静電気・・・电荷不运动(高電圧/小電流)4．静電現象・力学的影响→吸引力,排斥力等

2、.・放電的影响→電击、熱、光、声等(比如:打雷，胶片感光，半導体(IC)破壊)静电场带电物体5．静電特性・導体・・・即使帯電也容易泄放(不容易帯大電量)・絶縁物・・・帯電後不容易泄放(容易帯大電量)6.静电感应正（＋）负（－）人手玻璃人发尼龙羊毛丝绸纸棉布木板硬橡胶醋酸人造纤维聚酯明胶聚氨酯聚乙烯硅聚四氟乙烯接触,剥離、摩擦、碰撞、破壊、変形,変换、離子吸着等消除这些原因，静電就不発生接触面積、材質、圧力、摩擦頻度、速度、温度差、湿度等減少这些現象的発生、能降低静電的発生決定帯電大小的要因帯電的原因尘埃粒度与IC芯片间距的比较(1)吸附尘埃第2节静电对电子生产制造业的危害(2)静电

3、放电(3)静电感应ＩＣ破壊の原理［デバイスが帯電する原因］器件帯電原因１）パッケージが摩擦されて帯電する包装摩擦帯電・マガジンからの取り出し、ハンドリングなど从编带盒中取出,操作２）帯電物体への接近（静電誘導）接近帯電物(静電感应)IC破壊的原理设备帯電modelＩＣ人体接地ＩＣ电场感应modelＩＣ人体帯電model金属筐体ﾋﾟﾝｾｯﾄなど镊子钳.IC（－）に帯電帯電物当帯電物為人体的話.・・・人体模型人体電気力線帯電物当金属筐体是帯物.・機械模型ＩＣ破壊の原理ＩＣの破壊モードIC破壊模型酸化皮膜破壊配線破壊非常に薄いシリコン酸化皮膜のため、低い電圧で絶縁破壊を起こし酸化膜に穴が

4、開いたりする特に静電気破壊の時に多い非常薄的硅酮氧化膜、在低電圧時引起絶縁破壊造成化氧化膜孔裂，特別静電破壊時比較多＜電圧破壊＞電圧破壊過度の電流の流れ込みにより、熱的破壊を起こし特に配線抵抗、電極配線を焼損する特にサージやショートなどによる過電流破壊の時に多い過度電流的流入、引起熱破壊，特別是配線電阻、電極配線焼損。特別浪涌电压和短路等原因引起過電流破壊的比較多＜電流破壊＞電流破壊IC破壊的原理氧化膜破壊配線破壊静电放电的破坏ESD半导体破坏率的分配：资料由SemiconductorReliability提供(March,1993)59%都是由静电引致的静电放电的破坏(续)静电对

5、集成电路的损伤主要表现为：芯片内热二次击穿金属喷镀熔融介质击穿表面击穿体积击穿等最后综合表现为功能故障甚至造成人身伤害。静电放电的破坏(续)半导体的损坏形式有两种：1.灾难性损坏器件不能操作约占受静电破坏的原件的百分之十2.潜在性损坏器件可以操作但性能不稳定，维修次数因而增加约占受静电破坏原件的百分之九十(4)静电对电子工业造成损害的典型事例第3节静电放电敏感器件表1-1静电放电敏感器件分级表1级：敏感电压范围0～1999V元器件类型微波器件(肖特基势垒二极管、点接触二极管和其他工作频率大于1GHZ的检测二极管离散型MOS场效应晶体管声表面波(SAW)器件结型场效应晶体管(JEET

6、s)电荷耦合器件(CCDs)精密稳压二极管(线或加载电压稳定(0.5%))运算放大器(OPAMPs)薄膜电阻器集成电路使用1级元器件的混合电路超高速集成电路(VHSIC)环境温度100℃时，IO<0.175A的晶体闸流管(SCRs)2级：敏感电压范围2000～3999V元器件类型离散型MOS场效应晶体管结型场效应晶体管(JEETs)运算放大器(OPAMPs)集成电路(ICs)超高速集成电路(VHSIC)精密电阻网络(R2)使用2级元器件的混合电路低功率双级型晶体管，Ptot≤100mW，Ic＜100mA3级：敏感电压范围4000～15999V元器件类型离散型MOS场效应晶体管运算放

7、大器(OPAMPS)集成电路(ICS)超高速集成电路(VHSIC)所有不包括在1级或2级中的其他微电路Ptot＜1W或IO＜1A的小信号二极管普通要求的硅整流器IO＞0.175A的晶体闸流管(SCRs)350mW＞Ptot＞100mW且400mA＞IO＞100mA的低功率双极型晶体管光电器件(发光二极管、光敏器件、光耦合器)片状电阻器使用3级元器件的混合电路压电晶体ＩＣ破壊の原理タイプ類型電圧（Ｖ）VoltageＭＯＳＦＥＴ１００～２００ｼﾞｬﾝｸｼｮﾝＦＥＴjunc