中科大微机原理考研试题

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1、中科大微机原理考研试题试题名称:微机原理(总分150分)(答案写在答题纸上)一.填空题(45分)1.Intel8086CPU中引脚BHE信号有效的含义表示地址数据总线AD15~AD8上的高8位数据有效。（高8位数据总线允许引脚）2.Intel8086CPU分配给一下寄存器的缺省的段寄存器为：BPSS;SPSS；BXDS；IPCS；SI　DS。3.设数据段中定义：ABCDD1234567H，MOVAX,WORDPTRABC+l，执行后AX的值为　123H。4.设SP=0040H.如果用进栈指令存入l个数据，则SP=　003EH，若又用出栈指令取出数据，则SP=　0040H。5.存储单元物理

2、地址是23856H.偏移地址为236H.段地址为　2362H。6.当存储器的读出时间大于CPU所需求时间时，为保证CPU与存储器的周期配合就要利用　Ready信号，使CPU插入一个TW状态。7.Intel8086接受中断类型码，将它左移　2位后，形成中断向量表的指针。8.8255能实现双向传送功能的工作方式为　方式2。9.将8253的三个计数器级联，各计数器均取最大计数初值，总计数值用最简形式表示是（65536）3，写入三个计数器的最大计数初值都是0（65536）。10.下面程序执行后MOVAL,98H；MOVAH,AL；MOVCL,4；SHRAH,CL；ANDAL,OFH；AAD；AL

3、=6298H。二．简答题(45分〉1.在8086基本总线周期T1－T4中，什么情况下需要插入等待周期TW，TW应插在那里?怎样插?答：在存储器和外设速度较慢时，要在T3之后插入一个或几个等待状态TW。8086在T3状态一开始测试READY线，若READY为高电平，则T3状态后即进入T4状态；若READY为低电平，在T3状态后会插入一个TW状态，以后在每一个TW状态的开始，CPU都会测试READY线，只有当它为高电平时，才在当前TW状态结束后进入T4状态。2按要求编写程序，在0100H单元和OlOAH单元开始，存放各为10字节的BCD数(地址最低处放的是最低字节)，求它们的和，且把和放在01

4、14H开始的存储单元中。设为ASCIIBCD数,程序如下：MOVCX,10MOVBX,100HXORAL,AL；清0AL和进位标志CFAG:MOVAL,[BX]ADCAL,[BX+10]AAAMOV[BX+20],ALINCBXLOOPAGMOVBYTEPTR[BX+30],0RCLBYTEPTR[BX+30],13.令设备M1、M2、M3、M4是按优先级次序排列的，其中Ml的优先级最高，中断请求的次序如一下各题，试用图解分别给出设备中断处理程序的运行次序。假设所有的中断处理程序在保护现场后就有开中断指令STI.并在中断返回前发出结束命令。(1)设备Ml和M2同时发出中断请求:(2)设备旧

5、的中断处理程序完成之前，设备M2发出中断请求:(3)设备旧的中断处理程序完成之前，设备刷发出中断请求;4.CPU和外设之间数据传输的方式有那些?各自的适用范围是什么?5.设采用8251A进行异步串行传输，每帧信息对应一个起始位，7个数据位，1个奇偶校验位，1个停止位，波特率位9600，则每分钟能传输的最大字符数是多少?三．分析设计题(60分〉1.画出8086CPU与1M字节存储器连接的框图，并说明CPU如何实现对存储器读/写字节和字的控制?cpu存储器A0～A9→A0～A9D0～D7→D0～D7RD→OEWR→WECS－0V2.用8255设计一个具有64个按键的键盘接口电路,如下图。(1)

6、画出PC机系统总线和8255的连线:(2)图中a键和b键编码各是多少?(3)设8255的地址为3COH～3C3H。写出8255初始化程序提示8255的工作方式寄存器控制字如下:3.令8253计数器通道2输出接有一个发光二极管，如下图所示，采用通道2和通道1级联。现要求发光二极管点亮2秒，熄灭2秒的时间间隔工作，令通道1Out1输出周期位4ms。问:(1)如图连接，8253各立出口地址周期有何共同特点?(2)按以上要求编出8253的程序，并给出详细注释?Y1的译码电路未给出，故无法知道8253的具体地址。只能确定最低3位的地址：通道0001通道1011设为X3H通道2101设为X5H控制字寄

7、存器111设为X7H2M经分频电路输出给clk1为1M,其周期为1μS，所以通道1应该作方波发生器，计数值为4MS/1μs=4000=0FA0H依题意，通道2要输出2S高电平、2S低电平，所以通道2也应该作方波发生器，其周期为4S,它的计数值为4S/4Ms=1000=03E8H。程序如下：MOVDX,X7HMOVAL,76H；CH1方式3，先写低8位后写高8位，二进制计数OUTDX,ALMOVDX,X3H；写CH1的计数