变压吸附的实验研究

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1、维普资讯http://www.cqvip.com2002年第1期科技进展《AdvancesScience＆Technology}由氟硅酸制取高纯二氧化硅刘晓红卢爱军刘燕燕刘晓萍(南昌大学环境与化工学院，南昌330029*江西医学院校产处．南昌330006)摘要舟绍一种用氟硅酸制高纯二氧化硅的新工艺。先将氟硅酸和碳酸氢铵反应得氟硅酸铵，氟硅酸铵又和碳酸氢铵反应得二氧化硅，再经水洗、干燥、煅烧得高纯二氧化硅。研究了各种因素对产品纯度的影响。关键词氟硅酸碳酸氢铵制备高纯二氧化硅工艺制取高纯SiO2分天然法和合

2、成法。1985年以Ⅱ塑鲨前，多以天然石英、硅石法精制而得，但天然水晶有高纯二氧化硅是一种纯度极高、杂质极少的耐酸限，且制得的高纯SiO，杂质含量高。1985年以后．在碱、耐高温、电绝缘性良好的精细化工产品，属高技术13本、美国相继用合成法制高纯SiO，，建有年产1000无机硅材料。主要用于电子工业、大型集成电路、超—4000t的装置。合成法又分为干法和湿法。干法大型集成电路、光纤通讯、太阳能电池、激光磁盘、功是以硅的卤化物为原料通过气相法制造。其产品质能陶瓷等高科技领域。量高，可满足各用户的要求，但原料

3、价格贵，设备要求根据高纯SiO，的用途，其质量要求也不一样。高，投资大．成本高。湿法是以硅酸钠等为原料用沉用于半导体工业的高纯sio2其杂质含量为：淀法制造。原料价格便宜、腐蚀性小，投资较少，成本组成Fe203TiO2N~,20K10BCuP较低。干法是目前世界上高纯s．02的主要生产方含量(x10)3031．8181．80．30202法。1990年以后国外发表了一些有关湿法合成高纯若用作集成电路封装剂，高纯sio2中含有的金属杂SiO，的专利llI3J．1995年以后有小型的湿法生产装质总量小于10X

4、10“(质量分数)，非金属杂质总量小置。1990年以来，国内有用硅酸钠、稻壳灰湿法合成于1．0X10(质量分数)放射性元素U和11l各小于高纯sio2的文献[4～7]报道。迄今为止，未见有由1．0X10(质量分数)。其他用途对杂质的要求，大氟硅酸制高纯SiO的国内公开报道。体上介于上述两者之间。本研究用氟硅酸和碳酸氢铵为原料．湿法制取高SynthesisofFattyGlutaratesUsingHeteropolyAcidasCatalystXuShengxianDuanXianzhiHuGuoqia

5、ng2(1DepartmentofApp】ledChemisry，b'anchangProfessionalTechnologyNo皿a1College，Hancllang3300132BureauofLiaoyangEnvironmentalProtection，Liaoyang111000)AbstractThesynthesisofdiethanolglutarate(DEG)，dipropylglutarate(DPc)，dlbutylglutacats(DBG)，diamylglutarate

6、(DBG)，diisopentylglutarate(DIAG)，diis~ctylglutamte(DOG)，dlnonylglutarate(DNG)anddldecylu。tarate(DDG)incatalysisofhetempolyacidhavebeencarriedoutbye札e血c砒

7、0nofthecorrespondedsaturatedfatyaleo-holandglutaricacidsel~ratedfromdicarboxylicacidThesecompoundswer

8、euseda8solventOrlowtemperatureresistanceplasfic~er．Theefectsoftheamountofcatalyst，reactiontemperatureandtime，ratioofalcohol一~umfieacidateWel'~investlgated．andtheperformancespecific~iom，IRandHNMRspectraoftheseproductswe∞determinedTheexperi。mentalresutitss

9、howthatratesofesterificatlonofproductscarIallreachto94％orm0re．KeywordsGlutarlcacid．Hnteropolyacid，Saturatedfattyglutarate，Eaterificatlon，Synthesis维普资讯http://www.cqvip.com科技进展《AdvancesScience＆Technology}2002年第1期—冒目圜纯si02。该法