OLED光刻工艺

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1、OLED光刻工艺---------------------2008-5-27目录整体设备及流程各个设备工艺点分别说明光刻材料光刻设备layout流程OLED工艺流程光刻前清洗脱膜蚀刻烘烤涂布曝光预烘显影蒸镀封装切割烘烤测试玻璃流向CleanBeforCoating机台构造Cleanbeforecoater清洗能力：1、刷洗：5um以上的无机物颗粒。2：高压水洗：3-5um的颗粒3、二流体－是将一种高压气态流体与一种液态流体混合后再通过一种特殊的喷嘴超音速喷嘴使高压气体与清洗液形成的液滴以超过声音在空气中的传播速度340米/秒的速度喷出

2、。颗粒在喷射时产生的冲击波作用、被清洗物体表面受到冲击时产生的振动作用、液滴沿被清洗物体表面高速喷射这三种作用的协同作用下而被去除。粒径在0.1m的微细颗粒的去除率达到80%以上的效果CleanBeforCoatingIR/UV/CPUV作用------分解玻璃表面的有机物，干燥IR作用------加热，把前面清洗完留在玻璃表面上的水渍通过加热的方法去掉，保证下面工序的质量。IR/UV/CPIRUVCP基板表面温度：120±10℃低圧水銀LampCTU-160Z-22-C-BLCP个数：2个加热方式：红外加热(上側6孔下側5孔)14

3、支灯管基板表面温度：23±2.0℃最高加热温度：300℃初期光积量：1000mj/cm2冷却方式：吸着方式波长:254nm,185nm使用寿命:6000HRS搬送速度:V=1200mm/minCoatercoaterCOATER局部百级----CLEANBOOTHcoater涂布速度5-50mm/sec光阻剂粘度5-27cps涂布方向370方向涂布厚度WET：5～14μmDRY:1～3μm涂布有效区域涂布区域的四周15mm以上涂布精度有効AREA内15mm±3％有効AREA内10mm±5％环境class100加热温度150℃±２℃2+

4、2保持110s冷却温度21～25℃±２℃1+1保持75s膜厚：光刻胶：1-1.2umPI：1.7-2.0umRIB:3um左右材料粘度：光刻胶：6-10cp(6)PI:6-10cp(6)RIB：0-30cp(27)coater供液系统－－3套1加仑瓶:4LNoepack瓶：20L曝光机Lamphouse曝光机主体DNK基板MASK曝光机特殊基板平台正面背面曝光机平台控温原理曝光机曝光原理准直（平行光）半角1.46～1.98°偏移角0.82°曝光机基板运送动作曝光机GAPGAP测量原理：曝光机GAP测量的特殊区域，要求为镂空区域GAP测

5、量允许值：5μm设定值：50μm曝光机自动对位DNK标记说明：曝光机MASK的使用介绍1、对位标记2、四道曝光过程说明金属：mask基板ITO：mask基板PI：mask基板RIB：mask基板曝光机工艺点说明1、对位精度：预对位±20μm以内自动对位±1μm以内mask对位±5μm以内2、Tacttime:预对位19sec./Sheet自动对位20sec./Sheet3、解析度：8μm曝光机4、上、下流速度：6～10m/min.5、光源：波长：i-line(365nm)、h-line(405nm)、g-line(436nm)初期照度

6、(光强)：16mW/cm2（i-line管控）照度分布:±3％以内照度分布＝±(max.－min)/(max＋min)×100%显影机台构造N2保护喷淋摇摆显影INLETCONVEYORDEVELOPNEUTRALSHOWER1SHOWER2FINALSHOWERAIRKNIFEOUTLETCV使用液体2.38%TMAH純水純水純水純水工艺温度23~30℃±1℃成行温度成行温度成行温度成行温度流量范围OscillationShower:20~130L/minSlitShower:4~25L/min4~45L/min4~45L/min

7、4~45L/min喷淋压力0~0.4MPa0~1.0MPa0~1.0MPa过滤芯规格OscillationShower:10μmx2SlitShower:10μmx21.0μmx20.2μm上侧喷嘴数量OscillationShower:12/12/12/12SlitShower:155`6`55`6`55`6`5下侧喷嘴数量35`6`55`6`55`6`5搬送速度1.0~3.0m/minPOSTBAKE机台构造POSTBAKEHPCP基板表面温度:140±3.0℃基板表面温度:23±2.0℃加熱方法:・1枚目：Proximity

8、pin方式(H=0.5mm)・2枚目：LiftPinProxi方式・3～7枚目：吸着方式冷却方法:・1枚目：Proximitypin方式(H=0.5mm)・2枚目：吸着方式搬送速度:V=3000mm/min刻蚀金属刻蚀与