模拟电子技术第五版康光华

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1、第二章运算放大器rl」〉-an・>——>—BUI■蚊电踣运鼻故人H的内都结构悵图512.1.2运鼻故大0的代农符号(•)■第标■!»定的l?9(b)国内外常用符号■111HtcKRtBflS!IW2.I.4运KMt大*•旳砸加传檢♦♦怪a2.3.2电圧跟陆器ffi2.).IMlfltt大电陽(•)mws(b)小傭号电UN*lOOkfiW)■E2.3.3(•)MM«.•■kfl曲号■r.cait>lm的电K(b)AIMf..NOUM«4l«t11(.IU)R?(t)电财(b)图2.4.11反相运算电路(a)O(b)RJ2.4

2、.12比例-枳分-徽分运算(•)电路田(b)呦辰耳应3二极管及其基本电3.1半导体基本知识3.1.1半导体材料硅是1=1前最常用的一种半导体材料。伏安特性（V—I）。3.1.2半导体共价键结构半导体的导电性与价电子有关。3.1.3本征半导体、空穴及其导电作用本征半导体半导体重要物理特性：电导率。电荷载流子浓度越高（本身性质、温度值、杂质的存在），其导电率越高。木征激发：由于热激发而产生的白由电子，价电子移动后而留下的空穴。空穴：空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点。川虚拟空穴移动西―勺—禺（实际电子移动“―花―禹）产

3、生的电流代表束缚电子移动产生的电流。产主电流的根本原因是共价键中产牛空穴。空穴越多，半导休中的载流子数目越多，产牛的电流越大。空穴与电子总是成对出现的：nt=Pi.载流子的产生与复合温度一定，动态平衡。木征半导体的导电率将随温度的增加而增加。3.1.4杂质半导体：空穴（P）型半导体和电子（N）型半导体1P型半导体定义：在硅晶体内掺入少量三价杂质（硼）（受主杂质或P型杂质）。多子：空穴。少子：电子。Na（受主原子浓度片似子电子浓度=总窗久浓度）这是因为材料中的剩余电荷密度比为0。或者说，离子化的受主原子的负电荷+自由电子=空

4、穴正电荷数2N型半导体定义：在硅晶体内掺入少量三价杂质（硼）（受主杂质或P型朵质）。多子：空穴。少子：电子。皿（施主原子浓度片灰子空穴浓度=总电（子浓度）（离子化的施主原子和空穴的正电荷比为自由电子的负电荷平衡，以保持材料的电中性。）山于电子与空穴的复合，在一定的温度下，使空穴浓度与电子的浓度乘积为一常数：pn=pini=n；3.2PN结的形成及特征「空间电荷区「P区「〜N区O°oO]盹0°0]00o°b1oo⑥Sj.®.00©1©0©1.0.0PN321载流子的漂移与扩散漂移：由于电场作川而导致载流子的运动。匕=(电

5、子jun=1500cm2/(Vs))Vp=““E(电子=415cm2/(Vs))3倍关系扩散：载流子浓度差。3.2.2PN结的形成空间电荷区=卩“结=耗尽区=势垒区内电场：NTP，阻碍载流子扩散运动。扩散潭轅」电荷区加宽，电场增强对多了扩散阻力增加使少了漂移增强①取好4汐空间电荷区变窄，电场减弱对多了扩散阻力减小=动态平衡漂移运动捱散运动（平衡PN结）3.2.3PN结单向导电性：PN结基本特性1.1•正向电压*PN结单向导电性＜2.反向电压«正负⑺＞£o^£o-E3PN结丄Rp£扩散漂移扩哋流（正向电流）（芻子）TE^4=

6、->PN结,TrpnT扩散漂移漂移流（反向电流）（少矛：本征激发）IF"微小，-与V阮关，定于7反向饱和电流Is单向导电性：PN结加正向电压时，电阻很小，PN结导通；加反向电压时，电阻很人，PN结截上。PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在，且其宽度随外加电压而变化。i=Is（R"M—1）力=122.PN结¥特［性岭二好/g二1.38X1（尸3J/K（-273°C）-1.6x10_,9C=0.026V（1）正向屯压：帽数领喙吟=＞严心1,⑵反向电压：瘫V创蒯V•戶严"f—snTIs反向击穿电压匕R32.4PN结反向击穿

7、原因1.匕TnE（）tE°+ErTn碰撞电离倍增效应雪强击穿（整流二极管，低2.匕较人很翩坏共价键电子-空戻对齐纳击穿（齐纳二极管，高杂质）电击穿可逆：匕邂免廉苗穿325PN结电容效应QL扩散屯容2.势垒电容3.3」结构点接触：农，高频或数字电路，不能承受高反向电压和大电流面接触：i宏，低频整流向七件J1门槛(死区)电压吆硅错(0.5V),(0.1V)■'*"JK[2.正向导通压降：硅(0.7V),错(02V)3.3二极管-12.反向特性：反向饱和电流冬3反向击穿特性:P"结反向击穿，VgR3.3.3参数21.最大整流电流

8、傢向击穿电压vBRdWo电流：低愈小，单向导电性愈4.极间电容G，鸭频兔.扳蒯恢复时间TRR3.4二极管的基本电路及其分析方法3.4.1简单二极管电路的图解分析方法前提：V-1特性曲线(1)i减觀贬冷%+占％((2)匚=厶(严'弘—1)工作点Q(逐代法，指数模型，不适用，用于理解1理想模型条件：VddA