PCB流程-图形电镀&蚀刻

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1、PCB流程-图形电镀&蚀刻※制程目的加厚线路及孔内铜厚，使产品达到客户要求图形电镀制程目的图形电镀工艺流程※工艺流程上板→除油→水洗→微蚀→水洗→酸浸→镀铜→水洗→酸浸→镀锡→水洗→下板→退镀→水洗→上板图电工序主要工艺参数流程主要药水成分主要工艺参数作用除油AcidCleanerACD（ATO）操作温度：28-32℃、操作时间：3-5min、浓度：15%-20%清洁板面微蚀NPS（过硫酸钠）+H2SO4操作温度：24-28℃、操作时间：1-2min、微蚀速率：0.7-1.3um/cycle去除氧化物、粗化铜面酸浸H2SO4操作温度：室温、操作时间：0

2、.5-1min、浓度：7%-12%去除轻微氧化及维持药水浓度镀铜CuSO4、Cl-、H2SO4、光剂操作温度：22-27℃、镀铜时间：86min或更长加厚铜镀锡SnSO4、H2SO4、光剂操作温度：18-22℃、镀锡时间：10min或更长镀锡为碱性蚀刻提供抗蚀层退镀HNO3操作温度：室温、退镀时间：5-8min去除电镀夹具上的镀铜流程详解※除油（AcidClean)1、流程目的：清洁铜面，去除上工序的残膜及人手接触后的指印等油性污垢（使用酸性溶液，以免使干膜受损）。2、主要成分：AcidCleanerACD(ATO)3、操作温度：28-32℃4、处理时

3、间：3-5min流程详解※微蚀（MicroEtch)1、流程目的：除去铜面上的氧化物,粗化铜面，提高镀层结合力。2、主要成分：过硫酸钠、硫酸3、操作温度：24-28℃4、处理时间：1-2min流程详解※镀铜预浸（Pre-dipforCuPlate)1、流程目的：用稀硫酸除去铜表面的轻微氧化；维持镀铜缸之酸度，减小镀铜缸成份的变化。2、主要成分：硫酸3、操作温度：室温4、处理时间：0.5-1min流程详解※镀铜（CopperPlate)1、流程目的：在酸性硫酸铜镀液中，铜离子不断的得电子被还原为金属铜，沉积在板面及镀铜孔内，直至达到所需的厚度。2、主要成

4、分：硫酸、硫酸铜、氯离子、Brightener125T-2(R&H)、Carrier125-2(R&H)3、操作温度：22-27℃4、处理时间：86min流程详解※镀锡预浸（Pre-dipforTinPlate)1、流程目的：用稀硫酸除去铜表面的轻微氧化；维持镀锡缸之酸度，减小镀锡缸各主要成分变化。2、主要成分：硫酸3、操作温度：室温4、处理时间：0.5-1min流程详解※镀锡（TinPlate)1、流程目的：在酸性硫酸亚锡镀液中，亚锡离子不断的得电子被还原为金属锡，沉积在已经镀铜的板面及孔内，直至达到所需的厚度。2、主要成分：硫酸、硫酸亚锡ECPar

5、tA(R&H)ECPartB(R&H)3、操作温度：18-22℃4、处理时间：10min或更长流程详解※夹具退铜（RackStrip)1、去除电镀夹具上的镀铜，方便下一循环的电镀进行。2、主要成分：硝酸3、操作温度：室温4、处理时间：5-8min图形电镀设备待图电的板图电后的板蚀刻工序※制程目的蚀掉非线路铜（底铜和板电层），获得成品线路图形，使产品达到导通的基本功能。蚀刻工艺流程※工艺流程退膜→水洗→蚀刻→水洗→退锡→水洗→烘干蚀刻工序主要工艺参数流程主要药水成分主要工艺参数作用退膜NaOH浓度：1.8%-3.0%操作温度：28-50℃速度：2.0-4

6、.0m/min压力：2.0-2.5bar退掉干膜蚀刻CuCl2NH4ClNH4Cl比重：1.170-1.190操作温度：48-52℃速度：2.0-5.0m/min压力：1.5-3.3bar蚀掉非线路铜层退锡SS-188（HNO3）总酸度：3.8-4.5N操作温度：20-38℃速度：2.0-4.0m/min压力：1.8-2.2bar退掉抗蚀层-镀锡层流程详解※退膜退膜制程所使用的化学药液以NaOH为主，药液浓度在1-3%左右（重量比），槽液温度在30-50℃左右。之所以采用NaOH作为退膜药液主要是因为其对已硬化的干膜有较好的溶解性能，且价格低廉。流程详

7、解※碱性蚀刻1、组成：蚀刻液以氯化铜、氯化铵和氨水配成。2、蚀刻原理：在氯化铜溶液中加入氨水，发生络合反应：CuCL2+4NH3→Cu(NH3)4CL2在蚀刻过程中，板面上的铜被[Cu(NH3)4]2+络离子氧化，反应如下：Cu(NH3)4CL2+Cu→2Cu(NH3)2CL2流程详解3、蚀刻药水的再生：Cu(NH3)2CL2为Cu+的络离子，不具有蚀刻能力，在有过量NH3和CL-的情况下，能很快地被O2所氧化，生成具有蚀刻能力的[Cu(NH3)4]2+络离子，反应如下：2Cu(NH3)2CL2+2NH4CL+2NH3+1/2O2→2Cu(NH3)4C

8、L2+H2O流程详解※退锡1、药水类型：硝酸型：放热轻微、沉淀较少、不腐蚀环氧树脂表面、腐蚀铜