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1、第1章绪论1.电源Lis信息检测55T—半导体电力开关控制信号输出反馈控制系统I运行指令图1.1电力电子装置及其控制系统2.电力电子装置的主要类型：整流器、直流斩波器、逆变器、交流调压器、静态开关。3.电力电子装置的应用概况：A.直流电源装置;通信电源，充电电源，电解、电镀直流电源，开关电源。B.交流电源装置;交流稳压电源，通用逆变电源，不间断电源UPS。C.特种电源装置：静电除尘用尚压电源，超声波电源，感应加热电源，焊接电源。4.半导体电力电子开关器件：电力二极管：晶闸管：(a)符号AoR——11——_KCKII~~(b)等效电路图1.2半导体二极管
2、电力晶体三极管：图1.5BJT的符号(b)接法G⑻符号图1.3晶闸管符号及接法电力场效应品体管：体内的二极管(a)N型MOS管图1.7漏极D源极S绝缘门极双极型晶体管IGBT：K图1.4GT0的符号(b)P型MOS管P-MOSFET的符号和等效电容图1.9TGBT管擎住效应原理图体内的二极管(c)极间电容管2.从不同角度对电力电子器件进行分类A.按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：（1）半控型器件：晶闸管及其派生器件（2）全控型器件：IGBT,MOSFET,GTO,GTR（3）不可控器件：电力二极管B.按照驱动信号的波形（电力二极管除外）（1）脉冲
3、触发型：晶闸管及其派生器件（2）电平控制型：（全控型器件）IGBT,MOSFET,GTO,GTRC.按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类：（1）单极型器件：电力MOSFET,功率SIT,肖特基二极管（2）双极型器件：GTR,GTO,晶闸管，电力二极管等（3）复合型器件：IGBT,MOT,1GCT等D.按照驱动电路信号的性质，分为两类：（1）电流驱动型：晶闸管，GTO,GTR等（2）电压驱动型：电力MOSFET,IGBT等3.MCT和1GCT：在晶闸管结构中引进一对MOSFET管，通过这一对MOSFET管来控制晶闸管的开通和关断就组成了
4、MCT。集成门极换流晶闸管IGCT又称为发射极关断晶闸管ETO,实际上IGCT就是把MCT屮的MOSFET管从半导体器件内部移到外部来，即在晶闸管壳的外部装设环状的门极，再配以外加集成MOSFET实现体外MCT的功能。7.半导体电力开关模块和电源集成电路:G~~1AK（1）电力转换模块:把同类或不同类的一个或多个开关器件按一定的拓扑结构及转换功能连接并封装在一起的开关器件组合体。主要有二极管整流模块、晶闸管模块、达林顿三极管模块、MOSFET功率模块、IGBT模块、AC-DC-AC变频功率模块、大功率肖特基二极管模块、快速二极管模块。（2）功率集成电路
5、PIC：将电力电子开关器件与电力电子变换器控制系统中的某些环节（工作状态监测、故障保护、驱动信号处理、缓冲电路等）制作在一整体器件上。分为高压集成电路I1VIC.智能功率集成电路SPIC、智能功率模块IPM。（3）电源管理集成电路IC：一种可以各种方式来控制电源转换并管理各种器件的集成电路。大致可以分为辅助类和控制类,每一类又可分为隔离类和非隔离类。&散热途径主要有热传导、热辐射、热对流三种。对电力电子器件来说，主要采用热传导、热对流。9.缓冲电路的基本工作原理：利用电感电流不能突变的特性抑制器件的电流上升率，利用电容电压不能突变的特性抑制器件的电压上
6、升率。通常电力电子装置中的电力电子器件都工作于开关状态，器件的开通和关断都不是瞬时完成的。器件刚刚开通时，器件的等效阻抗大,如果器件电流很快上升，就会造成很大的开通损耗；同样器件接近完全关断时，器件的电流还比较大，如果器件承受的电压迅速上升，也会造成很大的关断损耗。其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。缓冲电路开通（小联）关斯（并联）无极性25有极性复合型«i.i耗能式缓冲电路血厶.常用的关断缓冲电路常用开通缓冲电路复合缓冲电路：BJT开通时电感Ls抑制电流的上升率di/dt,关断时抑制电压上升率d
7、u/dto常用的RCD关断缓冲电路：开关管T是BJT,由于二极管。$的单向导电性，T关断吋，G立即起作用，Cs两端的的电压不能突变使得集电极和发射极两端的电压上升率du/dt被限制，电容越大du/dt越小，即du/dt=Im/Cs。由于有Cs,BJT关断时其集电极被电容电压牵制，不会出现集电极电压和电流同时达到最大值的情况。常用开通缓冲电路：BJT开通时，集电极电压下降期间，电感Ls抑制电流的上升率di/dt,当GTR关断吋Ls中能量0.5LsIm2通过二极管Ds续流，其能量消耗在Ds和电抗器的电阻上。10.保护技术：过电流保护，电流信号的检测，输出过
8、压保护，输入瞬态电压抑制，输入欠电压保护，过温保护，器件控制极保护，自锁式保护电路。电流信号的
