锗硅集成电路芯片生产线项目-可行性研究报告

锗硅集成电路芯片生产线项目-可行性研究报告

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1、深圳市XX实业有限公司6〃、0.35umSiGe(错硅)集成电路芯片生产线项目可行性研究报告深圳市XX咨询有限公司二O—一年四月第一章项目基本情况错误!未定义书签。一、项目名称错误!未定义书签。二、项目承办单位概况错误!未定义书签。三、建设地点错误!未定义书签。四、项目负责人错误!未定义书签。五、建设规模及内容错误!未定义书签。六、总投资及资金筹措方案错误!未定义书签。第二章项目建设必要性错误!未定义书签。一、项目建设背景错误!未定义书签。二、项目建设必要性错误!未定义书签。第三章市场预测错误!未定义书签。第四章技术来源错误!未定义书签。一、技术来源错误

2、!未定义书签。已完成的研究开发工作错误!未定义书签。第五章建设方案错误!未定义书签。一、项目组成错误!未定义书签。二、技术方案错误!未定义书签。三、设备方案错误!未定义书签。第六章投资估算和资金筹措错误!未定义书签。一、投资估算编制依据错误!未定义书签。二、投资估算错误!未定义书签。三、资金来源错误!未定义书签。第七章贷款偿还方案及责任错误!未定义书签。一、贷款偿还方式错误!未定义书签。二、偿还贷款责任错误!未定义书签。三、资金来源错误!未定义书签。第八章经济评价错误!未定义书签。一、编制依据错误!未定义书签。二、基本数据与参数错误!未定义书签。三、成本

3、分析错误!未定义书签。四、经济效益分析错误!未定义书签。五、结论错误!未定义书签。第一章总论1.1项目名称与通信地址项目名称:6〃、0.35umSiGe(错硅)集成电路芯片生产线项目承办单位:深圳市XX实业有限公司法人代表:项目负责人:通信地址:邮政编码:传真:电话:1.2内容提要由深圳市XX实业有限公司(以下简称XX公司)作为中方投资公司与XXXXX(亚洲)集团有限公司(以下简称XXXXX公司)在深圳合资组建一家合资企业,共同投资兴建6"、0.35umSiGe(错硅)集成电路芯片生产线项目,主要产品包括SiGe芯片和普通Si功率M0S器件芯片,形成月投

4、片量5000片的生产能力。项目总体规划分两期建设,一期工程初期实现6〃SiGeHBT和SiGeVCO芯片共计5000片/月的生产能力(本项目),根据产品市场的发展和需求情况最终可形成20000片/月的生产能力,二期工程兴建8〃生产线,实现月产8〃SiGe芯片20000片。一期工程规划用地116000m2(包括研发中心用地20000m2),二期工程规划用地84000nA总用地200000m2o本项目总投资(建设投资)2998.9万美元,注册资金1500万美元,XX公司占合资公司总股本的60%,XXXXX公司占合资公司总股本的40%。项目总投资中注册资金以外

5、的部分(1498.9万美元),将以合资公司名义向境内或境外金融机构贷款解决。本项目用地由深圳市政府免费提供,一期工程用地位于深圳市宝龙工业园区,用地面积96200m2,研发中心用地19800m2,位于深圳市高新技术产业园区,规划建筑包括生产厂房(FAB1和FAB2)、动力厂房、综合楼、多功能中心、专家楼、倒班宿舍、化学品库、气站等,本项目(5000片)新建其中的生产厂房(FAB1)、动力厂房和倒班宿舍,合计新建面积26600m2,其它建筑和子项根据生产规模的扩大实行分步实施。生产厂房(FAB1)按月投片20000的规模建设,洁净室和相配套的生产动力设施按

6、5000片规模配置。预计本项目达产年销售收入9633.82万美元,利润2848.96万美元,项目内部收益率57.26%,投资回收期3.23年。1.3项目建设的必要性和有利条件1.3.1项目意义本项目旨在建立一条6”0.35umSiGe集成电路芯片生产线,该生产线同Si集成电路具有兼容性,因此该生产线除了可以生产SiGe器件以外,也可以根据市场需求生产其它Si器件。本项目在投产初期,由于考虑到SiGe器件市场有一个发展过程,因而安排一定的生产量生产有用户需求的功率M0S器件,这样项目既考虑到一步就迈上了生产当前国际上先进的高频SiGe器件,为进一步发展这一

7、类器件抢占更大的市场奠定基础,同时又能保证生产线的产量能达到饱和值,并为企业带来更大的效益。本项目的建立具有如下意义:(1)填补国内SiGe高频器件生产的空白,推动我国SiGe集成电路生产赶上国际先进水平。SiGe高频器件是一种利用硅基片及能带工程的新型异质结双极器件,由于具有优良的高频特性同时又具有价格低廉以及同硅集成电路兼容集成的优点,因而深受各国重视。尽管1987年第一只SiGeHBT诞生,并经历了十几年的研究及发展,但一直到1998年真正的SiGe产品才问世。本项目利用韩国合资方XXXXX公司掌握的先进SiGe器件及电路工艺技术生产的SiGe器件

8、及集成电路,使我国能在最短的时间内填补这种器件及电路的空白,推动我国SiGe集成

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