电路与模拟电子技术基础（查丽斌）习题解析07

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1、习题77」图7.1所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。说明它的开启电压C/山(或夹断电压匕)约是多少。解：(a)N沟道耗尽型FET(/P=-3V；(b)P沟道增强型FET3=-4V；(c)P沟道耗尽型FETf/P=2Vo7.2图7.2所示为场效应管的输出特性曲线，分别判断各场效应管属于何种类型(结型、绝缘栅型、增强型、耗尽型、N沟道或P沟道)，说明它的夹断电压Up(或开启电压％)为多少。解：(a)JFETP沟道S=3V；(b)耗尽型N沟道FETt/P=~1.0V7.3某MOSFET的/dss=1

2、0hiA且4=—8V°(1)此元件是P沟道还是N沟道？⑵计算Ugs=-3V是的6(3)计算Ugs=3V时的1°。解：(1)N沟道；⑵ZD=，DSS(1—310x(1——)=3.9(mA)8U3⑶/d=/dss(1-严)=10x(1+6)=18.9(mA)Upo7.4画岀下列FET的转移特性曲线。⑴Up=-6V,/DSS=1mA的MOSFET；(2)UT=8V,K=0.2mA/V2的MOSFETo解：(1)(2)7.5试在具有四象限的直角坐标上分别画岀各种类型场效应管的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。解：

3、7.6判断图7.6所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。解：(a)能放人(b)不能放大，增强型不能用口给偏压(c)能放大(d)不能放大，增强型不能用白给偏压，改为耗尽型管子，共漏&<1,可增加凡,并改为共源放大，修改电源极性。DO图73习题7.6电路图77电路如图7.4所示，MOSFET的心=2"ATn=50mAA^2,确定电路Q点的/dq和“DSQ值。解:t^x24=313(v)/DQ=KJUgsq-匕)2=50x(3.13-2)2=63.9(mA)图7.4习题7.7电路图=24-63.9x0.2=11.2(V)L(

4、a)Rd560Q图7.5习题7.8电路图7.8试求图7.5所示每个电路的Uds，已知

5、/Dss

6、=8mA。解：(a)&sQ=0(V)(b)i/GSQ=0(V)/dq二/DSS=8(mA)〃dsq=Vdd—/dq&L12—8X1=4(V)/dq=，dss=—8(mA)t/DSQ=VDD-/DQ7?d=—9+8X0.56=—4.52(V)7.9电路如图7.6所示，已知VT在&s=5V时的/d=2.25hiA,在UGS=3V时的/°=0.25mA。现要求该电路中FET的恼=2.的、/DQ=0.64mA,试求：(1)管子的&和

7、心的值;(2)局和心的值应各収多大？解：(1)/D=^n(^GS-^th)22.25=Kn(5・Sh)20.25=Kn(3・Uh)2fUhi=3.5(V)(不合理，舍去)，^ll2=2(V)求得：Kn=0.25mA/V2,S】=2V(2)VD0=VDD-/DQ・/?d2.4=12-o.64/?d->/?d=15kQ0.64=0.25(17gsq一2)2-&sqi=0.4(V)(不合理，舍去)&sq2=3.6(V)Ugsq=10-0.64・他・•・R眉1OkQ9+#dd[12V他A；10V7.10电路如图7.7所示,已知

8、FET的Uh=3V、/Cn=0.1mA/V2o现要求该电路中FET的/dq=1.6mA，试求心的值应为多人？i+GoISV图7.7习题7.10图〃GSQ2=T(V)(不合理，舍去)图7.6习题7.9图解：1.6=0.1(Ugsq—3)2・・・〃gsqi=7(V)Udsq=&sq=7(V)”dsq=15—1.6X&・'・7.11电路如图7.8所示，己知场效应管VT的Uh=2V,U(br)ds=16V、％r)gs=30V,当&s=4V、［/ds=5V时的/D=9mAo请分析这四个电路中的场效应管各工作在什么状态(截止、恒流

9、、可变电阻、击穿)？阿(b)(O(dl图7.8习题7.11图解：(a)截止(b)Udsq=20V>kJ(br)ds»击穿(C)/D=Kn(&s・Uh)29=Kn(4~2)2Kn=2.25mA/V2&sq=3V辰=2.25(3—2尸：.1^=225^-Udsq=12一2.25X5=0.75(V)^GSQ-Uth=lV・・・处于恒流区7.12图7.9所示场效应管工作于放大状态，心忽略不计，电容对交流视■为短路。跨导为=Iniso(1

10、)血出电路的交流小信号等效电路；(2)求电压放大倍数二和源电压放大倍数(3)求输入电阻尽和输出电阻尺。图7.9习题7.12电路图w：(2)/?汙Rg3+/?g2〃Rgi=2+0・3//O・l=2・075(MQ)妒心=10kQUS-乩Rdi+弘尺1x101+1x2=-3.3Ri%+心2.0752.075+0.001x3.3«-3.3