第2章电力电子器件习题

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1、第2章电力电子器件习题一、填空题1.电力电子器件是总接用于电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。2.主电路是在电气设备或电力系统中，直接承担的电路。3.处理信息的电子器件一般工作于放大状态，而电力电子器件一般工作在状态。4•电力电子器件组成的系统，一般由、、、四部分组成。5.按照器件载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为以下三类：、和O6.按照驱动电路信号的性质，电力电了器件可分为以下分为两类：和o7.电力二极管的主要类型有、、o&针对电力二极管的特性，完成下列题目：1）将正向电流乙开始明显增加所对应的二极管两端的电压定义为。2）与正向电流"对应的二极管两端的电压定义为o3）

2、承受反向电压时，只有微小而数值恒定的电流流过，该电流定义为o4）承受很高反向电压而出现击穿时所対应的二极管两端的电压，定义为o5）从承受正向电压开始，到二极管完全导通所需要的时间定义为o6）在关断时，须经过一段短何的时I'可才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态，这段时间定义为O7）二极管在关断之前有较人的电流出现，并伴随有明显的过冲。9.普通二极管乂称整流二极管多用于开关频率不高，一•般为Hz以下的整流电路。其反向恢复时间较长，一般在以上。10.快恢复二极管简称快速二极管，其反向恢复时间较短，一般在以下。11•品闸管的基木工作特性可概括为：承受反向电压吋，不论，晶闸管都不会导通

3、；承受正向电压时，仅在悄况F,晶闸管才能导通;晶闸管一旦导通,就失去控制作用。要使品闸管关断，只能使品闸管的电流。12.品闸管的派生器件有：、、、13.普通晶闸管关断时间,快速晶闸管,高频晶闸管左右。高频晶闸管的不足在T-JI彳、易做高。14.晶闸管可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。15.逆导晶闸管是将反并联一个制作在同一管芯上的功率集成器件。16.光控晶闸管乂称光触发晶闸管，是利用触发导通的品闸管。光触发保证了主电路与控制电路之间的，并且可避免电磁干扰的彩响。常应用在的场合。17.针对晶闸管的特性，完成下列题冃：1）晶闸管的关断时间由两段时间组成，分别是：时间和时间。2

4、）将指定的管壳温度和散热条件下，晶闸管允许流过的最人工频正弦半波电流的平均值定义为流，用IT（AV｝表示。厶（仍是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按冇效值相等的原则來选取电流定额，并应留有一定的裕量，该电流对应的有效值为—倍^T（AV）°3）使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为,川匚表示。晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流称为,用人表示。对同一晶闸管来说，通常厶约为乙的倍。4）在门极断路并H.结温为额定值时，将允许重复加在器件上的正向峰值电压定义为，用表示；将允许垂复加在器件上的反向峰值电压定义为，用Urr我示。通常収晶闸管的匕耿和匕加中（该空选

5、项：较大或较小）的标值作为该器件的额定电压。选用时，应考虑安全裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的倍。5）断态电压临界上升率duldt是指：在额定结温和门极开路的情况下，不导致品闸管从断态到通态转换的外加电压授大上升率。电压上升率过大，就会使晶闸管o6）通态电流临界上升率di/dtik指：在规定条件下，晶闸管能承受而无冇害影响的授大通态电流上升率，如果电流上升太快，可能造成使晶闸管损坏。12.GT0的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。13.GTO的额定电流是用电流来定义的。GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值/gm之比称为，该值一般

6、很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。14.GTR导通的条件是：且o15.针对GTR的特性,完成F列题目:1）单管GTR的电流放大系数0值比小功率的晶体悖小得多，通常为10左右，采用接法可有效增大电流增益。2）在电力电子电路中，GTR工作在开关状态，在开关过程中，即在输出特性中区和区之间过渡时，要经过放人区。3）集电极最大允许电流/⑷，通常被规定为当直流电流增益力铠下降到规定值的时所对应的集电极电流。4）GTR的安全工作区，由、、及二次击穿临界线共同限定。16.电力MOSFET导通的条件是：且。开关时间的人致范围是:17.针对电力MOSFET的特性，完成卜冽题目：1）电力MO

7、SFET属于单极型晶体管，即只有载流子参与导电。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，采用集成结构。2）电力MOSFET的漏极伏安特性中的二个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的二个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。3）电力MOSFET的通态电阻具有温度系数，对器件并联时的均流有利。4）电力MOSFET的开关过程中，开通时间等于时间与之和，关断时间等于时间和时间之和。5）使电力MOSFET开通所需要的最小