第23章 存储器和可编程逻辑器件

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1、总目录章目录返回上一页下一页总目录章目录返回上一页下一页总目录章目录返回上一页下一页总目录章目录返回上一页下一页总目录章目录返回上一页下一页地址译码器存储矩阵+UW0W1W2W3A字线0A0A0A1A1位线D3D2D1D01A1读出电路地址输入1存储输出总目录章目录返回上一页下一页总目录章目录返回上一页下一页总目录章目录返回上一页下一页WAAWAA010110W2A1A0W3A1A0总目录章目录返回上一页下一页AA10AA10AA10AA10W0A1A0W1A1A0W2A1A0W3A1A0总目录章目录返回上一页下一页地址译码器存储矩阵+UW01W10W20W30

2、A字线“0”0A0A0A1A1位线D3D2D1D01“0”A1读出电路地址输入10101总目录章目录返回上一页下一页DWWDWW001113DWWWDWW2023313W0=A1A0m0A0地W1=A1A0址m1译W2=A1A0m码2A1器W3=A1A0m3D3D2D1D0总目录章目录返回上一页下一页+UDDW0W1W2W3D3D2D1D0总目录章目录返回上一页下一页+UDD“1”W0“0”W1“0”W2“0”W31101D3D2D1D0总目录章目录返回上一页下一页+UDD负载管“1”W0“0”W1“0”W2“0”W3001011111101D3D2D1D0总

3、目录章目录返回上一页下一页A——加数B——加数C0——低位进位数S——本位和C0——向高位进位数总目录章目录返回上一页下一页ABC0总目录章目录返回上一页下一页根据表23.1.2可得:SABCABCABCABC0000mmmm1247CABCABCABCABC0000mmmm3567ABCWO0m0ABCW10mA1ABCW02mABC20W3m3BABCW40m4ABCW50m5ABCWC06m6ABC0W7m7SC总目录章目录返回上一页下一页总目录章目录返回上一页下一页总目录章目录返回上一页下一页总目录章目录返回上一页下一页000WOA行00

4、1W10010W2译A011W31码100W4A101W52器W1106读出电路(b)(a)D4D3D2D1D0总目录章目录返回上一页下一页由图可看出该字符显示器由7行5列构成存储矩阵,将字母R的形状分割成若干部分并在相应的单元存入信息“1”。当地址输入由000~110周期地循环变化时,即可逐行扫描各字线,把字线W0~W7所存储的字母“R”的字形信息从位线D0~D4读出。使显示设备一行行的显示出图23.1.8(b)的字形。总目录章目录返回上一页下一页总目录章目录返回上一页下一页A0A1地.址.....存储矩阵译A码n-1器地址输入数据线读/写控制(R/W)输入/输出读写/控制电

5、路片选(CS)I/O总目录章目录返回上一页下一页总目录章目录返回上一页下一页总目录章目录返回上一页下一页A118U6CCA5217A7A4316A容量:1024字4位8A3415A9地址线:A9~A0(210=1024)A0514I/O0A1613I/O1数据线:I/O3~I/O0RA27AM12I/O2CS8211I/O31GND91410R/W总目录章目录返回上一页下一页将几片的地址端、R/W端、CS端并接在一起CSR/WA…0地址码A9A9…A0R/WCSA9…A0R/WCSRAM2114(1)RAM2114(2)I/O3I/O2I/O1I/O0I/O3I/O2I/O1

6、I/O0I/O7I/O6IO/5I/O4I/O3I/O2I/O1I/O0高四位低四位总目录章目录返回上一页下一页A11A10A2/411线A11A10译AA1110A码10AA器1110R/WA0..A9.A9…A0R/WCSA9…A0R/WCSA9…A0R/WCSA9…A0R/WCSRAM21114(1)(2)(3)(4)I/OI/OI/OI/OI/O3I/O2I/O1I/O0总目录章目录返回上一页下一页A11A10A02/411线A11A10译AA1110A100码器A11A100R/WA0..A9.A9…A0R/WCSA9…A0R/WCSA9…A0R/WCSA9…A0R/

7、WCSRAM21114(1)(2)(3)(4)I/OI/OI/OI/OI/O3I/O2I/O1I/O0总目录章目录返回上一页下一页输入电路"与"阵列"或"阵列输出电路......总目录章目录返回上一页下一页ABCABC&≥11Y1YYAYY2Y=ACY=A+CY1=AY2=A(a)(b)(c)总目录章目录返回上一页下一页字线存储“1”熔断丝存储“0”位线总目录章目录返回上一页下一页A2A1A0111"或"阵列WO&可编程“或”&W1阵列&W2&W3&W4W5&&W6&W7≥1≥1≥1"与"阵

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