多晶硅标准初稿

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1、ICS29.045H82中华人民共和GB/TXXXX—xxxx太阳能级多晶硅Solar-GradePolycrystallinesilicon（初稿）XXXX・XX发布XXXX・XX实施中华人民共和国家质量监督*检验检疫总发布家标准化管理委员会本标准是为适应我国光伏产业H益发展的需要，在修改采用SEMI16-1296《硅多晶规范》标准的基础上，结合我国硅多晶硅牛产、试验、使丿IJ的实际情况而制定的。本标准的制定能满足市场及用八対太阳能级多品硅的质量要求。木标准考虑了目前帀场上的大部分多品硅料，包括：硅粉、碳头料、棒状料、

2、块状料、颗粒料等，根据不同种类的硅多晶加工、牛:产太阳能电池其转换率情况，将太阳能级硅多品纯度指标分为三级。与SEMI16-1296相比增加了基体金属杂质内容。本标准的术语与相关标准协调一致。本标准由中国冇色金属工业协会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司。木标准主要起草人：杨玉安、袁金满、孙世龙、汪义川。太阳能级多晶硅1范围木标准规定了太阳能级硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。本

3、标准适川于以三氯氢硅或四氯化硅为原料，生产的棒状多晶硅、粒状状多晶硅、包括块状多晶硅、碳头料和牛产过程屮的硅粉，以及采川物理提纯法提纯牛产的多晶硅。产品主要用于太阳能级单晶硅棒和多晶硅锭的生产。2规范性引用文件下列文件中的条款通过木标准的引用而成为木标准的条款。凡是注LI期的引用文件，英随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T1550GB/T1552GB/T1553GB/T40

4、59GB/T4060GB/T1558GB/T1558非本征半导体材料导电类型测试方法硅、餡单晶电阻率测试宜排四探针法硅和餡体内少数载流了寿命测定光电导衰减法硅多晶气氛区熔磷检验法硅多晶真空区熔基硼检验法硅晶体中间隙氧含虽的红外吸收测虽方法测定硅晶体小代位碳含量红外吸收方法GBfTXXXX-200X硅多晶中基体金属杂质化学分析电感耦合等离了体质谱法GB/T14264半导体材料术语ASTMFI389-00光致荧光光谱测单晶硅屮111-V族杂质ASTMF1724-01利用原了吸收光谱测量多品硅农面金属杂质3要求3.1分类产品按

5、外型分为块状、粒状、粉状和棒状多晶硅，根据纯度的差别分为3级。3.2牌号硅多晶牌号表不为：SOGPSi—□—阿拉伯数字表示硅多品等级—字母I表示棒状，N表示块状、G表示粒状、P表示粉状表示太阳能级硅多晶3.3技术要求3.3.1棒状、块状硅太阳能级棒状、块状多品硅的纯度及相关技术要求应符合表1的规定。表1项目太阳能级硅多晶等级1级品2级品3级品N型电阻率，Q•cm250$15$10P型电阻率，Q・cm2500210210氧浓度,at/cm3W1.0X10”wi.oxio"^l.OXlO17碳浓度，at/cm3W2.5X10

6、"W5.0X10"W5.0X10"N型少数载流子寿命，卩s2100350210基体金属杂质，ppmwFe^Cr、Ni、Cu>Zn、Ca、Mg、Al,TMIW0.05Fc、Cr、Ni、Cu^Zn^Ca>Mg^Al,TMIWO.5Fe^Cr>Ni>Cu>Zn^Ca、Mg^Al,TMIWO.53.3.2粉状多晶硅粉状多晶硅的纯度及相关技术要求应符合表2的规定。表2项目太阳能级硅多晶等级1级品2级品P含量，ppmaW0.0017WO.006B含量，ppmaW0.0005WO.027氧浓度，at/cm3^l.OXlO17^l.OX

7、lO17碳浓度，at/cm3W2.5X1016W5.0X10"基体金属杂质，ppmwFe、Cr>Ni>Cu>Zn>Ca>Mg、Al,TMIWO.05Fe、Cr>Ni>Cu>Zn>Ca>Mg>Al,TMIWO.53.3.3碳头料碳头料中的碳去除干净，可以用作太阳能铸锭和拉棒。其技术要求同表1太阳能级块状和棒状多晶硅纯度要求中的2级品。3.3.4粉状料粉状料可以太阳能铸锭，其技术要求应符合表2中2级品的规定。3.4尺寸范围3.4.1破碎的块状硅多品具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小为6mm,最大为100mm。3.

8、4.2块状多晶硅的尺寸分布范围为：a)6〜25nun的最多占重量的15%；b)25〜50mm的占重量的15%~35%；c)50〜100mm的最少占重最的65%。3.4.3棒状多晶硅的直径、长度尺寸由供需双方商定。其直径允许偏差为10%。3.5结构及表面质量3.5.1块状、棒状硅多晶结构应致密。3.5.2多晶硅免洗或经