2008春电力电子技术试题A

2008春电力电子技术试题A

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1、试题:班号:姓名:(注:卷面80分,平时成绩20分)本题得分一、填空题(4小题,每空1分,共4分)1.晶闸管单相桥式整流电路,交流电源为工频220V(有效值),考虑2倍的安全裕量,则晶闸管的额定电压应不小于V。2.设GTO的电流关断增益为5,如果该器件要关断直流500A的电流,关断时门极负脉冲电流的峰值应不小于A。3.IGBT的开启电压一般为V。4.驱动电路要实现控制电路与主电路之间的电气隔离,其中光隔离一般通常采用的元件是。本题得分二、选择题(3小题,每空1分,共6分)1.在电力电子器件中属于电压驱动的是,

2、属于双极型的是,在可控的器件中,容量最大的是,A.SCR   B.GTO   C.GTR   D.P.MOSFET   E.IGBT   F.电力二极管2.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为。对同一晶闸管来说,通常擎住电流约为维持电流的。A.维持电流   B.擎住电流   C.2~4倍   D.1/2~1/4  第10页(共10页)试题:班号:姓名:3.图1是的典型驱动电路?A.SCR   B.GTO   C.GTR   D.P.MOSFET    图1本题得分三、简答题(5小题,每题3分,共15分)1.从

3、晶闸管的物理结构角度,回答下列问题:1)分析为什么晶闸管一旦触发导通之后,就可以自锁导通,而不再需要触发电流?2)为什么晶闸管导通之后,门极就失去控制作用,不能控制器件关断?2.关于SPWM控制技术,回答下列问题:1)什么是异步调制?2)什么是同步调制?3)什么是分段同步调制,与上述两个方式相比它有什么优点?第10页(共10页)试题:班号:姓名:3.图2中画出了有、无RCD缓冲电路时,晶体管关断过程中的电压电流变化轨迹。当有RCD缓冲电路时,回答下列问题:1)晶体管关断时应按照那条电压电流线(工作点轨迹)转移

4、?并说明理由。2)在该轨迹线上标出工作点转移的方向,并说明理由。图24.关于单相交流电能变换电路,回答下列问题:1)从电路结构方面,比较交流调功电路与交流调压电路的异同之处;2)从控制方式方面,比较交流调功电路与交流调压电路的异同之处;3)说明交流调功电路适用于什么样的负载。5.关于交交变频器,回答下列问题:1)什么是交交变频器?2)结合图3所示的单相交交变频器,说明其改变输出电压频率和幅值的方法。图3第10页(共10页)试题:班号:姓名:本题得分四、作图题(4小题,共21分)1.图4为晶闸管三相桥式整流电路

5、,输入为三相工频电源,负载电流连续,当α=π/6时,回答下列问题:(本题4分)1)在图5中工频线电压波形的基础上,画出整流输出电压ud一个工频电周期的波形。2)若整流电路采用双窄脉冲触发,在整流输出电压波形上方的对应位置,画出VT1和VT2的触发脉冲(应标明脉冲所对应的器件号)。图4图52.图6为全桥DC-DC变换器,E=200V,EM=80V,R=1Ω,L值极大,采用双极性PWM控制,开关周期Ts=100μs,器件V1的导通占空比为0.75,回答下列问题:(本题4分)1)画出一个开关周期上,器件V1和V2驱

6、动信号的波形(高电平表示开通,低电平表示关断),及变换器输出电压uo的波形。(波形图时间轴上应有准确的时间标注)2)计算输出电压平均值Uo图6第10页(共10页)试题:班号:姓名:3.三相桥式逆变器如图7所示,方波控制方式(180º导电方式)。负载为三相平衡的纯阻性负载,Y形连接。在图8中画出稳态时一个开关周期内,下列电压的波形(幅值应符合图中的要求):(本题5分)图7图8第10页(共10页)试题:班号:姓名:4.图9所示的单相全桥逆变电路工作于双极性SPWM模式。设载波比N=9要求:在图10中画出1个调制信

7、号波周期内下列电压的波形:(本题8分)1)V1的开关控制信号波形ug1(高电平表示开通,低电平表示关断)2)V2的开关控制信号波形ug2(高电平表示开通,低电平表示关断)3)输出电压uo的波形。图9图10第10页(共10页)试题:班号:姓名:本题得分五、计算题(4小题,共34分)1.单相桥式整流电路如图11所示,交流电源为工频220V,Ls=0;负载中rd=2Ω,Ld值足够大(使输出电流平直连续),反电势Ed=100V。回答下列问题:(本题12分)1)电路启动时(负载电流从零开始增加),计算使晶闸管能触发导通

8、的最小触发角a。2)当a=30°时,计算整流输出平均电压Vd、平均电流Id。3)在一个工频电周期上,画出输出电压vd的波形及输入电流is的波形。(两个波形的相位应彼此对应)4)计算输入电流有效值Is,和整流电路的功率因数PF。图11(提示:有关电流波形及其傅立叶级数)第10页(共10页)试题:班号:姓名:2.在图12所示的升压斩波电路中,已知E=100V,L值和C值极大,R=20Ω,采用脉宽调制控制

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