传感器与检测技术第2版教学大纲作者胡向东参考答案第7章磁电式传感器

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1、第7章磁电式传感器一、单项选择题题号答案知识点1D霍尔元件基本特性2D霍尔效应3A磁电感应式传感器的测量电路4D磁电感应式传感器工作原理5C磁电感应式传感器的测量电路6D霍尔式传感器工作原理7C霍尔元件基本特性二、多项选择题题号答案知识点1AB概述2CD恒磁通式传感器3ABCD磁电感应式传感器的应用4BD霍尔元件基本特性5ABCD霍尔式传感器的应用三、填空题题号答案知识点1磁电作用概述2电磁感应;霍尔效应概述3感应电动势磁电感应式传感器4电磁感应磁电感应式传感器5霍尔效应霍尔效应6磁场屮洛伦兹力霍尔效应7元件的

2、厚度;载流子的浓度霍尔效应8不等位电势;寄生直流电动势霍尔元件基本特性9电磁感应磁电式传感器10电磁感应;电磁电式传感器11热磁磁电式传感器12洛伦兹力;运动霍尔效应13导体和磁场发生相对运动;导体两端磁电式传感器14霍尔片厚度霍尔效应四、简答题1、答:恒磁通式传感器是指在测量过程中使导体(线圈)位置相对于恒定磁通变化而实现测量的一类磁电感应式传感器。变磁通式磁电传感器主要是靠改变磁路的磁通大小来进行测量,即通过改变测量磁路中气隙的大小,从而改变磁路的磁阻來实现测量的。知识点:磁电感应式传感器的工作原理2、答:

3、磁电式传感器的误差主要有非线性误差和温度误差。非线性谋差的主要原因:当磁电式传感器在进行测量时,传感器线圈会有电流流过,这时线圈会产先一定的交变磁通,此交变磁通会替加在永久磁铁产牛的传感器工作磁通上,导致气隙磁通变化。补偿非线性误差的方法:在传感器中加入补偿线圈,补偿线圈被通以一定的电流,适当选择补偿线圈的参数,使具产牛•的交变补偿磁通町以与传感器线圈本身产牛•的交变附加磁通相互抵消。温度误差产牛的原因主要是受温度变化的彩响。温度误差补偿的方法是在结构允许的情况F,在传感器的磁铁下设直热磁分路。知识点:磁电感应

4、式传感器的工作原理3、答:霍尔式位移传感器输出电动势Uh^hTBo在一定范围内,B正比于位移x,乂霍尔电动势正比于B,所以山正比于位于X。除了测量位移外,霍尔式传感器述町以测量转速、压力等。知识点:霍尔效应4、答:一块半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场(磁场方向垂直于薄片)中,当有电流I流过时,电子受到洛仑兹力作用而发生偏转。结果在半导体的后端面上电子有所积累。而前端面缺少电了,因此后端面带负电,前端面带止电,在前后端面形成电场,该电场产生的力阻止电子继续偏转当两力相平衡时,电子积累也平衡,这时在垂直于电流和磁

5、场的方向上将产生电场,相应的电势称为霍尔电势山。知识点:霍尔效应5、答:A.图2是崔尔兀件的基本测量电路。B.图2中各编号名称:①和②是:③和④是OC.图2电路中的被测量是磁感应强度知识点:霍尔式传感器的测量电路6、答:乩磁电式传感器是通过磁电作用将被测量转换为电信号的一种传感器。电感式传感器是利用线圈口感或互感的变化来测量的一种装置。b.磁电式传感器具有频响宽、动态范囤人的特点。而电感式传感器存在交流零位信号,不宜于高频动态信号检测;其响应速度较慢,也不宜做快速动态测量。知识点:磁电式传感器7、答:磁电式传感

6、器测量的物理参数有:磁场、电流、位移、压力、振动、转速。知识点:磁电式传感器的应用8、答:霍尔元件可测量磁场、电流、位移、压力、振动、转速等。知识点:霍尔式传感器的丿应用9、答:崔尔组件的不等位电势是霍尔组件在额定控制电流作用下,在无外加磁场时,两输出电极Z间的空载电势,对用输出的电压表示。知识点:霍尔元件基木特性10、答:温度补偿方法:分流电阻法:适用于恒流源供给控制电流的情况。电桥补偿法知识点:磁电式传感器的匸作原理11、答:一块长为1、宽为d的半导体薄片置于磁感应强度为磁场(磁场方向垂肓于薄片)中,当有电

7、流I流过时,在垂直于电流和磁场的方向上将产牛电动势Uh。这种现象称为霍尔效应。霍尔组件多用N型半导体材料,口比较薄。崔尔式传感器转换效率较低,受温度影响大,但其结构简单、体积小、坚固、频率响应宽、动态范围(输出电势变化)大、无触点,使用寿命长、可靠性高、易微型化和集成电路化,因此在测量技术、自动控制、电磁测量、计算装置以及现代军事技术等领域中得到广泛应用。知识点:霍尔效应12、答:磁电式传感器是通过磁电作用将被测量转换为电信号的一种传感器。电感式传感器是利用线圈自感或互感的变化来测量的一种装置。磁电式传感器具有

8、频响宽、动态范I韦I人的特点。而电感式传感器存在交流零位信号,不宜于高频动态信号检测;其响应速度较慢,也不宜做快速动态测量。知识点:磁电式传感器13、答:当载流导体或半导休处于与电流相垂直的磁场中时,在其两端将产生电位差,这一现彖被称为崔尔效应。知识点:霍尔效应TRTR14、答:霍尔电势U日二E^b二vBb二——=Rh—=KhIBnedd霍尔电势与霍尔电场Eh、载流导体或半导体的宽度b

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