传感器期末考试复习

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1、（填空题）1、按照传感机理，可将传感器分为结构型和物性型两种型式。2、传感器一般由敏感元件、转换元件和测量电路三部分组成。3、传感器的灵敏度是指稳态标准条件下，输出变化量与输入变化量的比值。对线性传感器来说，其灵敏度是理想曲线的斜率4、将导体或半导体置于磁场中并通入电流，若电流方向与磁场方向正交，则在与磁场和电流两者都垂直的方向上会出现一个电势差，这种现象称为霍尔效应5、在应变式传感器的测量电路中为改善传感器的非线性误差和提高输出灵敏度常采用差动半桥或全桥电路。6、电涡流传感器是基于电涡流效应原理进行工作的，可以进行厚度测量、位移测量、振幅测量、

2、转速测量和涡流探伤等应用。7、电阻应变片式传感器按制造材料可分为①金属导体材料和②半导体材料。它们在受到外力作用时电阻发生变化，其中①的电阻变化主要是由形变形成的，而②的电阻变化主要是由压阻效应造成的，半导体材料传感器的灵敏度较大。1、传感器一般由敏感元件、转换元件和测量电路三部分组成。2、温度测量方法有接触式测温和非接触式测温两大类。3、电涡流传感器是利用电涡流效应进行工作的，主要有低频透射式和高频反射式两种类型。4、在半导体气敏传感器中，加热是为了有助于氧化反应进程，材料中加入催化剂是为了改善传感器的选择性。5、光电效应分为内光电效应和外光电

3、效应两大类。光敏二极管在电路中一般处于反向工作状态，没有光照时，暗电阻很大暗电流很小；当光照射在PN结上时，形成的电流为光电流。6、采用差动式结构的自感传感器利用铁心线圈的参数变化带动线圈的自感变化来进行测量；差动变压器是利用线圈间的互感变化进行测量的。7、常用电容传感器的测量电路有耦合式电感电桥、双T二极管交流电桥、脉冲调宽电路和运算放大器电路。1、按照传感机理，可将传感器分为物性型和结构型两种型式。2、传感器一般由敏感元件、转换元件和测量电路三部分组成。3、传感器的输入输出特性指标可分为静态和动态指标两大类，线性度和灵敏度是传感器的静态指标，

4、而频率响应特性是传感器的动态指标。4、导电丝材的截面尺寸发生变化后其电阻会发生变化，用这一原理可制成的传感器称为电阻应变式式传感器，利用有料具有磁致伸缩效应可制成的压磁式传感器也可用以测量力，而压电式传感器则利用了一些具有离子型晶体电介质的压电效应，它敏感的最基本的物理量也是力。5、热电式传感器中，能将温度变化转换为电阻变化的一类称为热电阻，而能将温度变化转换为电势的称为热电偶，其中热电偶式传感器在应用时需要做温度补偿(冷端补偿)。6、旋转式编码器用以测量转轴的角位移，其中绝对编码器在任意位置都有固定的数字编码与位置对应，线数为360线的增量式编

5、码器分辨力为1（角）度。7、光电效应分为内光电效应和外光电效应两大类。8、温度测量可分为接触式和非接触式两种方式。（选择题）1、应变片温度效应产生的主要原因有（AB）。A.敏感栅的热阻效B.敏感栅与试件的热膨胀失配C.敏感栅承受应力不同D.敏感栅与试件材料不同2、当变极距式电容传感器两极板间的初始距离增加时，将导致传感器的（AD）。A.灵敏度增加B.灵敏度减小C.非线性误差增加D.非线性误差减小3、反射式电涡流传感器的激励信号是（C）。A.直流B.工频交流C.高频交流D.低频交流4、差动式传感器产生零位误差的原因有（AC）。A.磁路不对称B.电源

6、电压太高C.磁路工作于饱和状态D.温度影响5、压电石英晶体表面上产生的电荷密度与（C）。A.晶体厚度成正比B.晶体面积成反比C.作用在晶片上的压力成正比D.剩余极化强度成正比6、光敏二极管工作时，其上（B）。A.加正向电压B.加反向电压C.不需加电压D.加正向、反向电压都可以7、热电偶中产生热电动势的条件分别为（BC）。A.两电极材料相同B.两电极材料不相同C.两电极的端点温度不同D.两电极的端点温度不相同8、Pt100中100是指（A）。A.铂电阻在100ºC时的电阻值B.铂电阻在常温25ºC时的电阻值C.铂电阻在0ºC时的电阻值D.铂电阻的最

7、高工作温度为100ºC9、霍尔效应中，霍尔电动势与（AC）。A.激励电流成正比B.激励电流成反比C.磁感应强度成正比D.磁感应强度成反比10、湿度传感器按信号转换方式可以分为（ABC）。A.电阻式B.电容式C.频率式D.磁电式1、下列传感器中（ABD）属于物性型传感器。A.扩散硅式压力传感器B.霍尔转速传感器C.感应同步器D.热电偶2、霍尔效应中，霍尔电动势与（AC）A．激励电流成正比B．激励电流成反比C．磁感应强度成正比D．磁感应强度成反比3、压电式传感器是一种典型的有源传感器，它的工作原理是基于某些物质的（B）A.压阻效应B.压电效应C.压磁

8、效应D.电磁感应4、反映传感器在正反行程过程中输入与输出特性曲线不重合程度的指标为（D）A．重复性B.零点漂移C.温度漂移D.回差（滞后