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1、最新模电复习要点详解第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-一导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、错Ge）。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体一一纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体一一在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。*N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂
2、质半导体的特性*载流子的浓度一-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻-一通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-一通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN结*PN结的接触电位差-一硅材料约为0.6~0.8V,错材料约为0.2~0.3VO*PN结的单向导电性一-正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性八ip/mA1E向特性«r/V%«f/V二.半导体二极管*单向导电性正向导通，反向截止。*二极管伏安特性----同PN结。*正向导通压降硅管0.6~0・7V,错管0・2
3、~0・3V。*死区电压硅管0.5V,错管0.lVo3.分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳〉V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳宀阴（反偏）,二极管截止（开路）。1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。7d（a）二极管电路2）等效电路法>直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳〉V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳宀阴（反偏），二极管截止（开路）。*三种模型>微变等效电路法（d）小着号模型一.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性一
4、-正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连稳斥管的伏安特性第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、品格状的半导体。4、本征激发：坏境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）
5、而电子为少子。6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。7、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时（称正偏），PN结止向导通,P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少了的漂移运动形成的o8、二极管按材料分有硅管0管）和错管（G色管）,按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏吋截止，
6、呈大电阻，零电流。其死区电压：Sl管约0。5V,G二管约为0。1V,其死区电压：Si管约0.5V,G。管约为0.1V。其导通压降：Si管约0.7V,6管约为0.2Vo这两组数也是判材料的依据。10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V,）②加反向电压时截止，相当断开。③加反向电压并击穿（即满足U>5）时便稳压为5。11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U。。三极管复习完第二章再
7、判）2v-10V5v+10VUR.VIIV2(G)(h)参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导迪。是硅管。b、二极管反偏截止。f、因V的阳极电位比阴极电位高,所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V。G、因VI正向电压为10V,V2正向电压13V,使V2先导通，（将V2短路）使输出电压U0=3V,而使VI反偏截止。h、同理，因VI正向电压10V、V2正向电压为7V,所以VI先导通（将VI短路），输出电压Uo=OV,使V2反偏截止。（当输入同时为0V或同时为3V,输Hi为多少，请同学自行分
8、析。）第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型-一分为NPN和PNP两种。2.特点-一基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态Ce°eVT°XLibJbixVTVT—ue」Lec」Lctb但)人发射极组态(b)人集电极组态(c
