第1章 半导体二极管和半导体三极管 3页

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1、第1章半导体二极管和三极管1.半导体基础知识半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体是一种无杂质、晶体结构完整的半导体。半导体内部有电子与空穴两种载流子，半导体的导电能力取决于其载流子的多少，本征半导体有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。本征半导体在热激发条件下仅有少数价电子获得足够能量形成电子空穴对，因此，载流子的数量少，导电能力差，且受温度的影响大。掺杂后形成的杂质半导体中多数载流子浓度大大增加，导电能力增强。按所掺杂质元素的不同半导体又可分为P型半导体和N型半导体。2.PN结的单向导电特性当PN结两端加正向电压(

2、即正向偏置)时，PN结变窄，PN结的正向电阻很小，将形成较大的正向电流，此时PN结处于导通状态；反之，当PN结加反向电压时(即反向偏置)，PN结变宽，PN结反向电阻很大，因而反向电流很小，PN结处于截止状态，所以PN结具有单向导电特性。3.半导体二极管半导体二极管是在一个PN结两端加上电极引线做成管芯，并以管壳封装加固而成。因此，单向导电性是半导体二极管最重要的特性。半导体二极管常用伏安特性曲线表示其性能，它由正向特性和反向特性两部分组成。学习时应注意以下几点：(1)在正向特性的起始部分，二极管呈现出很大的正向电阻处于截止状态，

3、这个部分称为死区，对应的电压称为死区（阈值）电压，当正向电压大于死区电压后，正向电流随正向电压的上升而急剧上升，二极管正向电阻变得很小，此时二极管处于导通状态。二极管的死区电压硅管约为0.5V，锗管约为0.1V，二极管的实际导通电压硅管约为0.7V，锗管约0.3V，与死区电压约有差异。(2)在反向特性部分，当反向电压不超过某一范围时，反向电流很小且不随反向电压变化，只有反向电压增加到某一数值时，反向电流才会急剧增大，这种现象称为反向击穿，对应的反向电压称为反向击穿电压。PN结反向击穿时电流很大，因而消耗在PN结上的功率很大，容易

4、使PN结发热超过它的耗散功率而烧毁二极管。(3)伏安特性与温度有很大关系。当加反向电压时，由于少数载流子的浓度是由温度决定的，所以温度上升时，反向饱和电流随温度上升增加很快。(4)为了分析与计算方便，常常假设二极管是理想的，即把半导体二极管的特性理想化，认为二极管的正向电阻为零，而反向电阻为无穷大，而且忽略正向压降（令其为0V）和反向电流。(5)半导体二极管的主要参数有最大整流电流IFM最高反向工作电压VRM和最大反向电流IRM。其中最大整流电流和最高反向工作电压两个参数是合理选择和使用二极管的主要依据。应当注意最高反向工作电压

5、和反向击穿电压的区别，最高反向工作电压是确保二极管安全工作所允许使用的电压值，约为反向击穿电压的一半。4.稳压二极管3稳压二极管是一种特殊的半导体二极管，与一般二极管不同的是，它的反向击穿电压较低，反向击穿特性较陡，击穿后除去反向电压又能恢复正常，可利用它在反向击穿状态下的恒压特性进行稳压。5.半导体三极管半导体三极管又称晶体三极管。它有发射区、基区和集电区三个区，各自引出的三个电极分别称为发射极、基极和集电极，分别用字母e，b，c(或E，B，C)表示。发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间PN结称为集电结。晶体管

6、按半导体材料可分为硅管和锗管，按PN结组合方式不同有可分为PNP型和NPN型。半导体三极管工作在放大状态时，通常在它的发射结加正向电压，集电结加反向电压，正常工作时发射结正向压降变化不大，硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。6三极管的电流放大作用与电流分配关系(1)半导体三极管具有电流放大作用。它是通过较小的基极电流IB的变化去控制较大的集电极电流IC的变化，即基极的控制作用。因此，半导体三极管是一种电流控制型器件。(2)半导体三极管实现电流放大的条件分为外部条件和内部条件。外部条件(偏置条件)是发射结正向偏置，集电结反向偏置，

7、即NPN型管要求VC＞VB＞VE；NPN型管要求VE＞VB＞VC。内部条件(工艺条件)是发射区掺杂浓度高，基区很薄且杂质浓度低，集电结面积大，杂质浓度较低。(3)三极管在放大状态时的电流分配关系为iE＝iB+iC，iC＝βiB7三极管的特性曲线和三种工作状态共射电路三极管的输入特性输入特性曲线类似于二极管的正向特性，也存在死区电压及发射结正向压降，半导体管的输入特性是非线性的。共射电路三极管的输出特性通常把输出特性曲线分成截止、饱和、放大三个工作区来分析半导体三极管的工作状态。发射结和集电结均处于反向偏置时，半导体三极管处于截止

8、状态；当发射结和集电结均为正向偏置时，半导体三极管工作于饱和状态；当发射结正向偏置、集电结反向偏置时，半导体三极管工作在放大状态。在放大区内iC＝βiB，存在电流放大作用。集电极电流iC仅受iB的控制，与vCE无关，这时可以把三极管视为—个受基极电流iB控制的受