材料科学与工艺

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1、报告编号:20100154合同编号：20100114006科技查新报告项目名称：无氢铜丝球焊键合工艺的研发委托人:广州半导体器件有限公司委托日期：2010年1月14日查新机构（盖章）：广东省科学技术情报研究所查新完成日期：2010年1月21日中华人民共和国科学技术部二OOO年制中文：无氢铜丝球焊键合工艺的研发英文(国内外)：查新机构机构名称广东省科学技术情报研究所通信地址广州市连新路171号科学馆大院内科技信息大楼九楼查新检索中心邮政编码510033电f邮箱ywb303@163.com负责人罗秀豪电话020-83561171传真0

2、20-83560508联系人余文斌电话1020-83561171-808电话2020-83560462-808一、査新目的中报奖励查新二、査新项目的科学技术要点引线键合是采用将导电丝将芯片与内引线实现电连接的一种工艺过程，是半导体器件和集成电路封装的关键工艺Z—。键合所用导电丝主要有金丝、铝丝和铜丝，目前应用最广泛、工艺最成熟的键合工艺是金丝球焊键合。而铜由于具有优良的导电、导热和机械性能以及低成本等优点，正逐步代替金成为主要的键合丝材料，铜丝球焊键合工艺也将逐步代替金丝球焊键合工艺成为封装工艺中的主流技术。本项kl使用具有优良抗

3、氧化性能的键合铜丝，采用高纯氮气作为键合工艺过程的保护气体，无需加入氢气作还原气体，工艺女全可靠、简便，项H获得广州市科技计划项廿立项支持。通过两年的研发，项目组对铜丝键合小的保护气体供送、efo形球工艺、键合工艺参数和键合工具的选择等进行了深入的探索和试验，经过不断的调整、完善和优化，形成了一套比较成熟的无氢铜丝球焊键合工艺方案。目前，项目技术已在广州半导体器件有限公司封装生产线规模应用，应用比例超过95%,最终产品的成品合格率已经达到金丝键合工艺的水平。采用铜丝键合工艺的晶体管产品经过第三方检测机构进行质量一致性试验，可靠性完

4、全符合国标《半导体器件分立器件和集成电路总规范》的要求。三、査新点与查新要求A、查新点:铜丝球焊键合的关键是氧化问题及其防护，目前国内外铜丝键合工艺大部分在氮(95%)/氢(5%)的保护气氛下进行。木项目研发采用经特殊提纯铜材制成具有较好抗氧化性的铜丝球焊键合工艺，工艺过程只使用氮气作保护气体，无需氢气作还原气体，工艺安全可靠、简便。B、杏新要求：要求进行国内杏新。四、国内文献检索范围及检索策略主题词：半导体器件和集成电路封装、铜丝键合、铜丝球焊、无氢、纯氮保护检索式：1•键合*铜丝*（氢+氮）2.铜丝*球焊*（氢+氮）3.引线*

5、键合*铜*保护检索时间:2010年1月20日1.《力方科技成果数据库》丿j方数据公司网络版2.《力方中国学位论文数据库》3.《万方中国专利数据库》4.《万方中国学术会议论文数据库》万方数据公司网络版万方数据公司网络版万方数据公司网络版5.《中文科技期刊数据库》广东金科网维普镜像版五、检索结果根据检索上述文献及数据库，检出与木委托项目密切相关的文献有:1、键合铜丝及其制备方法I卩请号/专利号：200610154487本发明公开了一种键合铜丝，其材料配方重量百分比为：饰0・0005%〜0.001%,锌或锡0.0003%〜0.0008%

6、,余量为铜，铜的纯度299.996%；本发明还公开了该键合铜丝的制备方法，它包括：用纯度为99.99wt%的铜电解提纯出纯度为99.999wt%的铜；经金属单晶水平连铸方法制作出纯度为99.9999wt%的单晶铜；制作中间合金;按材料配方将纯度为99.9999wt%的单晶铜与中间合金经金属单晶水平连铸方法制作出本键合铜丝的坯料；拉伸；退火；分卷；真空包装。该键合铜丝能替代键合金丝且其材料木身具有能避免第二焊点逃丝及可去掉危险保护气体一氢气的性质。申请口：2006年11月03口公开日：2008年09月24日授权公告日：2008年09

7、月24日申请人/专利权人：宁波康强电子股份有限公司川请人地址：浙江省宁波市鄭州区潘火工业区发明设计人：房跃波;郑志法;郑康定专利代理机构：代理人：代忠炯专利类型：发明专利分类号：H01L23/49;H01Bl/02;C22C9/00;B23P23/04;C22Cl/03;B21Cl/12;B22Dll/16;C25Cl/122、高性能键合铜丝的制备及其球键合工艺研究【英文题名】StudyonthePreparationandBal1BondingProcessfortheHigh-PerformaneeCopperBondingW

8、ire【作者】胡立杰；【导师】丁雨田；【学位授予单位】兰州理工人学；【学科专业名称】材料学【学位年度】2009【论文级别】硕士【网络出版投稿人】兰州理工大学【网络出版投稿时间】2009-10-23【关键词】高性能键合铜丝；断线；室温性能；表而质量；