MOSFET开关损耗的计算

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1、MOSFET损耗的计算颜色部分需要自己定义1.定义已知量驱动电压：Vcc:=12V工作频率：Fsw:=330KHzMOSFET开通时的电压：Vds_open:=48VMOSFET关断时的电压：Vds_close:=48VMOSFET开通时的电流：Ids_open:=17AMOSFET关断时的电流：Ids_close:=20AMOSFET驱动开通电阻：Ropen:=14.7ΩMOSFET驱动关断电阻：Rclose:=4.7Ω驱动输出电流的能力：Iic_open:=3A驱动吸收电流的能力：Iic_close:=3A流过mosfET的有效值电流：Ids_rms:=1

2、4.3A2.选择MOSFET，定义MOSFET的参数TK10A60D驱动内阻：Rg:=0.54×ΩMOSFET导通电阻：Ron:=0.033ΩMOSFET门极开启电压：Vth:=3VMOSFET跨导：gfs:=6SMOSFET的输入电容：Ciss:=1220pF×MOSFET的输出电容：Coss:=295pFMOSET的米勒电容：Crss:=100pF3.MOSFET损耗计算3.1计算开通和关断的米勒平台电压Ids_openVsp_open:=Vth+=5.833VgfsIds_closeVsp_close:=Vth+=6.333Vgfs3.2计算mosfET

3、管开通到米勒平台的时间T1T1_open:=(Ropen+Rg)×Ciss×ln1-ln1=7.029ns×Vsp_openVth1-1-VccVccT1_close:=(Rclose+Rg)×Ciss×ln1-ln1=2.957ns×Vsp_closeVth1-1-VccVcc3.3计算mosfET米勒平台的驱动电流IthVcc-Vsp_openIopen:==0.405ARopen+RgVsp_closeIclose:==1.209ARclose+Rg3.4理论

4、输出电流与驱动实际能力对比此时必须和芯片的驱动能力比较，取较小的值。()Isp_open:=Iopen=0.405AIsp_close:=Iclose=1.209A3.5计算米勒平台维持时间T2(Vds_open-Iopen×Ron×1.3)×CrssT2_open:==11.858ns×Isp_open(Vds_close-Iclose×Ron×1.3)×CrssT2_close:==3.967ns×Isp_close3.6计算开通损耗和关断损耗1Psw_open:=×Vds_open×Ids_open×Fsw×(T1_open+T2_open)=2.543

5、W21Psw_close:=×Vds_close×Ids_close×Fsw×(T1_close+T2_close)=1.097W23.7计算MOSFET的导通损耗2Pcon:=Ids_rms×Ron×1.3=8.773W3.8计算mosfET的总损耗Ptotal:=Psw_open+Psw_close+Pcon=12.412W