微电子封装论文

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1、微电子封装工艺的发展摘要：木文介绍微电子封装技术的发展过程和趋势，同吋介绍了各个吋期不同种类的封装技术，也做了对现在国内对于微电了封装技术不足的分析和对发展前景的展望和构想。关键字：为电子封装发展趋势优点一、封装技术的发展从80年代中后期，开始电了产品止朝着便携式、小型化、网络化和多媒体化方向发展，这种市场需求对电路组装技术提出了相应的要求，单位体积信息的提高（高密度）和单位时间处理速度的提高（高速化）成为促进微电了封装技术发展的重要因素。1.1片式元件：小型化、高性能片式元件是应用最早、产量最大的表面组装元件。它主要有以厚薄膜工艺制造的片式电阻器和以多层厚膜共烧工艺制造

2、的片式独石电容器，这是开发和应用最早和最广泛的片式元件。随着工业和消费类电了产品市场对电了设备小型化、高性能、高可靠性、安全性和电磁兼容性的需求，对电子电路性能不断地提出新的要求，片式元件进一步向小型化、多层化、大容量化、耐高压、集成化和高性能化方向发展。在铝电解电容和袒电解电容片式化后，现在高Q值、耐高温、低失真的高性能MLCC已投放市场；介质厚度为10um的电容器已商品化，层数高达100层之多；出现了片式多层压敏和热敏电阻，片式多层电感器，片式多层扼流线圈，片式多层变压器和各种片式多层复合元件；在小型化方面，规格尺寸从3216->2125->1608->1005发展，

3、目前最新出现的是0603（长0.6mm,宽0.3mm）,体积缩小为原來的0.88%o集成化是片式元件未來的另一个发展趋势，它能减少组装焊点数目和提高组装密度，集成化的元件可使Si效率（芯片面积/基板面积）达到80%以上，并能有效地提高电路性能。由于不在电路板上安装大量的分立元件，从而可极大地解决焊点失效引起的问题。1.2芯片封装技术：追随IC的发展而发展数十年来，芯片封装技术一直追随着IC的发展而发展，一代IC就有相应一代的封装技术相配合，而SMT的发展，更加促进芯片封装技术不断达到新的水平。六七十年代的中、小规模IC,曾大量使用TO型封装，后来又开发出DIP、PDIP,

4、并成为这个时期的主导产品形式。八十年代出现了SMT,相应的IC封装形式开发出适于表而贴装短引线或无引线的LCCC、PLCC、SOP等结构。在此基础上，经十多年研制开发的QFP不但解决了LSI的封装问题，而且适于使用SMT在PCB或其他基板上表面贴装，使QFP终于成为SMT主导电了产品并延续至今。为了适应电路组装密度的进一步提高,QFP的引脚间距口前已从1.27mm发展到了0.3mm。由于引脚间距不断缩小，I/O数不断增加，封装体积也不断加大，给电路组装生产带来了许多困难，导致成品率下降和组装成本的提高。另一方面由于受器件引脚框架加工精度等制造技术的限制0.3mm已是QFP

5、引脚间距的极限，这都限制了组装密度的提高。于是一种先进的芯片封装BGA(BallGridAn-ay)应运而生，BGA是球栅阵列的英文缩写，它的I/O端了以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，引线间距大，引线长度短。BGA技术的优点是可增加I/O数和间距，消除QFP技术的高I/O数带來的生产成木和可靠性问题。BGA的兴起和发展尽管解决了QFP而临的困难，但它仍然不能满足电子产品向更加小型、更多功能、更高可靠性对电路组件的耍求，也不能满足硅集成技术发展对进一步捉高封装效率和进一步接近芯片本征传输速率的要求，所以更新的封装CSP(ChipSizePackage)又岀现了，它

6、的英文含义是封装尺寸与裸芯片相同或封装尺寸比裸芯片稍大。日本电子工业I■办会对CSP规定是芯片而积与封装尺寸而积Z比大于80%oCSP与BGA结构基本一样，只是锡球直径和球屮心距缩小了、更薄了，这样在相同封装尺寸时可冇更多的I/O数，使组装密度进一步提高，可以说CSP是缩小了的BGAoCSPZ所以受到极大关注，是由于它提供了比BGA更高的组装密度，而比采用倒装片的板极组装密度低。但是它的组装工艺却不像倒装片那么复杂，没冇倒装片的裸芯片处理问题，基本上与SMT的组装工艺相一致，并且可以像SMT那样进行预测和返工。正是由于这些无法比拟的优点，才使CSP得以迅速发展并进入实用化

7、阶段。目前日本有多家公司生产CSP,而且止越來越多地应用于移动电话、数码录像机、笔记本电脑等产品上。从CSP近几年的发展趋势来看，CSP将取代QFP成为高I/O端子IC封装的主流。为了最终接近IC本征传输速度，满足更高密度、更高功能和高可靠性的电路组装的要求，述必须发展裸芯片(Barechip)技术。裸芯片技术有两种主要形式：一种是COB技术，另一种是倒装片技术(Flipchip)oCOB技术用COB技术封装的裸芯片是芯片主休和I/O端子在晶体上方，在焊接时将此裸芯片用导电/导热胶粘接在PCB±，凝固后，用Bonder机将金屈