2018电力电子考考试试卷A

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1、得分一、选择题（每小题3分，共10题，共计30分）1、在下面几种电路中，能实现有源逆变的电路有哪几种oA、三相半波可控整流电路。B、三相半控整流桥电路。C、单相全控桥接续流二极管电路。D、单相半控桥整流电路。2、在有源逆变电路中，逆变角“的移相范围应选为最好。A、P=90°^180°,B、0=35°s9O°,C、^=0°^90°,D、^=0°^1803、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于oA、U相换相时刻电压u”B、V相换相时刻电压山，C、等于山+山的一半即:生严D、无法判断4、对于单相交流调压电路，下而说法错误的是（）A、晶闸管的

2、触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、品闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、品闸管的触发角小于电路的功率因素角止常工作并达到稳态时，品闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度5、品闸管触发电路中，若使控制电压Uc=0,改变的大小，可使直流电动机负载电压Ud=0,使触发角a=90°o达到调定移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。A、同步电压，B、控制电压，C、偏移调正电压D负载电压6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）A、加快功率晶体管的开通B

3、、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件7、直流斩波电路是一种（）变换电路。A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路9、己经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下10、IGBT是一个复合型的器件，它是（）A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D

4、、MOSFET驱动的GTO得分二、填空题（每题2分，共10题，共计20分）1、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为与两大类。2、对异步电动机实施变频调速控制，通常的控制方式有、、、等四种。3、PWM逆变电路的控制方法有、、三种。其中调制法乂可分为、两种。4、通常变流电路实现换流的方式有、、、四种。5、在单相交流调压电路中，负载为电阻性吋移相范围是,负载是阻感性时移相范围是o6、在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有；；；和等几种。7、提高变流置的功率因数的常用方法有、、、几种。8、目前常用的具有自关断能力

5、的电力电子元件有、、、儿种得分三、判断题（每小题2分，共10题，共计20分）1、三相桥式半控整流电路，带大电感性负载，有续流二极管时，当电路出故障时会发生失控现象。（）2、晶闸管并联使用时，必须采取均压措施。（）3、供电电源缺相、逆变桥元件损坏、逆变换流失败等故障。也会引起逆变失败。4、电压型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量，必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。（）5、用多重逆变电路或多电平逆变电路，可以改善逆变电路的输出波形，使它更接近正弦波。（）6、三相桥式全控整流电路，输出电压波形的脉动频率是150HZo（）7、在普通晶闸管组成的全控整流电路中，带

6、电感性负载，没有续流二极管时，导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。（）8、在桥式半控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管吋，输出电压波形中没有负面积。（）9、提高电力电子装置的工作频率，可以使电力电子装置的体积和重量减小。（）10、无源逆变电路，是把直流电能逆变成交流电能，送给电网，（）得分四、问答题（每题10分，共2题，共计20分）升压靳波电路1、根据下图简述升压斩波电路的基本工作原理。（图屮设：电感L、与电容C足够大）在一周期内的电压波形图。单相桥式半控整流电路2、单相桥式半控整流电路，电阻性负载。当控制角u=90°时，画出：负载电压ud＞品闸管VT1电

7、压uvti、整流二极管VD2电压uvd2,得分五、大题(每题10分，共1题，共计10分)1、三相桥式全控整流电路,U2=100V,带电阻电感性负载,R=5Q丄值极大。当控制角a=60°时，求：A、画出山、id、ivn>的波形。B、计算负载平均电压山、平均电流叽、流过晶闸管平均电流和有效电流5的值。一、选择题1、A；2、B；3、C；4、C；5、C；6、A7、(C)8、(B)9、(A)1O>(B)二、填空1、零电压电路，零电流电路，2、恒压频控制，转差频率控制，欠量控制，直接转矩控制，3、计算法，调制法，跟踪控制法。异步调控法，同步调控法，4、器件换流，电网换流，负

8、载换流，强迫换流，6、避