高频 直接调频电路

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1、旧版：第7.27.3章调频方法与调频电路6.2ＦＭ调制器1间接调频：对调制信号先积分后调相(fC较稳定，但是频偏小)直接调频：对振荡器直接进行频率调制(可获大频偏，但fC不稳定)请一班5位同学:实现图6-15电路仿真请二班5位同学:实现（旧版）图7-16电路仿真请三班5位同学:实现图6-29a电路仿真请四班5位同学:实现图6-29b电路仿真请五班5位同学:实现图6-27电路仿真2压控振荡器的振荡频率随调制信号线性变化，压控振荡器的中心频率即为载波频率。若被控制的是LC振荡器,则只需控制振荡回路的某个元件(L或C),

2、使其参数随调制电压变化,就可达到直接调频的目的。直接调频法31.调制特性要线性调频电路输出电压的频率偏移与调制电压的关系（Δf——V）一.调频电路的指标：44.相对频偏>1%大频偏<1%小频偏3.中心频率(载波频率)要稳定2.调制灵敏度：)V/Hz(WD=vfKf5PN结的电容效应电容效应包括两部分势垒电容扩散电容(a)PN结加正向电压（b)PN结加反向电压-N空间电荷区PVRI+UN空间电荷区PRI+-UV6应满足：

3、VQ

4、VmC1隔直作用C2高频滤波电容L1高频扼流圈变容二极管直接调频电路利用结电容受反向外

5、加电压控制而变化来实现调频。7加在变容管上的电压8图7-13变容二极管作为回路总电容的直接调频电路9140MHz的变容管直接调频电路150pF10L1与变容管Cj构成振荡回路并与晶体管Q1接成电感三点式振荡电路。变容管的直流电压偏置从正电源稳压电路中通过两个470W电位器取出一部分提供，作为VQ。调制信号通过1.7mH的高频扼流圈L2和两个150pF电容C1、C2接成的p型滤波网络加到变容管上。11两个对接的变容二极管部分接入的直接调频电路（1）两个变容二极管串联后的总电容（2）两变容二极管反向串联，对高频信号而言，

6、加到两管的高频电压降低一半，可减弱高频电压对结电压的影响，另外在高频电压的任一半周内，一个变容管寄生电容增大，而另一个减少，从而消弱寄生调制。12图示是一个电容式话筒调频发射机实例。电容话筒在声波作用下，内部的金属薄膜产生振动，会引起薄膜与另一电极之间电容量的变化。如果把电容式话筒直接接到振荡器的谐振回路中，作为回路电抗就可构成调频电路。13电容式话筒振荡器是电容三点式电路，它利用了晶体管的极间电容。电容话筒直接并联在振荡回路两端，用声波直接进行调频。图（b）是电容式话筒的原理图，金属膜片与金属板之间形成电容，声音使

7、膜片振动，两片间距随声音强弱而变化，因而电容量也随声音强弱而变化。在正常声压下，电容量变化较小，为获得足够的频偏应选择较高的载频。14这种调频发射机载频约在几十兆赫兹到几百兆赫兹之间。耳语时，频偏约有2kHz；大声说话时，频偏约40kHz左右；高声呼喊时，频偏可达75kHz。这种电路没有音频放大器所造成的非线性失真，易于获得较好的音质。这种调频发射机只有一级振荡器，输出功率小，频率稳定度差，但体积小，重量轻。15Cj+–Cj0——反向电压v=0时的结电容VD——PN结内建电位差(很小)——电容的变化指数变容二极管

8、直接调频原理分析CjvW16CjQ当调制信号为：=gWgW+++)cos1()(0tVVVVVVCQDmDQDjCjvW结电容的调制度M17结电容的调制度静态结电容动态结电容18瞬时振荡角频率为:19线性调制调制特性分析最大频偏20调制特性分析利用函数展开幂级数21最大角频偏中心频率偏移调制灵敏度22例调频振荡回路有电感L和变容二极管组成。L=2mH,变容二极管的参数为：(1)载波fc(2)由调制信号引起的载波漂移△fc(3)最大频偏△fm(4)调频系数kf(5)二阶失真系数23解242526C3为高频滤波电容变容管

9、部分接入振荡回路27动态结电容C1、C2的引入，使Cj对回路总电容的影响减小，从而c的稳定性提高28C30.002uF20pF调频波输出2例：对图6-15所示的变容管直接调频电路。1.说明电路中各元件的作用；2.画出该调频振荡器的高频通路、变容管的直流通路和音频通路。3.若已知uΩ(t)=UΩmcos(2104t)(V)，变容管结电容Cj=80(UQ+uΩ)0.5(pF),调频指数mf=5，当uΩ=0时的振荡频率为fc=90MHz，试求变容管所需的直流偏置电压UQ，调频波的最大频偏Δfm以及调制信号的振幅UΩm

10、。29(1)R1、R2、R3、R4为晶体管提供直流偏置和直流通路，R4、R5、R6、R7为变容管提供直流反偏置和直流通路；1000pF，0.001mF、0.002mF均为高频旁路电容，即高频交流通路；47mH为高频扼流图，对高频近似开路，对直流、低频近似短路；47mF为隔直电容，对低频近似短路；C1、C2、C3、C4、C5、Cj和电感L1与晶体