改善恒流源驱动电路

《改善恒流源驱动电路》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、总第46卷第522期电测与仪表Vol.46No.5222009年第06期ElectricalMeasurement&InstrumentationJun.2009改善恒流驱动电路性能的研究*涂用军（广东科学技术职业学院，广州510640）摘要：分析和讨论了集成运放负反馈型恒流源的负载、温度特性以及稳定精度，得到了相当准确的解析表达式，为设计高稳定度、高可靠的恒流源电源提供了更多的信息，也为各种功率的恒流源性能优化设计提供参考。关键词：负载特性；温度特性；恒流源；电流稳定度中图分类号：TN709文献标识码：

2、A文章编号：1001-1390（2009）06-0075-03StudyonImprovementofConstantCurrentSourceTUYong-jun（GuangdongVocationalInstituteofScienceandTechnology,Guangzhou510640,China）Abstract：Theload,temperaturecharacteristics，currentprecisionandstabilityanalysisareproposedinthispa

3、per，whichwillresultinanaccurateanalyticalformulaanditalsoprovidesmuchusefulinformationfordesigningofhighreliabilityconstantcurrentpowersupplywithhighstability，andsomereferenceinformationonoptimizationdesignofstaticanddynamiccharacteristicsofConstantCurren

4、tSourcerunningwiththedifferentpower.Keywords：loadcharacteristics，temperaturecharacteristics，ConstantCurrentSource，currentstability0引言图1所示电路中，负载R（等效于LLD）串联于半导体激光二极管（LD）已经在通信、信息、医MOS晶体管漏极，源极串联采样电阻R0，用于电流疗、精密加工和测量等领域获得了广泛应用。然而，取样，该取样电流经过I/U转换并经U1放大后，作为LD的工作波

5、长和输出功率与其工作温度、注入电流反馈电压Vf与设定基准电压Vg进行比较放大，进而之间有着强烈的依赖关系。例如，半导体激光器驱动控制MOS管的栅极电压，实现对输出电流ID进行调电源的基本要求是恒流源稳定度要高(至少应优于整，使整个闭环反馈系统处于动态的平衡中，以达到-4[1]10)。近红外LD的工作波长受工作温度变化的影响稳定输出电流的目的。输出电流ID与设定电压Vg的约为0.3nm/K，受注入电流变化的影响约为0.03nm/关系可由负反馈原理得到ID=Vg/AuR0，此式只是一个［2］mA。在实际工程中

6、，一般通过仿真分析，为硬件电理想表达式。实际上，随着负载、温度、输入电压等变路设计和测试提供参考。为此，本文介绍了恒电流驱化及器件和参数的不同选择，输出电流还是有微小的动电路特性的具体解析分析方法及表达式，同时给出变化。+5V了本LD恒流驱动电路的实验测试结果。DCDCR1恒流驱动电源的理论分析V
在稳流电源中，目前常用的是开关电源和线性电+R500OΩMOSU2-源，由于开关电源的瞬态响应较差、纹波系数较大，对于瞬态特性和稳定度要求较高的半导体激光驱动电RC153nF10OΩ源，应采

7、用线性电源较为合理。为了实现高的电流稳AV+D1定度，驱动电路大多采用集成运放负反馈的控制方U1R1N4148_［3］R4.75kOΩ法，其恒流源的调整管普遍采用MOS晶体管。本恒10kOΩ流驱动末级电路(电流驱动)如图1所示。R100kOΩ图1集成运放负反馈型恒流驱动电路*广东省科技计划资助项目（2006B13301004）Fig.1Constantcurrentsourcecircuit-75-总第46卷第522期电测与仪表Vol.46No.5222009年第06期Electr

8、icalMeasurement&InstrumentationJun.20092恒流源特性分析ΔID1=×一个理想恒流驱动电源要求在负载电阻RL或ID(1+Au1Au2gmR0)rds+(R0+RL+ΔRL)环境温度变化时，能保持ID恒定不变，但事实上并非AgrΔVu2mdsDD(×ΔV+-ΔR)（8）如此，下面对影响恒流源输出电流稳定性的因素进行IgILDD分析。由于rds典型值为0.1～3MΩ,gm=0.1～150mA/V