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1、我从事半导体封装已经十一年了，主要从事封装前道BG,SAW,DB和WB的制成维护与开发，现在，由于国际金价持续走高，铜线的封装比重增加，现在，就将我这些年对铜线的研究与大家分享。"@'j3g/l6i5I8E1b1.镀钯铜线与裸铜线的区别。'W6A$X6L(x7j;E镀钯铜线是在裸铜线的表面镀了一层钯，钯是一种很稳定的金属，优点是不被氧化。所以与裸铜线相比，优点为，"a9o)~*D8p/b1）.镀钯铜线的存储时间更长，对存储的环境要求没有裸铜线高； O2j!L-s+r1_%]3]2).钯线的焊接过程中，只需要N2保护就可以，裸铜线的焊接必须是N2，H2混合气（forminggas）;"G2
2、
3、2`3W0T3).在焊接工艺控制中，钯线与裸铜线没有差异，都需要采用合理的参数来控制高硬度的铜球焊接（在下面将详细叙述铜线焊接的工艺参数）。8P6I5L:w*i4Y镀钯铜线的缺点是价格高，一般是裸铜线价格2-3倍。#_.v5~;L'~4Y:b,t2.铜线的焊接，,a:i:l(O;M/j2.1第一点的焊接（ballbonding) }8U*I+k/^-n*y)
4、由于铜球的硬度远远高于金球，所以铜线ballbond焊接易出下列废品，,E#
5、4r*a;g-W+NSOP,1Z9U+g+j+J:],HLiftMetal,%T6B,Z,I U.v1@,U"P9S-zCrater,5B2I1h7S'
6、~*z8t:`$jGolfBond1^/H2e6g-Q+C't为了控制这些废品，需要用特殊的参数加以控制，以下是控制要点，0?0H8m(s4t/~1）.焊接过程分阶段，一般分两个阶段就能焊接，对一些易产生liftmetal或cratering的device，可用三个阶段焊接。第一阶段，只用force,不加power，这个阶段主要是把球压成型，一般地，对0.8mil的铜线，用30-50g的force,1.0mil40-80g,1.2mil60-120g,1.5mil150-250g,1.7mil250-450g,2mil350-500g.第二阶段，用power,焊接force要小，这样易于焊接
7、，不易产生NSOP，焊接的power可以用onetimeinafactor的实验方法的到，而对force，一般是第一阶段force的1/2或1/3。第一阶段主要是对crater与liftmetal的控制，第二阶段主要是对NSOP的控制，当然，第二阶段power用得很大，也会产生crater与liftmetal.一些特殊device需要用到第三阶段，一般地，前二阶段能控制crater,liftmetal，但NSOP的PPM很高时，增加第三阶段，第三阶段是在第二阶段继续增加power和减小force.如果还有问题就打开scrub功能或enhancer的功能。(r0A;X(r:是的，这是因为铜球比
8、金球硬。补充如下，,S*h%}$x3j/_5D对于铜线焊接，第一阶段的force都要大，要足够把铜球压成型，不要加power;8B/X&
9、$b's6z*I0v9h*V'^第二阶段，对于heavywire，焊接的force也要大，对于standardwire或smallwire,force就要小，否则球就会outofcontrol.L)V/X2）.第二点焊接（stitchbond）的控制。#T.c9}#k-N(Z&a6G8m;t同样原理，铜线硬于金线，所以，以下是主要问题，;h*V5w'{5n#{!D!?NSOL,.H1A!{1?(L(b!DShortTail1%?%B,['H6Q)Y:r与
10、第一点焊接相同，分阶段焊接。第一阶段只用force压成型，第二阶段用power与force,但force不能太小，force太小不能克服第二点的震动。3U*k+v:v8C,t"B:}另外，bondhead的速度要放慢。)O4O0l9{+t;B如果用moxsoft的线，对第二点的帮助比较大，毕竟maxsoft的线要比一般铜线软。6O(U,e(k-V.Y-y"j5U,)x)v t,Y n8z;S3B1.铜线的热块需要重新设计，(v2H6C1j;^"[对第二点的焊接，最好在lead的支撑区域加凸台，防止lead在焊接过程中震动小，凸台一般高为1mil,宽为1-2mil.压板不需要。%f7A*
11、M2O(V)B)h"{对第一点焊接，对QFN/DFN的产品，真空孔要小，要多，这样真空吸附均匀。对dualpaddle一些leadframe的产品，如SOICdualpaddle的mosfet的产品，这种leadframe的厚度很厚（8mil），并且tiebar分布不能对称，加热块要完全吸好不容易，可以在没有tiebar的一边加凸台，高度不要超过1mil./Y:J3r(F9q&r7C5m5j$`&E2.焊接铜
