杂散干扰导致低VOLTEMOS分析_图文

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5、致低VOLTEMOS分析J家中兴问题编号设备类型eNodeB问题类型其他问题影响导致本地VOLTE测试MOS值差问题状态已走位已解决上报省份四川上报时间2016-5上报人问题在进行复杂场景背街小巷测试时，主叫在御旗路上UE于11:05:52.486发生了连续MOS描述差。一、问题发现:1.测试人员11:05:52.486在御安路进行测试时，主叫占用绵阳涪城御营一队-ZLH2小区（图屮站名是解析错误）出现长段连续MOS差;被叫MOS正常。因此，重点从主叫UE入手，此时,主叫UE信号-74dBm,SIN30,均正常。但Volte丢包率较高,排

6、除系统侧RLC确认模式和PDCP相关参数外，需再次确认无线环境因素。xn®MODKltDQU®2.鼎利软件出的MOS图层上,显示的MOS值存在延时。即在T时刻输出的MOS值,其实际产生的时段是（T-8厂T,但在图层上显示的时段为T~（T+8）。回看数据,重点从11:05:44到11:05:52的数据开始分析。如下图所示，从11:05:47开始，主叫UE连续在该小区做了4次RRCConnectionReestablishment,请求重建原因为reestablishmentCause=otherFailureo但此时该小区rsrp和sinr

7、都较好，排除无线下行问题。!<«?($)R9I9SXI)T・O)MM)9Vt(A)Vu4W)EF)■■"E1(C)，MA»®Q-KYIme阳冷績属天gKKMIWJ兀如）wKdRS4）can-05?cII1Xl；D»^9J»lI!0$；».4Mll:0$:29Wn.osjXMTLon;104.7342606*1<*wor^actaMIMSJ•«<•!・•>0•«>OQi♦I1:G5：4?XCH:05：创心订如”H：QSHF)UMM272ItiOSi^MWlK5r^J44ILCMMM.

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