半导体存储器(第25讲)

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1、微机原理与接口技术教学课件孙淑艳2005-5-31第三节只读存储器ROM只读存储器的信息在使用时是不能被改变的，即只能读出，不能写入，所以一般只能存放固定程序，如监控程序，BIOS程序等。ROM的特点是非易失性，即掉电后再上电时存储信息不会改变。只读存储器按写入信息的方式不同可分为：1、不可编程掩膜式MOS只读存储器2、可编程只读存储器3、可擦除、可再编程的只读存储器ROM存储元件的存储电路它可看成是一个单向导通的开关电路。当字线上加有选中信号时，如果电子开关S是断开的，位线D上将输出信息1；如果S是接通的，则位线D经T1接地，将输出信息0。一、掩膜ROM图中，左边的管子T1电路未金

2、属化，对应M1位存“1”；右边的管子T2的电极接入电路，对应M2位存“0”。二、可编程只读存储器PROM三、光可擦除可编程只读存储器EPROMEPROM的缺点1、EPROM在使用时必须从电路板上拔下，而且要在专用的紫外线擦除器中擦除，操作起来很麻烦。一块芯片多次插拔后，会损坏外引脚。2、EPROM可被擦除后重新写入的次数是有限的。使用EPROM的注意事项1、编程前检查各单元内容是否均为0FFH（表示已擦除），否则应先用紫外线擦除。2、如用非全自动编程器编程，应按手册中给的数据加上编程电压VPP；当无法弄清VPP的值时，应从12.5V开始逐步升高电压值，最高为25V，以免烧坏芯片。典型

3、EPROM芯片实例---Intel2716（2K*8位）（一）Intel2716的引脚与内部结构（二）2716的工作方式（一）Intel2716的引脚与内部结构Intel2716EPROM芯片的容量为2K*8位，采用CMOS工艺和DIP封装，其引脚、逻辑符号如图：Intel2716的引脚介绍Intel2716有24条引脚。A10~A0：11条地址线，输入，可寻址2716芯片内部的2K存储单元。7条用于行译码，以选择128行中的一行；4条用于列译码，以选择16组中的一组。被选中的一组，8位同时读出。Q7~Q0：8位数据线，通过缓冲器输入/输出。对2716进行编程写入时是输入线，用来输入

4、要写入的信息；当2716处于正常读出时是输出线，用来输出2716中的信息。CS：片选信号，低电平有效。PD/PGM：输入信号线，是待机/编程的控制信号。VPP：编程电源。在编程写入时，VPP=+25V，正常读出时，VPP=+5V。VCC：工作电源，为+5V。Intel2716内部结构图（二）2716的工作方式2716的工作方式有6种，如表所示：读出方式：可以将选中的存储单元的内容读出。未选中：2716未选中，数据总线处于高阻态，即该芯片的输出被禁止送上数据总线。待机方式：与未选中方式类似，但功耗由525mW下降到132mW，所以又称功率下降方式。这时数据总线呈高阻抗。编程输入方式：向

5、2716写入程序。此时把要写入数据的单元地址送上地址总线，数据送上数据总线，然后在PD/PGM端加上52ms宽的正脉冲，就可以将数据线上的信息写入指定的地址。如果对2K地址全部编程，需要100s以上的时间校验编程内容方式：此方式与读出方式基本相同，要求VPP=+25V。在完成编程后，将2716中的信息读出，与写入的内容进行比较，以确定编程内容是否已经正确地写入。禁止编程方式：此方式禁止把数据总线上的信息写入2716。常用的EPROM芯片常用的EPROM芯片还有：2732（4K*8位）2764（8K*8位）27128（16K*8位）等，它们的内部结构与外部引脚分配基本相同，主要是存储容

6、量不同。四、电可擦除的可编程只读存储E2PROM典型的E2PROM芯片Intel2864A容量为8K*8位，采用28条引脚DIP封装，其引脚与2764兼容，其引脚与内部逻辑框图如书P256-图7-14所示。Intel2864A有13根地址线，A0~A7用于行译码，以选择256行中的一行；A8~A12用于列译码，以选择32列中的一列。有8根输入/输出数据线。它的特点是片内具有防写保护单元，适于现场修改参数。Intel2864A的工作方式Intel2864A的工作方式有4种，如表所示：读方式：允许CPU读取2864A的数据。当CPU发出地址信号以及相关的控制信号后，经过一定延时（即读取时

7、间250ns左右）2864A即可提供有效数据。写方式：2864A有以字节为单位进行擦写的功能，擦除和写入是同一种操作，都是写操作，不同之处在于擦除是固定写“1”。在擦除时，数据输入是TTL高电平。2864A在以字节为单位进行擦除和写入时，CE=0，OE=1，WE=0（写脉冲宽度最小为2ms，最大不超过70ms）。片擦除方式：2864A提供了全片电擦除的方式，用片擦除时，所有8K字节均置成“1”。在进行片擦除时，不考虑地址线的状态，数据端置高电平，WE=CE