高中生物奥林匹克竞赛辅导专题讲座 专题十三 动物的神

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1、高中生物奥林匹克竞赛辅导专题讲座专题十三动物的神经系统[竞赛要求]1.中枢神经系统(脑和脊髓)、外周神经系统、自主神经系统(交感和付交感系统)2.反射3.神经系统的高级功能4.神经调节和体液调节5.感觉器官(眼和耳)[知识梳理]应激性:生物体对外界刺激所发生的反应,称为应激性。应激性使生物趋利避害,有利于生物体。单细胞动物的反应方式为趋性,如趋化性、趋光性等。特点是具有选择性:能“识别”有关、无关刺激,进行取舍,对生物体有保护作用。多细胞动物则通过神经系统、内分泌系统、和免疫系统共同完成对刺激的反应能力。;一、神经系统基本结构(一)神经元1

2、.结构:由细胞体、突起组成。2.突起:有树突、轴突。树突短而分支多,有感受刺激的能力,为传入纤维。轴突长而分支少,仅末端分支;无感受刺激的能力,为传出神经。轴突末端分支、膨大为突触小体,与下一个神经元、效应器相连。神经轴突外面包有外膜,为神经膜,是施旺细胞(神经胶质),有保护、营养、再生的作用。神经纤维受到损伤后,在有施旺细胞包裹的情况下,细胞体能再生出新的轴突。在施旺细胞和轴突之间还常有另一外鞘,称髓鞘,神经膜(雪旺氏)细胞向内延伸而成,位于神经膜与轴突之间、多层、片状,由磷脂构成,有绝缘作用。两个雪旺氏细胞相邻处为郎飞氏节。依据轴突是否

3、有髓鞘,将轴突分为有髓(鞘)神经纤维和无髓(鞘)神经纤维。3.神经元类型可分为单极神经元、双极神经元、多极神经元。(二)神经胶质细胞:数量多。无传导功能,有保护、支持、营养、再生、绝缘等功能;参与神经递质代谢;帮助记忆。2.神经节神经元细胞体聚集形成为神经节。在无脊椎动物体内,神经元细胞体集中的部位为神经节;在脊椎动物中,神经元细胞体大多在中枢神经系统(脑、脊髓)内,少数在脊神经节、交感神经节中。二、反射弧(一)反射:机体对刺激有规律的反应;是神经调控的基本方式。感受器(皮肤)传出神经(运动神经)效应器(肌肉)神经中枢传入神经(感觉神经)(

4、二)反射弧:从接受刺激到发生反应的全部神经传导途径。反射弧分5部分:感受器:感受刺激、产生兴奋(冲动);传入神经:将冲动传导(传入)至反射中枢;反射中枢:脑、脊髓中起调节作用的细胞群,整合、发出指令(神经冲动);传出神经:将指令传导(传出)至效应器官;效应器:肌肉、腺体等,受到刺激后发生反应。(三)反射弧的类型1.含1个神经细胞;2.含2个神经细胞;3.含³3神经细胞;4.人的反射弧膝跳反射是人体最简单、唯一的单突触反射弧,其反射中枢位于脊髓内,与脑等其他部位有复杂的联系,受意识控制。人体反射的特点:(1)中间神经元多(³3),神经元越多,

5、反射活动越复杂;(2)传导通路复杂,是人体复杂行为的基础。(四)反射的意义:反应迅速—无需思考;适应环境,进化中形成的、先天性行为;是复杂行为的基础。三、神经冲动的传导(一)静息电位1.离子浓度差:任何细胞内、外均存在离子浓度差。在神经元中,K+的浓度差为:内/外=30;Na+的浓度差为:外/内=10倍。原因是Na+-K+泵的作用进行主动运输,每次将三个Na+泵出细胞、将两个K+泵入细胞,结果膜内、外两个相反的浓度梯度。2.极化静息状态是指神经细胞在安静、无刺激时的状态,些时神经细胞膜的通透性为:Na+通道关闭,Na+不能进入膜内;但由于膜

6、内K+浓度高,K+通道部分张开,依靠化学扩散力,少量K+渗出;细胞内存在带负电的大分子,使膜内负电性增强。结果形成跨膜电位—外正内负。这种状态为极化状态,这种膜为极化膜。3.静息电位:由于化学扩散力使K+渗出,跨膜电位增高,跨膜电位阻力增大,当二者平衡时,即化学扩散力=跨膜电位阻力,跨膜电位就稳定了,此时的电位为静息电位,外正内负,哺乳动物神经细胞约在-70~-90mV之间。本质是K+的电与化学平衡电位相等。(二)动作电位与神经冲动的传导1.动作电位(兴奋)(1)定义:神经纤维受到刺激时,膜电位产生的短暂、周期性、可传导的变化。(2)膜电位

7、的变化:负→→0→→正→→0→→负去极化倒极化(去极化)再极化(复极化)(3)动作电位产生的机制去极化与倒极化:是由于膜的通透性变化。当神经细胞受到外界刺激时,Na+通道张开,Na+大量涌入,致使更多的Na+通道张开(正反馈),结果更大量的Na+涌入膜内。跨膜电位的变化从-70mV→0→+35mV。这种外负内正的电位称为动作电位。去极化倒极化不应期:膜内正电荷增多,致使Na+进入的阻力增大,结果Na+通道逐渐关闭(失活),此时不能再接受刺激,称不应期。复极化(再极化):静息电位的恢复。膜对K+通透性增高(K+通道张开),致使K+大量外移,静

8、息电位恢复。原因是K+浓度内>外,膜内正电位斥力所致。(4)动作电位的实质刺激引起膜电位(膜极性)发生短暂的、周期性变化,主要包括2个过程:去极化、倒极化:Na+渗入,电位变化为

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